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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRFZ46ZPBF	-	RFQ	5188	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
IPP037N06L3GHKSA1	-	RFQ	1774年	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP037		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000398072	Ear99	8541.29.0095	500			n通道			60 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 93µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
SIDC14D60C8X1SA1	-	RFQ	8653	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC14D60		标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				600 v	1.9 V @ 50 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	50a	-
TT425N16KS13HPSA1	-	RFQ	8377	Infineon技术	-	托盘	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	TT425N				系列连接 -scr			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												1.6 kV	800 a	1.5 v	14500a @ 50Hz	250 MA	471 a								2 scr
T730N42TS03XPSA1	-	RFQ	4484	Infineon技术	-	托盘	过时的	120°C（TJ）	底盘安装	TO-200AC	T730N				单身的			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												4.2 kV	1150 a	2.5 v	17600a @ 50Hz	300 MA	730 a								1 scr
IKW50N65ET7XKSA1	6.3400	RFQ	8024	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW50N65	标准		273 w			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，50a，9ohm，15V																			93 ns						沟渠场停止	650 v	50 a	150 a	1.65V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，850µJ（OFF）	290 NC	26NS/350NS
IPW65R115CFD7AXKSA1	6.6600	RFQ	6446	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R115		MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	21a（TC）	10V	115mohm @ 9.7a，10v	4.5V @ 490µA	41 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 400 V	-	114W（TC）
IPB65R099CFD7AATMA1	7.4200	RFQ	18	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R099		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	24A（TC）	10V	99mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
IPLK60R1K5PFD7ATMA1	1.2200	RFQ	92	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			600 v	3.8A（TC）	10V	1.5OHM @ 700mA，10V	4.5V @ 40µA	4.6 NC @ 10 V	±20V	169 PF @ 400 V	-	25W（TC）
IPW65R075CFD7AXKSA1	11.0800	RFQ	6714	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R075		MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	32A（TC）	10V	75mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 820µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	171W（TC）
IKW40N65ET7XKSA1	5.8500	RFQ	2051	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N65	标准		230.8 w			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，40a，10ohm，15V																			85 ns						沟渠场停止	650 v	76 a	120 a	1.65V @ 15V，40a	1.05MJ（在）上，590µJ降低）	235 NC	20N/310NS
IPLK60R1K0PFD7ATMA1	1.3400	RFQ	4	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			600 v	5.2A（TC）	10V	1OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±20V	230 pf @ 400 V	-	31.3W（TC）
IST006N04NM6AUMA1	3.8800	RFQ	1241	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IST006		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			40 V	（58A）（TA），475a （TC）	6V，10V	0.6MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	8800 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
IKW75N65ET7XKSA1	9.1500	RFQ	1061	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N65	标准		333 w			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，75A，4.7OHM，15V																			100 ns						沟渠场停止	650 v	80 a	225 a	1.65V @ 15V，75a	2.17MJ（在）上，1.23mj off）	435 NC	28NS/310NS
IPP65R099CFD7AAKSA1	7.4000	RFQ	50	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R099		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	24A（TC）	10V	99mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
FS650R08A4P2BPSA1	545.4500	RFQ	16	Infineon技术	HybridPack™DC6	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS650R08			20兆		标准	Ag-Hybdc6i-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	16	三相逆变器																													沟渠场停止	750 v	375 a		1.35V @ 15V，375a				1 MA	是的	65 NF @ 50 V
IPLK60R360PFD7ATMA1	1.6300	RFQ	9	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			600 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	74W（TC）
IPT60R075CFD7XTMA1	7.6500	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R075		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			600 v	33A（TC）	10V	75mohm @ 11.4a，10v	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	188W（TC）
IPBE65R099CFD7AATMA1	7.9300	RFQ	2818	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IPBE65		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO263-7-3-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	24A（TC）	10V	99mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
SIGC156T60NR2CX7SA1	-	RFQ	3048	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC156	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，200A，1.5OHM，15V																									npt	600 v	200 a	600 a	2.5V @ 15V，200a	-		180NS/285NS
SIDC05D60C8X7SA2	-	RFQ	5049	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC05		标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				600 v	1.95 V @ 15 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	15a	-
SIDC07D60F6X1SA3	-	RFQ	4782	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC07D60		标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				600 v	1.6 V @ 22.5 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	22.5a	-
SIGC156T60NR2CX1SA2	-	RFQ	7925	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC156	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，200A，1.5OHM，15V																									npt	600 v	200 a	600 a	2.5V @ 15V，200a	-		180NS/285NS
SIGC18T60NCX7SA1	-	RFQ	5950	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，20a，13ohm，15V																									npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
SIGC25T60NCX1SA4	-	RFQ	2114	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC25	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，30a，8.2Ohm，15V																									npt	600 v	30 a	90 a	2.5V @ 15V，30a	-		21NS/110NS
SIGC07T60SNCX1SA4	-	RFQ	7207	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC07	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，6A，50OHM，15V																									npt	600 v	6 a	18 a	2.5V @ 15V，6a	-		24NS/248NS
SIGC05T60SNCX7SA2	-	RFQ	7719	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC05	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，4A，67OHM，15V																									npt	600 v	4 a	12 a	2.5V @ 15V，4A	-		22NS/264NS
SIGC10T60EX1SA3	-	RFQ	3071	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC10	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																									沟渠场停止	600 v	20 a	60 a	1.9V @ 15V，20A	-		-
SIGC06T60EX7SA1	-	RFQ	2696	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC06	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																									沟渠场停止	600 v	10 a	30 a	1.9V @ 15V，10a	-		-
SIGC25T60UNX7SA1	-	RFQ	5193	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC25	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，30a，1.8Ohm，15V																									npt	600 v	30 a	90 a	3.15V @ 15V，30a	-		16ns/122ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²