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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
1N1189 GeneSiC Semiconductor 1N1189 7.4730
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ECAD 1109 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1189 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N1189GN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 -
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ECAD 1966年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 通孔 TO-247-2 GB20SLT12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 2V@20A 0纳秒 1200V时为200μA -55℃~175℃ 20A 968pF @ 1V、1MHz
MBRT50035 GeneSiC Semiconductor MBRT50035 -
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ECAD 2985 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT50035GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J 12.9800
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ECAD 1161 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G3R160 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G3R160MT17J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 1700伏 22A(温度) 15V 208毫欧@12A,15V 2.7V@5mA 51nC@15V ±15V 1272pF@1000V - 187W(温度)
MBR8060R GeneSiC Semiconductor MBR8060R 1985年22月
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ECAD 9797 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR8060 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR8060RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 750毫伏@80安 1毫安@60伏 -55℃~160℃ 80A -
GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N 40.4900
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ECAD 第585章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GD2X SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 1(无限制) 1242-GD2X60MPS06N EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 650伏 70A(直流) 1.8V@60A 0纳秒 650V时为10μA -55℃~175℃
S150JR GeneSiC Semiconductor S150JR 35.5695
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ECAD 1323 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 S150 标准,反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S150JRGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.2V@150A 600V时为10μA -65℃~200℃ 150A -
MURT40020 GeneSiC Semiconductor MURT40020 132.0780
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ECAD 9233 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT40020GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 200A 1.3V@200A 125纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MUR2510 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯2510 10.1910
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ECAD 2130 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1099 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 25A -
KBPC2502T GeneSiC Semiconductor KBPC2502T 2.2995
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ECAD 3310 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC2502 标准 KBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 5μA@200V 25A 单相 200V
GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252 -
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ECAD 9808 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 GB05SLT12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-252 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@2A 0纳秒 1200V时为50μA -55℃~175℃ 5A 260pF@1V、1MHz
G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J 18.6900
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ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G2R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G2R1000 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G2R1000MT33J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 3300伏 4A(温度) 20V 1.2欧姆@2A,20V 3.5V@2mA 21nC@20V +20V,-5V 1000V时为238pF - 74W(温度)
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
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ECAD 3813 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR8060GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 750毫伏@80安 5毫安@20伏 -55℃~150℃ 80A -
GBJ6D GeneSiC Semiconductor 国标6D 0.6645
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ECAD 第1569章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标6 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ6D EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@3A 5μA@200V 6A 单相 200V
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔20005CTR -
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ECAD 1360 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR20005CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 50V 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
FST8345M GeneSiC Semiconductor FST8345M -
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ECAD 2024年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 80A(直流) 650毫伏@80安 1.5毫安@20伏 -55℃~150℃
KBU1004 GeneSiC Semiconductor KBU1004 0.8205
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ECAD 9721 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBU 标准 科布 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBU1004GN EAR99 8541.10.0080 400 1.05V@10A 400V时为10μA 10A 单相 400V
1N3881 GeneSiC Semiconductor 1N3881 7.1300
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ECAD 第573章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3881 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1070 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃~150℃ 6A -
MBRF30040R GeneSiC Semiconductor MBRF30040R -
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ECAD 6150 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3004 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 150A 700毫伏@150安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
GBPC50005T GeneSiC Semiconductor GBPC50005T 4.0155
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ECAD 5604 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC GBPC50005 标准 GBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.2V@25A 5μA@50V 50A 单相 50V
FR16B05 GeneSiC Semiconductor FR16B05 8.1330
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ECAD 5774 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16B05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1.4V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor KBPC3510T 2.4750
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ECAD 6256 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC3510 标准 KBPC-T 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@17.5A 1000V时为5μA 35A 单相 1kV
FST8380SM GeneSiC Semiconductor FST8380SM -
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ECAD 6753 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 1(无限制) REACH 不出行 FST8380SMGN EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 80A(直流) 840毫伏@80安 1.5毫安@20伏
MBRT300200 GeneSiC Semiconductor MBRT300200 107.3070
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ECAD 7152 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 150A 920毫伏@150安 1毫安@200伏 -55℃~150℃
FR16BR02 GeneSiC Semiconductor FR16BR02 8.5020
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ECAD 5034 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16BR02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MBRF50045 GeneSiC Semiconductor MBRF50045 -
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ECAD 3009 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 250A 750毫伏@250安 1毫安@45伏 -55℃~150℃
MBR35100 GeneSiC Semiconductor MBR35100 14.3280
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ECAD 8144 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 肖特基 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR35100GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 840 毫伏 @ 35 安 1.5毫安@20伏 -55℃~150℃ 35A -
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL02 2.9400
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ECAD 3877 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBL 标准 GBL 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@4A 5μA@200V 4A 单相 200V
1N3293A GeneSiC Semiconductor 1N3293A 33.5805
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ECAD 2493 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3293 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3293AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.5V@100A 17毫安@600伏 -40℃~200℃ 100A -
MBR2X050A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A150 43.6545
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ECAD 4549 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 150伏 50A 880毫伏@50安 3毫安@150伏 -40℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库