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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
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IRFS52N15DTRRP	-	RFQ	8720	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS52		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		150 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 36a，10v	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2770 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），230W（TC）
IRLR9343TRLPBF	-	RFQ	2497	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001567302	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		55 v	20A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
irfr3911trlpbf	-	RFQ	3802	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		100 v	14A（TC）	10V	115MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	56W（TC）
IRF3808STRRPBF	-	RFQ	9626	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570154	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRLR7807ZTRRPBF	-	RFQ	7573	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
irlr3715ztrrpbf	-	RFQ	2279	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	n通道		20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
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IRFR6215TRLPBF	1.6400	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR6215		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
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IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	4771	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572838	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
IRLR3717TRRPBF	-	RFQ	8867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001569116	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		20 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±20V	2830 pf @ 10 V	-	89W（TC）
irlr2905ztrlpbf	-	RFQ	9723	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFR2407TRLPBF	-	RFQ	2449	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR2407		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRG4RC10SDTRLP	-	RFQ	8521	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		480V，8A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
IRG4RC10SDTRRP	-	RFQ	9599	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540522	Ear99	8541.29.0095	3,000		480V，8A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
irfr1010ztrlpbf	0.7149	RFQ	8864	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1010		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564960	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRLR7843TRLPBF	1.6200	RFQ	38	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR7843		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IRFR4105TRLPBF	-	RFQ	5675	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4105		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		55 v	27a（TC）	10V	45mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRFR4104TRRPBF	-	RFQ	1464	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4104		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
irfr3710ztrrpbf	-	RFQ	5763	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001567124	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		100 v	42A（TC）	10V	18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRLR7833CTRLPBF	-	RFQ	9565	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	140a（ta）	4.5V，10V	-	-		±20V		-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²