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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1184AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1184ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
MBRH200150 GeneSiC Semiconductor MBRH200150 70.0545
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C 200a -
GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227 80.0700
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GB2X50 SIC （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1339 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1200 v 93A（DC） 1.8 V @ 50 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBR40020CT GeneSiC Semiconductor MBR40020CT 98.8155
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT500200R GeneSiC Semiconductor MBRT500200R -
RFQ
 ECAD 1499年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
GKN240/16 GeneSiC Semiconductor GKN240/16 73.3638
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKN240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 320a -
MBRH15030RL GeneSiC Semiconductor MBRH15030RL -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基，反极性 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 3 ma @ 30 V 150a -
FR30A02 GeneSiC Semiconductor FR30A02 10.4070
RFQ
 ECAD 1833年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30A02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
S40D GeneSiC Semiconductor S40D 6.3770
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40DGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
FR12JR02 GeneSiC Semiconductor FR12JR02 9.2235
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 800 mv @ 12 a 250 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBR8045R GeneSiC Semiconductor MBR8045R 25.9300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8045 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 650 mv @ 80 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 80a -
MBR40080CTR GeneSiC Semiconductor MBR40080CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40080CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3767R GeneSiC Semiconductor 1N3767R 6.2320
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3767R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3767RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 900 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor MUR20005CT -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR75100 GeneSiC Semiconductor MBR75100 20.8845
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR75100GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 75 A 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 75a -
MBRF300100 GeneSiC Semiconductor MBRF300100 -
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3001 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 150a 840 mv @ 150 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor MBRTA80040R -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 400a 720 MV @ 400 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
GBU10D GeneSiC Semiconductor GBU10D 1.6300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
MBRF40035R GeneSiC Semiconductor MBRF40035R -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） MBRF40035RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor MBR300200CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR300200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
MBRT60080R GeneSiC Semiconductor MBRT60080R 140.2020
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60080 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60080RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF10040 GeneSiC Semiconductor Murf10040 -
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf10040gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRH200200R GeneSiC Semiconductor MBRH200200R 70.0545
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH200200 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 200 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 200a -
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
RFQ
 ECAD 597 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S85V 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
MBRTA50030 GeneSiC Semiconductor MBRTA50030 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
FR12JR05 GeneSiC Semiconductor FR12JR05 6.8085
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12JR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT500150R GeneSiC Semiconductor MBRT500150R -
RFQ
 ECAD 6137 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25BGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor mbrta80035rl -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 400a 600 MV @ 400 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRF40040 GeneSiC Semiconductor MBRF40040 -
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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