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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IPAW60R600P7SE8228XKSA1	0.7002	RFQ	6605	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipaw60		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道			600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	21W（TC）
IPB65R110CFDATMA2	6.8400	RFQ	2447	Infineon技术	CoolMos™CFD2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R110		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
IPB80R290C3AATMA2	6.7500	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	3.9V @ 1mA	117 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IPD06P002NATMA1	-	RFQ	8932	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001659626	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			60 V	35A（TC）	10V	38mohm @ 35a，10v	4V @ 1.7mA	63 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	125W（TC）
IPD60R600P7SE8228AUMA1	0.8800	RFQ	2	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	30W（TC）
IPL65R165CFDAUMA2	2.4916	RFQ	3744	Infineon技术	CoolMos™CFD2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R		MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			650 v	21.3a（TC）	10V	165mohm @ 9.3a，10v	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	（195W）（TC）
IPP65R110CFDXKSA2	6.8400	RFQ	7298	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R110		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
IPP65R310CFDXKSA2	2.7800	RFQ	4861	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R310		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 400µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
IRFP460pbf	-	RFQ	3579	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道			500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRFR420TRPBF	-	RFQ	5226	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420		MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
TD390N16SOFHPSA1	107.0600	RFQ	3	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	底盘安装	模块	TD390N16				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				150 ma												1.6 kV	520 a	2 v	9500A @ 50Hz	150 ma	380 a							1 sc，1二极管
IDD15E60BUMA1	-	RFQ	6467	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD15E60		标准				pg-to252-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000065684	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				600 v	2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	29.2a
DF11MR12W1M1B11BPSA1	-	RFQ	2549	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF11MR12		（SIC）	20mw			Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP003094734	Ear99	8541.21.0095	24	2 n 通道（双）					1200V（1.2kV）	50a（TJ）		22.5mohm @ 50a，15v	5.55V @ 20mA	124nc @ 15V		3680pf @ 800V	-
DF23MR12W1M1B11BPSA1	85.2300	RFQ	12	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF23MR12		（SIC）	20mw			Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP003094744	Ear99	8541.21.0095	24	2 n 通道（双）					1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v（typ（typ））	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
BSZ011NE2LS5IATMA1	3.1900	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ011		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	35A（TA），40A （TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	3400 PF @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
AIKB40N65DF5ATMA1	5.4900	RFQ	1958年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AIKB40	标准					pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					-																								npt	650 v	40 a	-	-	-
BSC155N06NDATMA1	1.5500	RFQ	5754	Infineon技术	Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC155		MOSFET （金属 o化物）	50W（TC）			PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）					60V	20A（TC）		15.5mohm @ 17a，10v	4V @ 20µA	29nc @ 10V		2250pf @ 30V	-
IAUC90N10S5N062ATMA1	2.7800	RFQ	13	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC90		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			100 v	90A（TC）	6V，10V	6.2MOHM @ 45A，10V	3.8V @ 59µA	36 NC @ 10 V	±20V	3275 PF @ 50 V	-	115W（TC）
IPA60R160P7XKSA1	3.8000	RFQ	420	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	20A（TC）	10V	160MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 350µA	31 NC @ 10 V	±20V	1317 PF @ 400 V	-	26W（TC）
FZ1500R33HE3C1NPSA1	-	RFQ	7581	Infineon技术	IHM-B	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1500			2400000 w		标准	AG-IHVB190-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥																												沟渠场停止	3300 v	1500 a	3.1V @ 15V，1.5KA			5 ma	不	280 NF @ 25 V
FS450R17OP4PBOSA1	889.2150	RFQ	6560	Infineon技术	Econopack™+	托盘	积极的	-			FS450R17					-		下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	-																												-			-
IPLK80R750P7ATMA1	1.7100	RFQ	6393	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK80		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			-			800 v	-	-	-	-		±20V		-	-
IPZA60R024P7XKSA1	17.7100	RFQ	6584	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZA60		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道			600 v	101A（TC）	10V	24mohm @ 42a，10v	4V @ 2.03mA	164 NC @ 10 V	±20V	7144 PF @ 400 V	-	291W（TC）
IPP60R360CFD7XKSA1	3.2300	RFQ	8177	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	IPP60R360		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-			600 v	-	-	-	-		±20V		-	-
F4100R17N3E4BPSA1	217.5700	RFQ	7753	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-			F4100					-		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	-																												-			-
AIGB30N65H5ATMA1	3.8600	RFQ	3223	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AIGB30	标准					pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					-																								npt	650 v	30 a	-	-	-
IPP60R160P7XKSA1	3.8000	RFQ	527	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R160		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	20A（TC）	10V	160MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 350µA	31 NC @ 10 V	±20V	1317 PF @ 400 V	-	81W（TC）
AIKB50N65DF5ATMA1	6.3600	RFQ	4053	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Aikb50	标准					pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					-																								npt	650 v	50 a	-	-	-
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	RFQ	1139	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ009		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	39a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	900mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±16V	5500 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
BSZ063N04LS6ATMA1	1.2400	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ063		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			40 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），38W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²