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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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![]() | 1N1189 | 7.4730 | ![]() | 1109 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1189 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1189GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||||||||||||||
GB20SLT12-247 | - | ![]() | 1966年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | GB20SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 2V@20A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 20A | 968pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT50035 | - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | G3R160MT17J | 12.9800 | ![]() | 1161 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G3R160 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R160MT17J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 1700伏 | 22A(温度) | 15V | 208毫欧@12A,15V | 2.7V@5mA | 51nC@15V | ±15V | 1272pF@1000V | - | 187W(温度) | ||||||||||||||
![]() | MBR8060R | 1985年22月 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR8060 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@80安 | 1毫安@60伏 | -55℃~160℃ | 80A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GD2X60MPS06N | 40.4900 | ![]() | 第585章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 1(无限制) | 1242-GD2X60MPS06N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 70A(直流) | 1.8V@60A | 0纳秒 | 650V时为10μA | -55℃~175℃ | |||||||||||||||||||
![]() | S150JR | 35.5695 | ![]() | 1323 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | S150 | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S150JRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -65℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MURT40020 | 132.0780 | ![]() | 9233 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT40020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 200A | 1.3V@200A | 125纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | 毛里求斯2510 | 10.1910 | ![]() | 2130 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1099 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@25A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||||||||||||||||
KBPC2502T | 2.2995 | ![]() | 3310 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC2502 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@200V | 25A | 单相 | 200V | ||||||||||||||||||||||
![]() | GB05SLT12-252 | - | ![]() | 9808 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GB05SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 5A | 260pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | G2R1000MT33J | 18.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G2R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G2R1000 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G2R1000MT33J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 3300伏 | 4A(温度) | 20V | 1.2欧姆@2A,20V | 3.5V@2mA | 21nC@20V | +20V,-5V | 1000V时为238pF | - | 74W(温度) | ||||||||||||||
![]() | MBR8060 | 21.1680 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@80安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 国标6D | 0.6645 | ![]() | 第1569章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标6 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ6D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@3A | 5μA@200V | 6A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔20005CTR | - | ![]() | 1360 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR20005CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FST8345M | - | ![]() | 2024年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 80A(直流) | 650毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | KBU1004 | 0.8205 | ![]() | 9721 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBU1004GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05V@10A | 400V时为10μA | 10A | 单相 | 400V | |||||||||||||||||||||
1N3881 | 7.1300 | ![]() | 第573章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3881 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1070 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为15μA | -65℃~150℃ | 6A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF30040R | - | ![]() | 6150 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3004 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 150A | 700毫伏@150安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | GBPC50005T | 4.0155 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC50005 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 5μA@50V | 50A | 单相 | 50V | |||||||||||||||||||||
![]() | FR16B05 | 8.1330 | ![]() | 5774 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||||||||||||||||
KBPC3510T | 2.4750 | ![]() | 6256 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC3510 | 标准 | KBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 1000V时为5μA | 35A | 单相 | 1kV | ||||||||||||||||||||||
![]() | FST8380SM | - | ![]() | 6753 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3SM | 肖特基 | D61-3SM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | FST8380SMGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 80A(直流) | 840毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT300200 | 107.3070 | ![]() | 7152 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 150A | 920毫伏@150安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | FR16BR02 | 8.5020 | ![]() | 5034 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 900毫伏@16安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF50045 | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR35100 | 14.3280 | ![]() | 8144 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 肖特基 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR35100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 840 毫伏 @ 35 安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 35A | - | ||||||||||||||||||||
GBL02 | 2.9400 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBL | 标准 | GBL | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@200V | 4A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3293A | 33.5805 | ![]() | 2493 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3293 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3293AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.5V@100A | 17毫安@600伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR2X050A150 | 43.6545 | ![]() | 4549 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 150伏 | 50A | 880毫伏@50安 | 3毫安@150伏 | -40℃~150℃ |
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