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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRG7PH42UDPBF	-	RFQ	2736	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		320 w			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001537274	Ear99	8541.29.0095	400					600V，30a，10ohm，15V																			153 ns						沟	1200 v	85 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
AUXTMGPS4070D1	-	RFQ	3650	Infineon技术	-	大部分	过时的	-			autxmgps	-						-			到达不受影响	448-AUXTMGPS4070D1	Ear99	8541.29.0095	1					-																									-				-	-		-
TD570N18KOFXPSA1	311.5650	RFQ	1048	Infineon技术	TD	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	2				300 MA												1.8 kV	1.05 ka	2 v	20000a @ 50Hz	250 MA	566 a								1 sc，1二极管
FD800R17KE3B2NOSA1	1.0000	RFQ	1173	Infineon技术	IHM-B	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FD800R17			5200 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器																													-	1700 v	1200 a		2.45V @ 15V，800A				5 ma	不	72 NF @ 25 V
FP10R06W1E3B11BOMA1	39.4800	RFQ	24	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP10R06			68 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																													沟渠场停止	600 v	16 a		2V @ 15V，10a				1 MA	是的	550 pf @ 25 V
FF900R17ME7PB11BPSA1	616.8400	RFQ	4607	Infineon技术	*	托盘	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6
BA89502VH6327XTSA1	-	RFQ	8613	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				BA89502VH							下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
TZ630N24KOFHPSA1	638.4700	RFQ	5725	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ630N24				单身的			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA												2.4 kV	1500 a	2 v	25.5a @ 50Hz	250 MA	955 a								1 scr
FS200R12KT4RBOSA1	333.9900	RFQ	1257	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS200R12			1000 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																													npt	1200 v	280 a		2.15V @ 15V，200a				1 MA	是的	14 NF @ 25 V
FP10R12W1T4B29BOMA1	43.5896	RFQ	4452	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的				FP10R12							-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响			0000.00.0000	24
STT1900N18P55XPSA1	627.7100	RFQ	5258	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	STT1900				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												1.8 kV		2 v	17000a @ 50Hz	200 ma									2 scr
IPA65R600E6	-	RFQ	8800	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	28W（TC）
FF600R12KE4BOSA1	313.6900	RFQ	1	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF600R12					标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																													沟渠场停止	1200 v	600 a		2.2V @ 15V，600A				5 ma	不	38 nf @ 25 V
T2851N52TS03XPSA1	-	RFQ	2970	Infineon技术	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF					单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA												5.2 kV	4680 a	2.5 v	82000a @ 50Hz	350 MA	4120 a								1 scr
STT1400N18P55XPSA1	513.5900	RFQ	3466	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	STT1400				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												1.8 kV		2 v	10500a @ 60Hz	200 ma									2 scr
IDV08E65D2XKSA1	1.2600	RFQ	1624年	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDV08E65		标准				TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				650 v	2.3 V @ 8 A	40 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	8a	-
BSC066N06NSATMA1	1.4800	RFQ	12	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC066		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			60 V	64A（TC）	6V，10V	6.6mohm @ 50a，10v	3.3V @ 20µA	21 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
BSS138N E6433	-	RFQ	3637	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道			60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IRFR1205TRPBF	1.6500	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1205		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRF3707ZSPBF	-	RFQ	4643	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRL3302pbf	-	RFQ	8123	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	39A（TC）	4.5V，7V	20mohm @ 23a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	31 NC @ 4.5 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRF7460TRPBF	-	RFQ	2592	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			20 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRFU6215	-	RFQ	6729	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU6215	Ear99	8541.29.0095	75			P通道			150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF7420TRPBF	-	RFQ	1830年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7420		MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道			12 v	11.5A（TC）	1.8V，4.5V	14mohm @ 11.5a，4.5V	900mv @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±8V	3529 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF7809AVTRPBF	1.5800	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7809		MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			30 V	13.3a（ta）	4.5V	9mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	62 NC @ 5 V	±12V	3780 pf @ 16 V	-	2.5W（TA）
IRFR4104TRPBF	1.7800	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4104		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7807VD2TRPBF	-	RFQ	5703	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TA）
IRF3711LPBF	-	RFQ	7955	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3711LPBF	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	110A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IRLZ44NPBF	1.5900	RFQ	20	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ44		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	47A（TC）	4V，10V	22mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IRF7464TRPBF	-	RFQ	9430	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			200 v	1.2A（TA）	10V	730mohm @ 720mA，10v	5.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²