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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DD350N08KHPSA1	-	RFQ	3991	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块			标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	800 v	350a	1.28 V @ 1000 A		30 ma @ 800 V	150°C
BB565	0.0500	RFQ	4656	Infineon技术	*	大部分	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BB565	Ear99	8541.10.0070	3,000
IRG7PH37K10D-EPBF	-	RFQ	5707	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		216 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549436	Ear99	8541.29.0095	25					600V，15a，10ohm，15V																					120 ns						-	1200 v	45 a	60 a	2.4V @ 15V，15a	1MJ（在）上，600µJ（600µJ）	135 NC	50NS/240NS
IPA65R190CFDXKSA2	4.0800	RFQ	461	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipa65r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IRLR3636TRLPBF	1.9600	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR3636		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
AUIRR3705Z	-	RFQ	2305	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519682	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
T360N24TOFXPSA1	-	RFQ	3491	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AA，A-PUK	T360N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												2.6 kV	550 a	2 v	5000a @ 50Hz	200 ma	360 a										1 scr
IPD380P06NMATMA1	2.3500	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD380		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			60 V	35A（TC）	10V	38mohm @ 35a，10v	4V @ 1.7mA	63 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	125W（TC）
IPSA70R900P7SAKMA1	0.8500	RFQ	4	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPSA70		MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			700 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 60µA	6.8 NC @ 400 V	±16V	211 PF @ 400 V	-	30.5W（TC）
IPI070N06N g	-	RFQ	6738	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI070N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			60 V	80A（TC）	10V	7mohm @ 80a，10v	4V @ 180µA	118 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 30 V	-	250W（TC）
IRF3546MTRPBF	-	RFQ	8084	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	41-PowerVFQFN	IRF3546		MOSFET （金属 o化物）	-			41-PQFN（6x8）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	4 n通道					25V	16A（TC），20A （TC）		3.9mohm @ 27a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1310pf @ 13V	逻辑级别门
IRF7450TR	-	RFQ	3639	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			200 v	2.5a（ta）	10V	170MOHM @ 1.5A，10V	5.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFH7936TR2PBF	-	RFQ	2429	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道			30 V	20A（20A），54A （TC）		4.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V		2360 pf @ 15 V	-
D721S45TPRXPSA1	-	RFQ	1926年	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	D721S45		标准				do-200 ac，k-puk	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					4500 v		3.5 V @ 2500 A		140 ma @ 4500 V	125°C	1080a	-
92-0065	-	RFQ	7957	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC	标准		160 w			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																-	600 v	60 a		1.5V @ 15V，31a
IPP110N20NAAKSA1	9.8100	RFQ	2	Infineon技术	OptimWatt™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP110		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	88A（TC）	10V	10.7MOHM @ 88A，10V	4V @ 270µA	87 NC @ 10 V	±20V	7100 PF @ 100 V	-	300W（TC）
IRF3711SPBF	-	RFQ	8155	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	110A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
BCR108SE6327BTSA1	-	RFQ	3550	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR108			250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50V	100mA						-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
Auirrr3915trl	-	RFQ	4634	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520744	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			55 v	30A（TC）		14mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	92 NC @ 10 V		1870 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRFR12N25DTRPBF	-	RFQ	2319	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001556902	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			250 v	14A（TC）	10V	260MOHM @ 8.4a，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	144W（TC）
IPN60R600P7SATMA1	0.9700	RFQ	3946	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN60R600		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	7W（TC）
BSO330N02KGFUMA1	-	RFQ	6817	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO330N02		MOSFET （金属 o化物）	1.4W			PG-DSO-8	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）					20V	5.4a		30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 20µA	4.9nc @ 4.5V		730pf @ 10V	逻辑级别门
F3L400R07ME4B22BOSA1	277.9700	RFQ	1048	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L400			1150 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																															沟渠场停止	650 v	450 a		1.95V @ 15V，400A					是的	26 NF @ 25 V
BUZ355	-	RFQ	8673	Infineon技术	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4
IRLR3714PBF	-	RFQ	5691	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001578840	Ear99	8541.29.0095	75			n通道			20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
SN7002NE6327	-	RFQ	4665	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道			60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
2SP0115T2B060017E4NPSA1	-	RFQ	7969	Infineon技术	-	托盘	过时的											-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
FS100R12W2T7BOMA1	99.1800	RFQ	18	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS100R12			20兆		标准	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																															沟渠场停止	1200 v	70 a		-				9 µA	是的	21.7 NF @ 25 V
irlr2905ztrpbf	1.1300	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR2905		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IKQ150N65EH7XKSA1	14.6900	RFQ	240	Infineon技术	-	管子	积极的											下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²