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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPD50R650CEBTMA1	-	RFQ	9428	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			500 v	6.1A（TC）	13V	650MOHM @ 1.8A，13V	3.5V @ 150µA	15 NC @ 10 V	±20V	342 PF @ 100 V	-	47W（TC）
FS150R07N3E4_B11	182.3800	RFQ	68	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				430 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器																沟渠场停止	650 v	150 a		1.95V @ 15V，150a						1 MA	是的	9.3 NF @ 25 V
BSM50GB120DLCHOSA1	-	RFQ	1688年	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G			460 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																-	1200 v	115 a		2.6V @ 15V，50a						5 ma	不	3.3 NF @ 25 V
IPA50R199CPXKSA1	2.4531	RFQ	7110	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R199		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			500 v	17a（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	45 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IKW40N65ES5XKSA1	6.0900	RFQ	9550	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N65	标准		230 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V											73 ns		沟	650 v	79 a	160 a	1.7V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	95 NC	19NS/130NS
IPI200N25N3GAKSA1	-	RFQ	8746	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI200		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			250 v	64A（TC）	10V	20mohm @ 64a，10v	4V @ 270µA	86 NC @ 10 V	±20V	7100 PF @ 100 V	-	300W（TC）
FF450R07ME4B11BPSA1	209.5800	RFQ	10	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R07			1450 w	标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																沟渠场停止	650 v	560 a		1.95V @ 15V，450a						1 MA	是的	27.5 nf @ 25 V
BSL316CH6327XTSA1	0.5900	RFQ	9225	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL316		MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补				30V	1.4a，1.5a		160MOHM @ 1.4A，10V	2V @ 3.7µA	0.6NC @ 5V		282pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IPDQ65R029CFD7AXTMA1	10.1322	RFQ	3239	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				750
BFN26E6327	1.0000	RFQ	2428	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				360兆w		PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		300 v	200 ma								100NA（ICBO）				500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz
BSM15GD120DN2BOSA1	82.8670	RFQ	1306	Infineon技术	-	托盘	上次购买	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM15GD120			145 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																-	1200 v	25 a		3V @ 15V，15a						500 µA	不	100 pf @ 25 V
FP25R12W2T7BPSA1	61.1600	RFQ	30	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP25R12			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																沟渠场停止	1200 v	25 a		-						5.6 µA	是的	4.77 NF @ 25 V
FZ1200R12HP4HOSA2	637.5500	RFQ	2	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1200			7150 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																沟	1200 v	1790 a		2.05V @ 15V，1200A						5 ma	不	74 NF @ 25 V
IPB05N03LAT	-	RFQ	9251	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB05N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			25 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 55a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IRG4RC10SD	-	RFQ	9939	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4RC10SD	Ear99	8541.29.0095	75				480V，8A，100OHM，15V											28 ns		-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
IGC41T120T8QX7SA2	-	RFQ	5197	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的				IGC41T120	标准					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IGC41T120T8Q	Ear99	8541.29.0095	1				-													沟渠场停止	1200 v		120 a	2.42V @ 15V，40a	-		-
BA592E6327HTSA1	0.5000	RFQ	3	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323	BA592E6327					PG-SOD323-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			100 ma													1.1pf @ 3V，1MHz									标准 -单个	35V				500MOHM @ 10mA，100MHz
SPI10N10	-	RFQ	2229	Infineon技术	Sipmos®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI10N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			100 v	10.3A（TC）	10V	170MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 21µA	19.4 NC @ 10 V	±20V	426 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FZ800R12KL4CNOSA1	789.6800	RFQ	102	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				5700 w	标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																-	1200 v	1300 a		2.6V @ 15V，800A						5 ma	不	56 NF @ 25 V
IGC99T120T8RLX1SA3	-	RFQ	1789年	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	IGC99T120	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-													沟渠场停止	1200 v		300 a	1.97V @ 15V，100a	-		-
IRLR3802TRLPBF	-	RFQ	5022	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			12 v	84A（TC）	2.8V，4.5V	8.5mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 pf @ 6 V	-	88W（TC）
IQFH39N04NM6ATMA1	3.6300	RFQ	1425	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件			448-IQFH39N04NM6ATMA1TR			3,000
AUIRF7343QTR	-	RFQ	4442	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7343		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道				55V	4.7a，3.4a		50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	逻辑级别门
IPA60R180C7	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	9A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	29W（TC）
BC818-40WE6327	0.0200	RFQ	24	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				500兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	15,000																		25 v	500 MA								100NA（ICBO）				700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
FZ1800R16KF4S1NOSA1	1.0000	RFQ	4921	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
BTS244Z	1.8100	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	过时的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IPB22N03S4L-15ATMA1	-	RFQ	6832	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.6mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
IPG20N06S2L35AATMA1	1.2800	RFQ	5813	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	65W		PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				55V	20A（TC）		35mohm @ 15a，10v	2V @ 27µA	23nc @ 10V		790pf @ 25V	逻辑级别门
FZ1200R12KE3NOSA1	822.1000	RFQ	58	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				5600 w	标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																-	1200 v	1700 a		2.15V @ 15V，1.2KA						5 ma	不	86 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²