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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | P3D06004G2 | 2.1000 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-263-2 | SIC (碳化硅) | TO-263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06004G2TR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 14a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D12020K2 | 12.4100 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12020K2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 51a | |||||||||||||||||||||
![]() | PAA12400BM3 | 882.3600 | ![]() | 3564 | 0.00000000 | PN连接半导体 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | PAA12400 | (SIC) | - | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-PAA12400BM3 | 1 | 2 n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 350a | 7.3MOHM @ 300A,20V | 5V @ 100mA | - | 29.5pf @ 1000V | - | |||||||||||||||
![]() | P3M12040K4 | 20.9800 | ![]() | 2699 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M12040K4 | 1 | n通道 | 1200 v | 63a | 15V | 48mohm @ 40a,15v | 2.2V @ 40mA to(typ) | +21V,-8V | - | 349W | ||||||||||||||||
![]() | P3D12010K3 | 6.5400 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12010K3 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 46a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06020I2 | 8.8400 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220I-2 | SIC (碳化硅) | TO-220I-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06020I2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 35a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D12005K2 | 4.5000 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12005K2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 23a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D12020K3 | 12.4100 | ![]() | 1272 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12020K3 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 70a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M171K2K3 | 5.5900 | ![]() | 2230 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M171K2K3 | 1 | n通道 | 1700 v | 6a | 15V | 1.4OHM @ 2A,15V | 2.2V @ 2mA tovice(typ) | +19V,-8V | - | 68W | ||||||||||||||||
![]() | P3D06002T2 | 2.1000 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06002T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M07013K4 | 33.9000 | ![]() | 4850 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M07013K4 | 1 | n通道 | 750 v | 140a | 15V | 16mohm @ 75a,15v | 2.2V @ 75mA ty(typ) | +19V,-8V | - | 428W | ||||||||||||||||
![]() | P3M12017K4 | 39.7500 | ![]() | 7138 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M12017K4 | 1 | n通道 | 1200 v | 151a | 15V | 24mohm @ 75a,15v | 2.5V @ 75mA ty(typ) | +25V,-10V | - | 789W | ||||||||||||||||
![]() | P3M12080K4 | 11.9000 | ![]() | 9034 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M12080K4 | 1 | n通道 | 1200 v | 47a | 15V | 96mohm @ 20a,15v | 2.4V @ 5mA tovice(typ) | +21V,-8V | - | 221W | ||||||||||||||||
![]() | P3D06008E2 | 3.3300 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-252-2 | SIC (碳化硅) | TO-252-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06008E2TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 36 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 22a | |||||||||||||||||||
![]() | P3M12080G7 | 11.9000 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | sicfet (碳化硅) | D2PAK-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M12080G7TR | 1 | n通道 | 1200 v | 32a | 15V | 96mohm @ 20a,15v | 2.2V @ 30mA((typ) | +19V,-8V | - | 136W | ||||||||||||||||
![]() | P3M12040K3 | 20.9800 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M12040K3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1200 v | 63a | 15V | 48mohm @ 40a,15v | 2.2V @ 40mA to(typ) | +21V,-8V | - | 349W | ||||||||||||||
![]() | P3M06120K3 | 9.0500 | ![]() | 6996 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06120K3 | 1 | n通道 | 650 v | 27a | 15V | 158mohm @ 10a,15v | 2.2V @ 5mA | +20V,-8V | - | 131W | ||||||||||||||||
![]() | P3D06020T2 | 8.8400 | ![]() | 2609 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | - | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06020T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 45a | 904pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | P3D06006T2 | 2.5000 | ![]() | 2115 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06006T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 30 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 23a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D12020G2 | 12.4100 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-263-2 | SIC (碳化硅) | TO-263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12020G2TR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 49a | |||||||||||||||||||||
![]() | P1H06300D8 | 4.9800 | ![]() | 7689 | 0.00000000 | PN连接半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | ganfet(n化岩) | DFN8*8 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P1H06300D8TR | 1 | n通道 | 650 v | 10a | 6V | - | +10V,-20V | - | 55.5W | ||||||||||||||||||
![]() | P3M06120K4 | 9.0500 | ![]() | 2705 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06120K4 | 1 | n通道 | 650 v | 27a | 15V | 158mohm @ 10a,15v | 2.2V @ 5mA | +20V,-8V | - | 131W | ||||||||||||||||
![]() | P3D06008F2 | 3.3300 | ![]() | 6959 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220F-2 | SIC (碳化硅) | TO-220F-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06008F2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 36 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 18a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M06300T3 | 4.9800 | ![]() | 7695 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-2 | sicfet (碳化硅) | TO-220-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06300T3 | 1 | n通道 | 650 v | 9a | 15V | 500MOHM @ 4.5A,15V | 2.2V @ 5mA | +20V,-8V | - | 35W | ||||||||||||||||
![]() | P3D06010F2 | 4.1600 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220F-2 | SIC (碳化硅) | TO-220F-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06010F2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 21a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M173K0T3 | 5.0800 | ![]() | 8943 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-2 | sicfet (碳化硅) | TO-220-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M173K0T3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1700 v | 4a | 15V | 2.6ohm @ 600mA,15v | 2.2V @ 600µA(typ) | +19V,-8V | - | 75W | ||||||||||||||
![]() | P3D12020GS | 12.4100 | ![]() | 9668 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-263S | SIC (碳化硅) | TO-263S | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D12020GSTR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 50a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06010E2 | 4.1600 | ![]() | 8153 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-252-2 | SIC (碳化硅) | TO-252-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06010E2TR | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 44 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 28a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M06060K3 | 10.3800 | ![]() | 9755 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06060K3 | 1 | n通道 | 650 v | 48a | 15V | 79mohm @ 20a,15v | 2.2V @ 20mA(typ) | +20V,-8V | - | 188W | ||||||||||||||||
![]() | P3M06300D8 | 4.9800 | ![]() | 7160 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3M | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DFN8*8 | sicfet (碳化硅) | DFN8*8 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3M06300D8TR | 1 | n通道 | 650 v | 9a | 15V | 500MOHM @ 4.5A,15V | 2.2V @ 5mA | +20V,-8V | - | 32W |
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