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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 当前的 电压 电压 -隔离 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压-峰值反向（最大）
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor Murta60060 188.1435
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta60060gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 300A 1.7 V @ 300 A 280 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRT30020R GeneSiC Semiconductor MBRT30020R 107.3070
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT30020 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT30020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT20040R GeneSiC Semiconductor MBRT20040R 98.8155
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20040 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1082 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N1200AR GeneSiC Semiconductor 1N1200AR 4.2345
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1200AR 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1011 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MSRTA500140A GeneSiC Semiconductor MSRTA500140A 101.4000
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500140 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3209R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3209RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MURTA200120 GeneSiC Semiconductor Murta200120 145.3229
RFQ
 ECAD 8517 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 100a 2.6 V @ 100 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MURF40010 GeneSiC Semiconductor Murf40010 -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 1 V @ 200 A 150 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRF12035 GeneSiC Semiconductor MBRF12035 -
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 60a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
SD51R GeneSiC Semiconductor SD51R 20.2170
RFQ
 ECAD 3373 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 SD51 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SD51RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 660 mv @ 60 a 5 ma @ 45 V -65°C〜150°C 60a -
GBPC3506T GeneSiC Semiconductor GBPC3506T 2.8650
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC3506 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
FST6335M GeneSiC Semiconductor FST6335M -
RFQ
 ECAD 1926年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 30a 700 mv @ 30 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
FR12MR05 GeneSiC Semiconductor FR12MR05 7.0500
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12MR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.4 V @ 12 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBRTA60045L GeneSiC Semiconductor MBRTA60045L -
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
FR30AR02 GeneSiC Semiconductor FR30AR02 10.5930
RFQ
 ECAD 6700 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30AR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
MBRT40035R GeneSiC Semiconductor MBRT40035R 118.4160
RFQ
 ECAD 4022 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40035 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1100 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR30035CT GeneSiC Semiconductor MBR30035CT 94.5030
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1050 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRF60030 GeneSiC Semiconductor MBRF60030 -
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227 -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 - 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10 - 50 a 1.2 kV -
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20035CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
MBRTA60040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60040RL -
RFQ
 ECAD 1763年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
MBR40030CT GeneSiC Semiconductor MBR40030CT 98.8155
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40030CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH30045L GeneSiC Semiconductor MBRH30045L -
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C 300A -
GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247 8.6460
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GC2X10 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1330 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 50A（DC） 1.8 V @ 10 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBR8020 GeneSiC Semiconductor MBR8020 21.1680
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8020GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 750 MV @ 80 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 80a -
MBR2X060A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A100 46.9860
RFQ
 ECAD 5960 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A02 36.7500
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X030 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1305 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 200 v 30a 1 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MBRTA40030L GeneSiC Semiconductor MBRTA40030L -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT50040 GeneSiC Semiconductor MBRT50040 -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50040GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURTA30020 GeneSiC Semiconductor Murta30020 159.9075
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 200 v 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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