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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRL2910pbf	2.9900	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRL2910		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道					100 v	55A（TC）	4V，10V	26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFH5302TRPBF	1.2900	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IRFH5302		MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					30 V	32A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 50a，10v	2.35V @ 100µA	76 NC @ 10 V	±20V	4400 pf @ 15 V	-	3.6W（TA），100W（TC）
IRF7811WTRPBF	-	RFQ	4187	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					30 V	14A（TA）	4.5V	12MOHM @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±12V	2335 PF @ 16 V	-	3.1W（TA）
IPP062NE7N3G	1.0000	RFQ	3188	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					75 v	80A（TC）	10V	6.2MOHM @ 73A，10V	3.8V @ 70µA	55 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 37.5 V	-	136W（TC）
Auirfr4615trl	1.5729	RFQ	1422	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR4615		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
IRFSL4229PBF	-	RFQ	1257	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001567750	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					250 v	45A（TC）	10V	48mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IPD25CN10NGATMA1	1.4700	RFQ	1718年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD25CN10		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					100 v	35A（TC）	10V	25mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
IPS65R950C6AKMA1	1.1100	RFQ	150	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		IPS65R		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	37W（TC）
IRF5210STRR	-	RFQ	3312	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道					100 v	40a（TC）	10V	60mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1	355.4950	RFQ	5692	Infineon技术	-	托盘	积极的					FS13MR12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18
IRF9520NS	-	RFQ	6501	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9520NS	Ear99	8541.29.0095	50			P通道					100 v	6.8A（TC）	10V	480MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
AUIRF6215S	-	RFQ	5821	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
BC818K-40E6327	0.0400	RFQ	32	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					500兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,532																										25 v	500 MA						100NA（ICBO）			700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
IRG7CH73K10EF	-	RFQ	7728	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		IRG7CH	标准				死	下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1				600V，75A，4.7OHM，15V																					-	1200 v			1.6V @ 15V，20A	-	360 NC	63NS/267NS
IPD65R950CFDBTMA1	-	RFQ	3025	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ipd65r		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					650 v	3.9a（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 200µA	14.1 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 100 V	-	36.7W（TC）
IRAM336-025SB3	-	RFQ	9624	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	19-Powerssip模块，形成的线索	MOSFET							下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544658	Ear99	8542.39.0001	300	3期				2 a	500 v	-
IAUT300N08S5N014ATMA1	6.2900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		IAUT300		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					80 V	300A（DC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 230µA	187 NC @ 10 V	±20V	13178 PF @ 40 V	-	300W（TC）
IRG4BC15UD-STRL	-	RFQ	3556	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			标准		49 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IRG4BC15UDSTRL	Ear99	8541.29.0095	800				480V，7.8a，75ohm，15V																28 ns					-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	4171	Infineon技术	-	大部分	过时的					IPC60R						-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000857778	过时的	0000.00.0000	1									-
IDL08G65C 5XUMA1	-	RFQ	5916	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN		IDL08G65		SIC （碳化硅）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941312	Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v	1.7 V @ 8 A	0 ns	140 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	8a	250pf @ 1V，1MHz
IDFW80C65D1XKSA1	7.3700	RFQ	74	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3		IDFW80		标准			pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																650 v	1.7 V @ 40 A	73 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	74a	-
IRF7737L2TRPBF	-	RFQ	1548年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l6				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet L6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IRF7737L2TRPBFTR	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					40 V	（31a）（TA），156a （TC）	10V	1.9MOHM @ 94A，10V	4V @ 150µA	134 NC @ 10 V	±20V	5469 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），83W（tc）
FS100R17PE4BOSA1	274.5567	RFQ	1310	Infineon技术	Econopack™4	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS100R17			600 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																								沟渠场停止	1700 v	100 a		2.3V @ 15V，100a				1 MA	是的	9 nf @ 25 V
IRG4BC20U-S	-	RFQ	3417	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		60 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20U-S	Ear99	8541.29.0095	50				480V，6.5a，50ohm，15V																					-	600 v	16 a	52 a	2V @ 15V，9a	（100µJ）（在120µJ）上（120µJ）	27 NC	21NS/86NS
IRGPC40U	-	RFQ	4786	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		160 w		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																									-	600 v	40 a		3V @ 15V，20A
IRG4BC20FD-SPBF	-	RFQ	2778	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			标准		60 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20FD-SPBF	Ear99	8541.29.0095	50				480V，9a，50ohm，15V																37 ns					-	600 v	16 a	64 a	2V @ 15V，9a	（250µJ）（在640µJ上）	27 NC	43NS/240NS
IRFZ444 ESTRR	-	RFQ	6946	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FD200R65KF2-K	2.0000	RFQ	22	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					380000 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单菜器																								-	3600 v	200 a		4.9V @ 15V，200a				200 µA	不	28 NF @ 25 V
DD175N34KXPSA1	223.6333	RFQ	3345	Infineon技术	*	托盘	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-DD175N34KXPSA1			3
IRG4IBC20KDPBF	-	RFQ	9661	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IRG4IBC	标准		34 W		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				480V，9a，50ohm，15V																37 ns					-	600 v	11.5 a	23 a	2.8V @ 15V，9a	（340µJ）（300µJ（）	34 NC	54NS/180NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²