分立半导体产品(2160)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr、F
MURT40020R	132.0780	询价	4671	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MURT40020	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MURT40020RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	200V	200A	1.3V@200A	125纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
穆尔夫20005	-	询价	6800	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）	穆尔夫20005GN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	50V	100A	1.3V@100A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
穆尔塔20040R	145.3229	询价	4975	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	穆尔塔20040	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共阳极	400V	100A	1.3V@100A		400V时为25μA	-55℃～150℃
穆尔塔20020	145.3229	询价	6574	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共轴线	200V	100A	1.3V@100A		25μA@200V	-55℃～150℃
MBRF300100	-	询价	9734	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB	MBRF3001	肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	100V	150A	840毫伏@150安		1毫安@100伏	-55℃～150℃
毛里求斯2560	10.1910	询价	2282	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	穆尔2560GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏		1.7V@25A	90纳秒	50V时为10μA	-55℃～150℃	25A	-
穆尔塔200120R	145.3229	询价	9951	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	穆尔塔200120	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共阳极	1200伏	100A	2.6V@100A		1200V时为25μA	-55℃～150℃
MBRF30030	-	询价	9124	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB	MBRF3003	肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	30V	150A	700毫伏@150安		1毫安@30伏	-55℃～150℃
MBRTA50045R	-	询价	7024	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	45V	250A	700毫伏@250安		1毫安@45伏	-55℃～150℃
S70B	9.8985	询价	6419	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	S70BGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													100V		1.1V@70A		10μA@100V	-65℃～180℃	70A	-
FST100200	65.6445	询价	6424	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	200V	50A	920 毫伏 @ 50 安		1毫安@200伏	-55℃～150℃
1N2135A	8.9025	询价	9352	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N2135	标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1N2135AGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													400V		1.1V@60A		50V时为10μA	-65℃～200℃	60A	-
S85MR	11.8980	询价	8567	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	S85M	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	S85MRGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													1000伏		1.1V@85A		10μA@100V	-65℃～180℃	85A	-
MBRH30020L	-	询价	7488	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基	D-67	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													20V		580毫伏@300安		3毫安@20伏	-55℃～150℃	300A	-
MBRTA500150	-	询价	2194	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	150伏	250A	880毫伏@250安		4毫安@150伏	-55℃～150℃
MBRT60020R	140.2020	询价	2531	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT60020	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBRT60020RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	20V	300A	750毫伏@300安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
穆尔夫40040	-	询价	2190	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	400V	200A	1.3V@200A	180纳秒	400V时为25μA	-55℃～150℃
MBR500100CTR	-	询价	2210	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基，反	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR500100CTRGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	100V	250A	880毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MUR20005CT	-	询价	3712	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		标准	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MUR20005CTGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	50V	100A	1.3V@100A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
G3R40MT12D	17.4200	询价	6690	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G3R40	SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-G3R40MT12D	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	71A（温度）	15V	48毫欧@35A，15V	2.69V@10mA	106nC@15V	±15V	800V时为2929pF	-	333W（温度）
FR12K05	6.9975	询价	5931	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FR12K05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													800V		800毫伏@12安	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	12A	-
穆尔5005R	17.8380	询价	4842	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	毛里求斯5005	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	穆尔5005RGN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													50V		1V@50A	75纳秒	50V时为10μA	-55℃～150℃	50A	-
MBRTA600100R	-	询价	8558	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	100V	300A	840毫伏@300安		1毫安@100伏	-55℃～150℃
MBRT300150	107.3070	询价	9951	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	150伏	150A	880毫伏@150安		1毫安@150伏	-55℃～150℃
穆尔夫30020	-	询价	7055	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共轴线	200V	150A	1V@150A		25μA@200V	-55℃～150℃
FR12KR05	7.0500	询价	8803	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FR12KR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													800V		800毫伏@12安	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	12A	-
FR40MR05	17.1300	询价	193	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1000伏		1V@40A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	40A	-
MBRH24030R	76.4925	询价	6265	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67	MBRH24030	肖特基	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		720毫伏@240安		1毫安@30伏	-55℃～150℃	240A	-
MBRH15030RL	-	询价	9207	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基，反	D-67	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V				3毫安@30伏		150A	-
MURT30005R	-	询价	4624	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MURT30005RGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	50V	150A	1.3V@150A	100纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2160)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²