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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF7322D1TRPBF	-	RFQ	5725	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					20 v	5.3a（ta）	2.7V，4.5V	62MOHM @ 2.9a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	29 NC @ 4.5 V	±12V	780 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRF7811WTRPBF	-	RFQ	4187	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	14A（TA）	4.5V	12MOHM @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±12V	2335 PF @ 16 V	-	3.1W（TA）
IRLZ44ZSPBF	-	RFQ	2673	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	51A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IRF7811AVTRPBF	-	RFQ	3350	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a，4.5V	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF7413ZTRPBF	0.9100	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7413		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF7402TRPBF	-	RFQ	2329	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					20 v	6.8a（ta）	2.7V，4.5V	35MOHM @ 4.1A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRLL024NTRPBF	1.0000	RFQ	147	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL024		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	3.1a（ta）	4V，10V	65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
auxclfz24nstrl	-	RFQ	8412	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRF7473TRPBF	1.7100	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7473		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					100 v	6.9a（ta）	10V	26mohm @ 4.1A，10V	5.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
PTF140451E V1	-	RFQ	3738	Infineon技术	Goldmos®	托盘	在sic中停产	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线		1.5GHz	ldmos			H-30265-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			1µA	550 MA	45W	18db											-					28 V
IRF7422D2TRPBF	-	RFQ	6557	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					20 v	4.3a（ta）	2.7V，4.5V	90MOHM @ 2.2a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	610 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRFR2905ZTRPBF	1.3200	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR2905		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					55 v	42A（TC）	10V	14.5mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FP50R12N2T7B11BPSA1	116.1700	RFQ	8	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP50R12			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																	沟渠场停止	1200 v	50 a	1.5V @ 15V，50a		10 µA	是的	11.1 NF @ 25 V
AUIRF7478QTR	-	RFQ	5248	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522778	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					60 V	7a（ta）	4.5V，10V	26mohm @ 4.2A，10V	3V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±20V	1740 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSO4804T	-	RFQ	9227	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO4804		MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	8a		20mohm @ 8a，10v	2V @ 30µA	17NC @ 5V		870pf @ 25V	逻辑级别门
IPB50R250CPATMA1	-	RFQ	3251	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB50R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					550 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
IRFL4105TRPBF	1.0600	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL4105		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	3.7a（ta）	10V	45mohm @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFR1018EPBF	-	RFQ	9968	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					60 V	56A（TC）	10V	8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）
IPB180N03S4LH0ATMA1	-	RFQ	3335	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	180a（TC）	4.5V，10V	0.95MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 200µA	300 NC @ 10 V	±16V	23000 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPI80N06S3L-05	-	RFQ	9580	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					55 v	80A（TC）	5V，10V	4.8mohm @ 69a，10v	2.2V @ 115µA	273 NC @ 10 V	±16V	13060 pf @ 25 V	-	165W（TC）
FS770R08A6P2LBBPSA1	511.1183	RFQ	2751	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS770R08			654 w	标准	Ag-Hybridd-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																	沟渠场停止	750 v	450 a	1.35V @ 15V，450a		1 MA	是的	80 nf @ 50 V
IPA60R280CFD7XKSA1	2.9000	RFQ	9	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R280		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	6A（TC）	10V	280MOHM @ 3.6A，10V	4.5V @ 180µA	18 nc @ 10 V	±20V	807 PF @ 400 V	-	24W（TC）
SI4420DYPBF	-	RFQ	6014	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道					30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BFR 181T E6327	-	RFQ	8231	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BFR 181			175MW		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						19.5db													12V	20mA						NPN		50 @ 5mA，8v	8GHz	1.45db〜1.8dB @ 900MHz〜1.8GHz
IRL40S212	-	RFQ	5000	Infineon技术	strongirfet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL40		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 150µA	137 NC @ 4.5 V	±20V	8320 PF @ 25 V	-	231W（TC）
IRL8113LPBF	-	RFQ	9427	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
IRL5602SPBF	-	RFQ	9461	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道					20 v	24A（TC）	2.5V，4.5V	42mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±8V	1460 pf @ 15 V	-	75W（TC）
BCW61BE6327HTSA1	0.0529	RFQ	8915	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW61			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			32 v	100 ma			20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
64-4051	-	RFQ	2039	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRF8252TRPBF	-	RFQ	9720	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					25 v	25A（TA）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 V	±20V	5305 pf @ 13 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²