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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 当前的 电压 电压-隔离 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F
MBRT30030 GeneSiC Semiconductor MBRT30030 107.3070
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ECAD 3535 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT30030GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 150A 750毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
GKN130/04 GeneSiC Semiconductor GKN130/04 35.0777
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ECAD 6161 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 GKN130 标准 DO-205AA (DO-8) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.5V@60A 22毫安@400伏 -40℃~180℃ 165A -
GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247 -
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ECAD 7683 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 通孔 TO-247-3 - 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 30 - 10A 1.2kV -
FR16D02 GeneSiC Semiconductor FR16D02 8.1330
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ECAD 4531 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16D02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
UFT10005 GeneSiC Semiconductor UFT10005 -
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ECAD 1713 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-249AB 标准 TO-249AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 50V 50A 1V@50A 60纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 8.5400
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ECAD 10 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-3 GC2X8 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1327 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 1200伏 40A(直流) 1.8V@8A 0纳秒 1200V时为7μA -55℃~175℃
MBRTA60080 GeneSiC Semiconductor MBRTA60080 -
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ECAD 3258 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 300A 840毫伏@300安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
GKR71/12 GeneSiC Semiconductor GKR71/12 12.8537
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ECAD 7968 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 GKR71 标准 溶解O - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.5V@60A 10毫安@1200伏 -40℃~180℃ 95A -
MSRT250100A GeneSiC Semiconductor MSRT250100A 54.2296
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ECAD 8363 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT250100 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 1000伏 250A(直流) 1.2V@250A 600V时为15μA -55℃~150℃
MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTL -
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ECAD 4528 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 200A 600毫伏@200安 3毫安@40伏 -55℃~150℃
G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J 17.9800
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ECAD 39 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G3R40 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G3R40MT12J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 1200伏 75A(温度) 15V 48毫欧@35A,15V 2.69V@10mA 106nC@15V ±15V 800V时为2929pF - 374W(温度)
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
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ECAD 3689 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 200A 600毫伏@200安 5毫安@45伏 -55℃~150℃
MBR50020CT GeneSiC Semiconductor MBR50020CT -
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ECAD 8057 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR50020CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRF300150R GeneSiC Semiconductor MBRF300150R -
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ECAD 8655 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3001 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 150伏 150A 880毫伏@150安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J 23.9900
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ECAD 5673 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA SiC(碳化硅)肖特基 TO-263-7 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GC05MPS33J EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 3300伏 0纳秒 175℃ 5A -
MBRTA40040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40040RL -
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ECAD 7367 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 200A 600毫伏@200安 5毫安@40伏 -55℃~150℃
MBRTA600150R GeneSiC Semiconductor MBRTA600150R -
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ECAD 7109 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 150伏 300A 880毫伏@300安 4毫安@150伏 -55℃~150℃
S6KR GeneSiC Semiconductor S6KR 3.8625
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ECAD 2891 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S6K 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S6KRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@6A 10μA@100V -65℃~175℃ 6A -
S12Q GeneSiC Semiconductor S12Q 4.2345
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ECAD 6984 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
MBRT500200R GeneSiC Semiconductor MBRT500200R -
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ECAD 1499 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 250A 920 毫伏 @ 250 安 1毫安@200伏 -55℃~150℃
MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor MBR20020CTR 90.1380
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ECAD 9966 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20020 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR20020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 200A(直流) 650毫伏@100安 5毫安@20伏
MBR30035CT GeneSiC Semiconductor MBR30035CT 94.5030
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ECAD 8692 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30035 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1050 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 150A 650毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor MUR30010CT 118.4160
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ECAD 3681 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯30010 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR30010CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 150A 1.3V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
1N1190AR GeneSiC Semiconductor 1N1190AR 10.3200
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ECAD 44 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1190AR 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1027 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.1V@40A 50V时为10μA -65℃~190℃ 40A -
MBRTA80035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80035RL -
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ECAD 8760 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 400A 600 毫伏 @ 400 安 3毫安@35伏 -55℃~150℃
FR12B05 GeneSiC Semiconductor FR12B05 6.7605
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ECAD 5646 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR12B05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 800毫伏@12安 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 -
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ECAD 8479 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 SiC(碳化硅结晶体管) SOT-227 下载 1(无限制) 1242-1314 EAR99 8541.29.0095 10 - 1700伏 160A(温度) - 10毫欧@100A - - 800V时为14400pF - 535W(温度)
FST100100 GeneSiC Semiconductor FST100100 65.6445
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ECAD 3909 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST100100GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 100A 840 毫伏 @ 100 安 2毫安@20伏
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 -
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ECAD 9010 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 250A 700毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRTA80040R GeneSiC Semiconductor MBRTA80040R -
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ECAD 6035 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 400A 720 毫伏 @ 400 安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库