电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | P3M173K0F3 | 5.0800 | ![]() | 8624 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220F-2 | sicfet (碳化硅) | TO-220F-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M173K0F3 | 1 | n通道 | 1700 v | 1.97a | 15V | 3.6ohm @ 0.25a,15v | 2.2V @ 1.5mA tovice(typ) | +19V,-8V | - | 19w | |||||||||||
![]() | P3M06060G7 | 10.3800 | ![]() | 7390 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | sicfet (碳化硅) | D2PAK-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06060G7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 650 v | 44a | 15V | 79mohm @ 20a,15v | 2.2V @ 20mA(typ) | +20V,-8V | - | 159W | |||||||||
![]() | P3M06025K4 | 15.9000 | ![]() | 5048 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06025K4 | 1 | n通道 | 650 v | 97a | 15V | 34mohm @ 50a,15v | 2.2V @ 50mA ty(typ) | +20V,-8V | - | 326W | |||||||||||
![]() | P3M06300K3 | 4.9800 | ![]() | 3261 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06300K3 | 1 | n通道 | 650 v | 9a | 15V | 500MOHM @ 4.5A,15V | 2.2V @ 5mA ty(typ) | 904 NC @ 15 V | +20V,-8V | 338 PF @ 400 V | - | 38W | |||||||||
![]() | P3D12040K2 | 18.7200 | ![]() | 1468 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12040K2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 93a | ||||||||||||||||
![]() | P3M12080K3 | 11.9000 | ![]() | 1973 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M12080K3 | 1 | n通道 | 1200 v | 47a | 15V | 96mohm @ 20a,15v | 2.4V @ 5mA tovice(typ) | +21V,-8V | - | 221W | |||||||||||
![]() | P3D06016K3 | 7.7800 | ![]() | 2736 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06016K3 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 36 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 64a | ||||||||||||||||
![]() | P3D12010K2 | 6.5400 | ![]() | 7474 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12010K2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 31a | ||||||||||||||||
![]() | P3D06010I2 | 4.1600 | ![]() | 8136 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220I-2 | SIC (碳化硅) | TO-220I-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06010I2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 26a | ||||||||||||||||
![]() | P3D12005T2 | 4.5000 | ![]() | 9356 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12005T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 21a | ||||||||||||||||
![]() | P3D12030K3 | 14.9200 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12030K3 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 94a | ||||||||||||||||
![]() | P3D12010T2 | 6.5400 | ![]() | 6876 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12010T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 31a | ||||||||||||||||
![]() | P3M06060T3 | 10.3800 | ![]() | 8146 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-2 | sicfet (碳化硅) | TO-220-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06060T3 | 1 | n通道 | 650 v | 46a | 15V | 79mohm @ 20a,15v | 2.2V @ 20mA(typ) | +20V,-8V | - | 170W | |||||||||||
![]() | P3D12040K3 | 18.7200 | ![]() | 4655 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12040K3 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 92a | ||||||||||||||||
![]() | P3M17040K3 | 35.8600 | ![]() | 3652 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M17040K3 | 1 | n通道 | 1700 v | 73a | 15V | 60mohm @ 50a,15v | 2.2V @ 50mA ty(typ) | +19V,-8V | - | 536W | |||||||||||
![]() | P3D06006E2 | 2.5000 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-252-2 | SIC (碳化硅) | TO-252-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06006E2TR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 30 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 18a | ||||||||||||||||
![]() | P3M171K0T3 | 6.1000 | ![]() | 9441 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-2 | sicfet (碳化硅) | TO-220-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M171K0T3 | 1 | n通道 | 1700 v | 6a | 15V | 1.4OHM @ 2A,15V | 2.2V @ 2mA tovice(typ) | +19V,-8V | - | 100W | |||||||||||
![]() | P3D06016GS | 7.7800 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-263S | SIC (碳化硅) | TO-263S | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06016GSTR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 45 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 40a | ||||||||||||||||
![]() | P3D06008T2 | 3.3300 | ![]() | 7218 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06008T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 36 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 26a | ||||||||||||||||
![]() | P3D06008G2 | 3.3300 | ![]() | 6822 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-263-2 | SIC (碳化硅) | TO-263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06008G2TR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 36 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 26a | ||||||||||||||||
![]() | P3M06060L8 | 10.3800 | ![]() | 5762 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | sicfet (碳化硅) | 收费 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06060L8TR | 1 | n通道 | 650 v | 40a | 15V | 79mohm @ 20a,15v | 2.4V @ 5mA tovice(typ) | +20V,-8V | - | 188W | ||||||||||||
![]() | P3D12015K2 | 10.8700 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12015K2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 40a | ||||||||||||||||
![]() | P3M06040K4 | 12.1700 | ![]() | 2233 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06040K4 | 1 | n通道 | 650 v | 68a | 15V | 50mohm @ 40a,15v | 2.4V @ 7.5mA ty(typ) | +20V,-8V | - | 254W | |||||||||||
![]() | P3D12010G2 | 6.5400 | ![]() | 7423 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-263-2 | SIC (碳化硅) | TO-263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12010G2TR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 33a | ||||||||||||||||
![]() | P3D06010T2 | 4.1600 | ![]() | 7698 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06010T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 30a | ||||||||||||||||
![]() | P3M06300D5 | 4.9800 | ![]() | 4032 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DFN5*6 | sicfet (碳化硅) | DFN5*6 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06300D5TR | 1 | n通道 | 650 v | 9a | 15V | 500MOHM @ 4.5A,15V | 2.2V @ 5mA | +20V,-8V | - | 26W | |||||||||||
![]() | P3D06020K3 | 8.8400 | ![]() | 2386 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06020K3 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 82a |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库