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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRGR4610DTRPBF	-	RFQ	1054	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			77 w		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					400V，6A，47OHM，15V																74 ns					-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns
IRG4IBC20UDPBF	-	RFQ	5908	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			34 W		TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					480V，6.5a，50ohm，15V																37 ns					-	600 v	11.4 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRLSL3034PBF	-	RFQ	9246	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001558586	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 195a，10V	2.5V @ 250µA	162 NC @ 4.5 V	±20V	10315 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IPI80N04S204AKSA1	-	RFQ	8068	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BC857CWH6327	0.0500	RFQ	336	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857				250兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	7,053																											45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRF8113GTRPBF	-	RFQ	9321	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRG5K75HF06A	-	RFQ	5067	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块	IRG5K75				330 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001548060	Ear99	8541.29.0095	20	半桥																									-	600 v	140 a		2.1V @ 15V，75a				1 MA	不	3.6 NF @ 25 V
IKW40N120H3FKSA1	9.2400	RFQ	93	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N120	标准			483 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，40a，12ohm，15V																355 ns					沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	4.4MJ	185 NC	30NS/290NS
IPB80N06S405ATMA1	-	RFQ	7954	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB80N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					60 V	80A（TC）	10V	5.4mohm @ 80a，10v	4V @ 60µA	81 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IRG7PH46UPBF	-	RFQ	2174	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准			469 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					600V，40a，10ohm，15V																					沟	1200 v	130 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.56mj（在）上，1.78mj off）	220 NC	45NS/410NS
SPD1305NL	0.1900	RFQ	75	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
SPI70N10L	-	RFQ	1082	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI70N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014005	Ear99	8541.29.0095	500			n通道					100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IPD122N10N3GBTMA1	-	RFQ	2648	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD122N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					100 v	59A（TC）	6V，10V	12.2MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
BCR 192T E6327	-	RFQ	9658	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 192				250兆		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
IKD15N60RC2ATMA1	1.6200	RFQ	4	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IKD15N60	标准			115.4 w		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，15a，49onm，15V																129 ns					沟渠场停止	600 v	28 a	45 a	2.3V @ 15V，15a	（570µJ）（在350µJ上）	72 NC	18NS/374NS
D471N85TXPSA1	-	RFQ	8864	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D471N85			标准			-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	8500 v	3.2 V @ 1200 A		50 ma @ 8500 V	-40°C〜160°C	760a	-
BSC024NE2LSATMA1	1.1600	RFQ	11	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC024			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					25 v	25A（25A），110A （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 12 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
BC 817-16 E6433	-	RFQ	8013	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 817				330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																											45 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
IPB65R090CFD7ATMA1	6.3700	RFQ	9200	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB65R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					650 v	25A（TC）	10V	90MOHM @ 12.5A，10V	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
IPD60R520CPBTMA1	-	RFQ	7684	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					600 v	6.8A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	66W（TC）
IPI072N10N3GXKSA1	-	RFQ	5070	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI072			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					100 v	80A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 80A，10V	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W（TC）
IRFIZ48NPBF	-	RFQ	3572	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					55 v	40a（TC）	10V	16mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRLL014NTRPBF	0.9100	RFQ	69	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					55 v	2A（TA）	4V，10V	140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	230 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF7492	-	RFQ	3399	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道					200 v	3.7a（ta）	10V	79mohm @ 2.2a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSZ215CHXTMA1	1.5300	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ215			MOSFET （金属 o化物）	2.5W		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道互补							20V	5.1a，3.2a		55mohm @ 5.1a，4.5V	1.4V @ 110µA	2.8NC @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
D1821SH45TS05XOSA1	-	RFQ	4105	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	DO-200，变体	D1821SH45			标准			BG-D10026K-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001303724	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	4500 v				-	1710a	-
SPA11N65C3XKSA1	4.2700	RFQ	5306	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N65			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					650 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1	134.6156	RFQ	7569	Infineon技术	Hexfet®	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				（SIC）	20mw		模块	-	rohs3符合条件			448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1			18	2 n通道							1200V	200a（200a tj）		5.63mohm @ 200a，15v	5.55V @ 80mA	496nc @ 15V		14700pf @ 800V	（SIC）
SPB03N60C3ATMA1	-	RFQ	6791	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB03N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					650 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
PTVA123501ECV2XWSA1	-	RFQ	2346	Infineon技术	-	托盘	过时的	105 v		表面安装	2-flatpack，鳍线			1.2GHz〜1.4GHz	ldmos			H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001237182	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			10µA		350W	17dB											-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²