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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S25QR | 5.2485 | ![]() | 4089 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S25Q | 标准,反脊柱 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25QRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | |||||
![]() | MBRT30040RL | - | ![]() | 9587 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 150A | 600毫伏@150安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MSRTA300160D | 159.9075 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA300 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA300160D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1600伏 | 300A | 1.1V@300A | 1600V时为20μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBR7560 | 20.8845 | ![]() | 2015年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7560GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@75安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | 75A | - | ||||||
S85VR | 15.2800 | ![]() | 第597章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S85V | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~150℃ | 85A | - | |||||||
![]() | MBRH120150R | 60.0375 | ![]() | 3634 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH120150 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 880毫伏@120安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | 120A | - | ||||||
![]() | MURT20020R | 104.4930 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT20020 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | MBR40040CTL | - | ![]() | 4528 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 200A | 600毫伏@200安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MURT40040 | 132.0780 | ![]() | 5904 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1081 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400V | 200A | 1.35V@200A | 180纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||
![]() | MSRTA600100A | 109.2000 | ![]() | 3207 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 3-SMD模块 | MSRTA600100 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1000伏 | 600A(直流) | 1.2V@600A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | MBRTA60040L | - | ![]() | 7753 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔塔60020R | 188.1435 | ![]() | 2119 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔60020 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔60020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 300A | 1.3V@300A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||
![]() | GKN71/16 | 12.7059 | ![]() | 6483 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | GKN71 | 标准 | 溶解O | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.5V@60A | 10毫安@1600伏 | -40℃~180℃ | 95A | - | ||||||
![]() | MBRH15030RL | - | ![]() | 9207 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基,反 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 3毫安@30伏 | 150A | - | ||||||||||
![]() | MBRF12030R | - | ![]() | 9926 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 穆尔塔30060 | 159.9075 | ![]() | 5731 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 150A | 1.7V@150A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | FR40BR02 | 13.8360 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@40A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | |||||
![]() | S70B | 9.8985 | ![]() | 6419 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70BGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 70A | - | ||||||
![]() | 1N3213R | 7.0650 | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3213R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3213RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 500伏 | 1.5V@15A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 15A | - | |||||
![]() | 1N5829R | 14.8695 | ![]() | 9828 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N5829R | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5829RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 580毫伏@25安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||
![]() | MBRF30060R | - | ![]() | 2029年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3006 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 150A | 750毫伏@150安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 1N6095 | 14.0145 | ![]() | 8515 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N6095 | 肖特基 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N6095GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 580毫伏@25安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||
![]() | S70G | 9.8985 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 70A | - | ||||||
![]() | GC10MPS12-252 | 3.9210 | ![]() | 5850 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GC10MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 10μA@1200V | -55℃~175℃ | 50A | 660pF @ 1V、1MHz | ||||
![]() | MBR30045CTL | - | ![]() | 7090 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 150A | 600毫伏@150安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBR40080CTR | 98.8155 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR40080 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR40080CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 200A | 840 毫伏 @ 200 安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||
![]() | S40V | 6.9421 | ![]() | 3919 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40VGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~160℃ | 40A | - | ||||||
![]() | MBRH24045R | 76.4925 | ![]() | 6093 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH24045 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 720毫伏@240安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | ||||||
![]() | MBR20035CTR | 90.1380 | ![]() | 8159 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20035 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20035CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | ||||||
![]() | MBR60020CTRL | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 300A | 580毫伏@300安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ |
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