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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
MBR120100CT	68.8455	RFQ	5881	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR120100	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR120100CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	100 v	120A（DC）	840 mv @ 60 a		3 ma @ 20 V
MBR30060CTR	94.5030	RFQ	1364	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR30060	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR30060CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	60 V	150a	750 MV @ 150 A		8 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MUR2X030A02	36.7500	RFQ	3579	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MUR2X030	标准	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1305	Ear99	8541.10.0080	52	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	30a	1 V @ 30 A	60 ns	25 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
murf30060r	-	RFQ	6383	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		标准	TO-244	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	600 v	150a	1.7 V @ 150 A	150 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
1N1190A	10.3200	RFQ	102	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1043	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.1 V @ 40 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	40a	-
GKR240/18	73.7988	RFQ	1600	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	GKR240	标准，反极性	DO-205AB（DO-9）	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1800 v		1.5 V @ 60 A		22 ma @ 1800 V	-55°C〜150°C	165a	-
Murh10040r	49.5120	RFQ	3404	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	D-67	Murh10040	标准，反极性	D-67	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Murh10040RGN	Ear99	8541.10.0080	36	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.3 V @ 100 A	90 ns	25 µA @ 50 V		100a	-
FR30B02	10.4070	RFQ	1814年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR30B02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1 V @ 30 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-40°C〜125°C	30a	-
FR30JR02	10.5930	RFQ	2177	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR30JR02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1 V @ 30 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-40°C〜125°C	30a	-
Murf30020	-	RFQ	7055	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		标准	TO-244	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	200 v	150a	1 V @ 150 A		25 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
Murta600120r	207.4171	RFQ	5478	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta600120	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	1200 v	300A	2.6 V @ 300 A		25 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C
MBRTA60040L	-	RFQ	7753	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	300A	600 MV @ 300 A		5 ma @ 40 V	-55°C〜150°C
MBRT40035R	118.4160	RFQ	4022	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MBRT40035	肖特基，反极性	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1100	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	35 v	200a	750 MV @ 200 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
FR30AR02	10.5930	RFQ	6700	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR30AR02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.4 V @ 30 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-40°C〜125°C	30a	-
GC50MPS12-247	-	RFQ	2395	基因半导体	Sic Schottky MPS™	管子	过时的		通过洞	TO-247-2	GC50MPS12	SIC （碳化硅）	TO-247-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1242-1340	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.8 V @ 50 A	0 ns	40 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	212a	3263pf @ 1V，1MHz
FR85KR05	24.1260	RFQ	9264	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR85KR05GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.4 V @ 85 A	500 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	85a	-
MBRH15030RL	-	RFQ	9207	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	D-67		肖特基，反极性	D-67	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V				3 ma @ 30 V		150a	-
FR30A02	10.4070	RFQ	1833年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR30A02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1 V @ 30 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-40°C〜125°C	30a	-
S40D	6.3770	RFQ	7282	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S40DGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.1 V @ 40 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜190°C	40a	-
FR12JR02	9.2235	RFQ	2195	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准，反极性	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		800 mv @ 12 a	250 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	12a	-
MBR8045R	25.9300	RFQ	30	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR8045	肖特基，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		650 mv @ 80 A		1 mA @ 45 V	-55°C〜150°C	80a	-
MBR40080CTR	98.8155	RFQ	7415	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR40080	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR40080CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	80 V	200a	840 mv @ 200 a		5 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
1N3767R	6.2320	RFQ	5351	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3767R	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1N3767RGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		900 v		1.2 V @ 35 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	35a	-
MUR20005CT	-	RFQ	3712	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	双子塔		标准	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR20005CTGN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	100a	1.3 V @ 100 A	75 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBR75100	20.8845	RFQ	6153	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR75100GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		840 mv @ 75 A		5 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	75a	-
MBRF300100	-	RFQ	9734	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB	MBRF3001	肖特基	TO-244AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	150a	840 mv @ 150 A		1 mA @ 100 V	-55°C〜150°C
MBRTA80040R	-	RFQ	6035	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	40 V	400a	720 MV @ 400 A		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C
GBU10D	1.6300	RFQ	61	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU10	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	500					1.1 V @ 10 A		5 µA @ 200 V		10 a		单相	200 v
MBRF40035R	-	RFQ	9062	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		（1 （无限）		MBRF40035RGN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	35 v	200a	650 mv @ 200 a		5 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBR300200CT	94.5030	RFQ	1393	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR300200	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	150a	920 MV @ 150 A		3 ma @ 200 V	-40°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²