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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
GBPC2506W	4.2000	RFQ	8886	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2506	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1291	Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 a		单相	600 v
GBPC2508W	4.2000	RFQ	1	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2508	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1292	Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 1.2 A		5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
GBPC1504W	2.4180	RFQ	1714年	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1504	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC1504WGS	Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 400 V		15 a		单相	400 v
GBPC1506W	2.4180	RFQ	5670	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1506	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC1506WGS	Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 600 V		15 a		单相	600 v
GBPC1510W	2.4180	RFQ	8311	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1510	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC1510WGS	Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 1000 V		15 a		单相	1 kV
GBPC3501W	2.8650	RFQ	5121	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3501	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC3501WGS	Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 100 V		35 a		单相	100 v
GBPC3502W	2.8650	RFQ	7330	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3502	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBPC3502WGS	Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 200 V		35 a		单相	200 v
GBPC5001W	4.0155	RFQ	7784	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC5001	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50															1.2 V @ 25 A		5 µA @ 100 V		50 a		单相	100 v
GBPC5008W	4.0155	RFQ	3277	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC5008	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50															1.2 V @ 25 A		5 µA @ 800 V		50 a		单相	800 v
KBP204G	0.2280	RFQ	9945	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP	KBP204	标准	KBP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBP204GGS	Ear99	8541.10.0080	500															1.1 V @ 2 A		10 µA @ 400 V		2 a		单相	400 v
KBP210G	0.2280	RFQ	2792	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP	KBP210	标准	KBP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	500															1.1 V @ 2 A		10 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
KBPC2504W	2.2995	RFQ	3961	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC2504	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
KBPC2510W	2.2995	RFQ	6108	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC2510	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 1000 V		25 a		单相	1 kV
KBPC35005W	2.4720	RFQ	7866	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC35005	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 50 V		35 a		单相	50 V
KBPC3510T	2.4750	RFQ	6256	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC3510	标准	KBPC-T	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
KBPC5010W	2.5875	RFQ	3036	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC5010	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50															1.1 V @ 25 A		5 µA @ 1000 V		50 a		单相	1 kV
MSRTA300120AD	113.5544	RFQ	4573	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRTA300	标准	三个塔	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											1对系列连接	1200 v	300A	1.2 V @ 300 A		25 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
GBU15D	0.6120	RFQ	9784	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU15	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBU15DGN	Ear99	8541.10.0080	500															1.1 V @ 15 A		5 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
MBRTA40020L	-	RFQ	8335	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	20 v	200a	580 mv @ 200 a		3 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBR2X100A180	55.4800	RFQ	5262	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MBR2X100	肖特基	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1303	Ear99	8541.10.0080	52	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											2独立	180 v	100a	920 MV @ 100 A		3 ma @ 180 V	-40°C〜150°C
FST10020	65.6445	RFQ	9552	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FST10020GN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	20 v	100a	650 MV @ 100 A		2 ma @ 20 V
MSRTA400120A	60.2552	RFQ	2269	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRTA400120	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											1对普通阴极	1200 v	400A（DC）	1.2 V @ 400 A		25 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
GC2X15MPS12-247	10.5555	RFQ	4584	基因半导体	Sic Schottky MPS™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	GC2X15	SIC （碳化硅）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1242-1333	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）											1对普通阴极	1200 v	75A（DC）	1.8 V @ 15 A	0 ns	14 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
MBRF300200	-	RFQ	1519年	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB	MBRF3002	肖特基	TO-244AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	200 v	150a	920 MV @ 150 A		1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
S25JR	5.2485	RFQ	5636	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S25J	标准，反极性	-	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S25JRGN	Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v		1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	25a	-
FST10060	65.6445	RFQ	4181	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FST10060GN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	60 V	100a	750 mv @ 100 a		2 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
2N7635-GA	-	RFQ	9225	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C〜225°C（TJ）	通过洞	TO-257-3		SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-257	-	Rohs不合规	（1 （无限）		1242-1146	Ear99	8541.29.0095	10		-	650 v	4A（TC）（165°C）	-	415MOHM @ 4A	-	-	324 pf @ 35 V	-	47W（TC）
MBRTA800150	-	RFQ	3664	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	150 v	400a	880 mv @ 400 A		5 ma @ 150 V	-55°C〜150°C
GBJ20K	0.9120	RFQ	1418	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ20	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ20K	Ear99	8541.10.0080	200															1.05 V @ 10 A		5 µA @ 800 V		20 a		单相	800 v
MUR2X100A10	48.6255	RFQ	5406	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MUR2X100	标准	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	52	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											2独立	1000 v	100a	2.35 V @ 100 A		25 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²