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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBRF200150R GeneSiC Semiconductor MBRF200150R -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MSRTA40080A GeneSiC Semiconductor MSRTA40080A 60.2552
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA40080 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 400A（DC） 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR2X050A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A080 43.6545
RFQ
 ECAD 5522 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 80 V 50a 840 mv @ 50 A 1 mA @ 80 V -40°C〜150°C
MBRTA50040 GeneSiC Semiconductor MBRTA50040 -
RFQ
 ECAD 3638 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 250a 700 MV @ 250 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
MBRF50035R GeneSiC Semiconductor MBRF50035R -
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 250a 750 MV @ 250 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBRTA50030R GeneSiC Semiconductor MBRTA50030R -
RFQ
 ECAD 3671 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRH30030L GeneSiC Semiconductor MBRH30030L -
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C 300A -
MBRT30060R GeneSiC Semiconductor MBRT30060R 107.3070
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT30060 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT30060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 150a 800 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
KBPC1504T GeneSiC Semiconductor KBPC1504T 2.1795
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，KBPC-T KBPC1504 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 300A 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRF400100 GeneSiC Semiconductor MBRF400100 -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 1591年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
KBPC2502T GeneSiC Semiconductor KBPC2502T 2.2995
RFQ
 ECAD 3310 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，KBPC-T KBPC2502 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
MBRH15040L GeneSiC Semiconductor MBRH15040L -
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 MV @ 150 A 5 ma @ 40 V 150a -
MBRF120150 GeneSiC Semiconductor MBRF120150 -
RFQ
 ECAD 1966年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MUR2X030A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A12 -
RFQ
 ECAD 5884 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1308 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1200 v 30a 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1200 V -65°C〜175°C
FR12D05 GeneSiC Semiconductor FR12D05 6.7605
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12D05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT40020R GeneSiC Semiconductor MBRT40020R 118.4160
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40020 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR30040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTRL -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 150a 600 MV @ 150 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
MUR40005CT GeneSiC Semiconductor MUR40005CT -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S12B GeneSiC Semiconductor S12B 6.3300
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
GBPC5002W GeneSiC Semiconductor GBPC5002W 4.0155
RFQ
 ECAD 1771年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC5002 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 200 V 50 a 单相 200 v
GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E 3.8000
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 5 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 29a 367pf @ 1V，1MHz
MURH7020R GeneSiC Semiconductor MURH7020R 49.5120
RFQ
 ECAD 1632年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh7020 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C 70a -
1N6096 GeneSiC Semiconductor 1N6096 14.0145
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N6096 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6096GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1000 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBRF60035R GeneSiC Semiconductor MBRF60035R -
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor MUR30040CT 118.4160
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 150a 1.5 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MSRTA50080A GeneSiC Semiconductor MSRTA50080A 101.4000
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA50080 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MURF10040R GeneSiC Semiconductor murf10040r -
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf10040rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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