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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f
Murta60060r	188.1435	RFQ	1786年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta60060	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		murta60060rgn	Ear99	8541.10.0080	24	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	600 v	300A	1.7 V @ 300 A	280 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBRT500100R	-	RFQ	5065	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRT500100RGN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	100 v	250a	880 mv @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBR7580	20.8845	RFQ	8966	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR7580GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													80 V		840 mv @ 75 A		1 mA @ 80 V	-55°C〜150°C	75a	-
GA01PNS80-220	349.8000	RFQ	6920	基因半导体	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）		轴向	GA01PNS80		-	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1259	Ear99	8541.10.0080	10			2 a																		4pf @ 1000V，1MHz	PIN-单	8000V	-
GA10SICP12-263	29.3250	RFQ	9279	基因半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	GA10SICP12	SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		-		1200 v	25A（TC）	-	100mohm @ 10a	-	-	1403 PF @ 800 V	-	170W（TC）
MBRF200200	-	RFQ	2768	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	100a	920 MV @ 100 A		1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
MBRT40020R	118.4160	RFQ	7892	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MBRT40020	肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRT40020RGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	20 v	200a	750 MV @ 200 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
S12B	6.3300	RFQ	82	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-
MBR30040CTRL	-	RFQ	1110	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	双子塔		肖特基	双子塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	40 V	150a	600 MV @ 150 A		3 ma @ 40 V	-55°C〜150°C
MUR40005CT	-	RFQ	2519	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	双子塔		标准	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR40005CTGN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	50 V	200a	1.3 V @ 125 A	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
GD10MPS12E	3.8000	RFQ	5455	基因半导体	Sic Schottky MPS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SIC （碳化硅）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.8 V @ 10 A	0 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	29a	367pf @ 1V，1MHz
GBPC5002W	4.0155	RFQ	1771年	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC5002	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.2 V @ 25 A		5 µA @ 200 V		50 a		单相	200 v
1N4590	35.5695	RFQ	3928	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N4590	标准	DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1N4590GN	Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1.5 V @ 150 A		9 ma @ 400 V	-60°C 〜200°C	150a	-
1N1189	7.4730	RFQ	1109	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1189	标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1N1189GN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.2 V @ 35 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	35a	-
MBR30030CT	94.5030	RFQ	3603	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR30030	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR30030CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	30 V	150a	650 MV @ 150 A		8 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
S380yr	67.0005	RFQ	6288	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	S380	标准，反极性	DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S380元	Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1600 v		1.2 V @ 380 A		10 µA @ 1600 V	-60°C〜180°C	380a	-
S70MR	9.8985	RFQ	5098	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S70m	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S70MRGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1000 v		1.1 V @ 70 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜180°C	70a	-
FST7335M	-	RFQ	1899年	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	D61-3M		肖特基	D61-3M	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	35 v	35a	700 MV @ 35 A		1 mA @ 35 V	-55°C〜150°C
Murta50040r	174.1546	RFQ	8889	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta50040	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Murta50040RGN	Ear99	8541.10.0080	24	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	400 v	250a	1.5 V @ 250 A	150 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBRT200200	98.8155	RFQ	2839	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	100a	920 MV @ 100 A		1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
Murt40060	-	RFQ	9179	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		murt40060gn	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	600 v	200a	1.7 V @ 200 A	240 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBRTA60040	-	RFQ	3049	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	300A	700 MV @ 300 A		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C
GKN26/12	-	RFQ	9746	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	5	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1200 v		1.55 V @ 60 A		4 ma @ 1200 V	-40°C〜180°C	25a	-
gbu4d	0.4725	RFQ	9290	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu4dgn	Ear99	8541.10.0080	500																1.1 V @ 4 A		5 µA @ 200 V		4 a		单相	200 v
MBR2X120A180	51.8535	RFQ	7514	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MBR2X120	肖特基	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	52	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2独立	180 v	120a	920 MV @ 120 A		3 ma @ 180 V	-40°C〜150°C
MBR60045CT	129.3585	RFQ	9131	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR60045	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR60045CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	300A	750 MV @ 300 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
1N6096	14.0145	RFQ	4464	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N6096	肖特基	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1N6096GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		580 mv @ 25 A		2 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	25a	-
MURH7020R	49.5120	RFQ	1632年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	D-67	Murh7020	标准	D-67	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	36	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1 V @ 70 A	75 ns	25 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	70a	-
MUR30040CT	118.4160	RFQ	2350	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MUR30040	标准	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR30040CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	400 v	150a	1.5 V @ 100 A	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MSRTA50080A	101.4000	RFQ	4781	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRTA50080	标准	三个塔	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	800 v	500A（DC）	1.2 V @ 500 A		25 µA @ 600 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²