分立半导体产品(87)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	Vgs（最大）	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)
P3M173K0T3	5.0800	询价	8943	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-2	SiCFET（碳化硅）	TO-220-2L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M173K0T3	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1700伏	4A	15V	2.6欧姆@600mA，15V	2.2V@600μA（典型值）	+19V，-8V	-	75W
P3M06040K3	12.1700	询价	2030年	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	SiCFET（碳化硅）	TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06040K3	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	650伏	68A	15V	50毫欧@40A，15V	2.4V@7.5mA（典型值）	+20V、-8V	-	254W
P3D06004E2	2.1000	询价	8434	PN结半导体	P3D	卷带式 (TR)	的积极			TO-252-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06004E2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	12A
P3D06006I2	2.5000	询价	8790	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220I-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220I-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06006I2			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为30μA	-55℃～175℃	18A
P3M06300D8	4.9800	询价	7160	PN结半导体	P3M	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	DFN8*8	SiCFET（碳化硅）	DFN8*8	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06300D8TR			1		N沟道	650伏	9A	15V	500mOhm@4.5A，15V	2.2V@5mA	+20V、-8V	-	32W
P3D12005E2	4.5000	询价	1816	PN结半导体	P3D	卷带式 (TR)	的积极			TO-252-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D12005E2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										1200伏	0纳秒	650V时为44μA	-55℃～175℃	19A
P3M12160K4	8.8300	询价	9289	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	SiCFET（碳化硅）	TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12160K4			1		N沟道	1200伏	19A	15V	192毫欧@10A，15V	2.4V@2.5mA（典型值）	+21V、-8V	-	110W
P3D06008F2	3.3300	询价	6959	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220F-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220F-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06008F2			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为36μA	-55℃～175℃	18A
P3D06010G2	4.1600	询价	5972	PN结半导体	P3D	卷带式 (TR)	的积极			TO-263-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06010G2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为44μA	-55℃～175℃	30A
P3D06008I2	3.3300	询价	4460	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220I-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220I-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06008I2			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为36μA	-55℃～175℃	21A
P3D06006F2	2.5000	询价	2548	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220F-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220F-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06006F2			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为30μA	-55℃～175℃	15A
P3M17040K4	35.8600	询价	4762	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	SiCFET（碳化硅）	TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M17040K4			1		N沟道	1700伏	73A	15V	60毫欧@50A，15V	2.2V@50mA（典型值）	+19V，-8V	-	536W
P3D06010E2	4.1600	询价	8153	PN结半导体	P3D	卷带式 (TR)	的积极			TO-252-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06010E2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为44μA	-55℃～175℃	28A
P3D06040K3	13.8400	询价	2820	PN结半导体	P6D	管子	的积极			TO-247-3	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06040K3			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为100μA	-55℃～175℃	106A
P3D06004T2	2.1000	询价	2096	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06004T2			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	15A
P3D06020P3	8.8400	询价	6681	PN结半导体	P3D	管子	的积极				SiC（碳化硅）肖特基	TO-3PF-3	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06020P3			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为44μA	-55℃～175℃	40A
P3M171K0G7	6.1000	询价	7429	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	SiCFET（碳化硅）	D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M171K0G7	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1700伏	7A	15V	1.4欧姆@2A，15V	2.2V@2mA（典型值）	+19V，-8V	-	100W
P3M06060K3	10.3800	询价	9755	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	SiCFET（碳化硅）	TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06060K3			1		N沟道	650伏	48A	15V	79毫欧@20A，15V	2.2V@20mA（典型值）	+20V、-8V	-	188W
P3M12160K3	8.8300	询价	8824	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	SiCFET（碳化硅）	TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12160K3	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1200伏	19A	15V	192毫欧@10A，15V	2.4V@2.5mA（典型值）	+21V、-8V	-	110W
P3D06010F2	4.1600	询价	5570	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220F-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220F-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06010F2			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为44μA	-55℃～175℃	21A
P3M12025K3	28.7400	询价	2069	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	SiCFET（碳化硅）	TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12025K3			1		N沟道	1200伏	113A	15V	35毫欧@50A，15V	2.4V@17.7mA（典型值）	+21V，-10V	-	524W
P6D12002E2	2.6900	询价	9835	PN结半导体	P6D	卷带式 (TR)	的积极			TO-252-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P6D12002E2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										1200伏	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	8A
P3M06060K4	10.3800	询价	7995	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	SiCFET（碳化硅）	TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06060K4			1		N沟道	650伏	48A	15V	79毫欧@20A，15V	2.4V@5mA（典型值）	+20V、-8V	-	188W
P3D06002G2	2.1000	询价	4224	PN结半导体	P3D	卷带式 (TR)	的积极			TO-263-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06002G2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为10μA	-55℃～175℃	7A
P3D06020F2	8.8400	询价	7762	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220F-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220F-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06020F2			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	29A
P3D12040K3	18.7200	询价	4655	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-247-3	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D12040K3			1	无恢复T>500mA(Io)										1200伏	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	92A
P3D12005T2	4.5000	询价	9356	PN结半导体	P3D	管子	的积极			TO-220-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D12005T2			1	无恢复T>500mA(Io)										1200伏	0纳秒	650V时为44μA	-55℃～175℃	21A
P3D12010G2	6.5400	询价	7423	PN结半导体	P3D	卷带式 (TR)	的积极			TO-263-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-263-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D12010G2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										1200伏	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	33A
P3M06060T3	10.3800	询价	8146	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-2	SiCFET（碳化硅）	TO-220-2L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06060T3			1		N沟道	650伏	46A	15V	79毫欧@20A，15V	2.2V@20mA（典型值）	+20V、-8V	-	170W
P3D06002E2	0.9100	询价	5306	PN结半导体	P3D	卷带式 (TR)	的积极			TO-252-2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3D06002E2TR			1	无恢复T>500mA(Io)										650伏	0纳秒	650V时为10μA	-55℃～175℃	9A

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(87)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²