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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURT20040R | 104.4930 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT20040 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 100A | 1.35V@100A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
MBR8045 | 24.8600 | ![]() | 3214 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 650毫伏@80安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT50035 | - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
SD4145R | 14.3280 | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | SD4145 | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 680 毫伏 @ 30 安 | 1.5毫安@35伏 | -55℃~150℃ | 30A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 毛里求斯2510 | 10.1910 | ![]() | 2130 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1099 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@25A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MURT40020 | 132.0780 | ![]() | 9233 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT40020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 200A | 1.3V@200A | 125纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | S150JR | 35.5695 | ![]() | 1323 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | S150 | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S150JRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -65℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||||
KBPC2502T | 2.2995 | ![]() | 3310 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC2502 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@200V | 25A | 单相 | 200V | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR8060R | 1985年22月 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR8060 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@80安 | 1毫安@60伏 | -55℃~160℃ | 80A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GD2X60MPS06N | 40.4900 | ![]() | 第585章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 1(无限制) | 1242-GD2X60MPS06N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 70A(直流) | 1.8V@60A | 0纳秒 | 650V时为10μA | -55℃~175℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60040 | - | ![]() | 3049 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 300A | 700 毫伏 @ 300 安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | FST12045 | 70.4280 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST12045GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | KBL608G | 0.5805 | ![]() | 4232 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL608 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL608GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 800V时为5μA | 6A | 单相 | 800V | ||||||||||||||||||||
![]() | DB155G | 0.2325 | ![]() | 6311 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB155 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB155GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@600V | 1.5A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRH12020 | 60.0375 | ![]() | 5487 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH12020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 650毫伏@120安 | 4毫安@20伏 | 120A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | S85K | 11.8980 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S85KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | G2R1000MT33J | 18.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G2R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G2R1000 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G2R1000MT33J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 3300伏 | 4A(温度) | 20V | 1.2欧姆@2A,20V | 3.5V@2mA | 21nC@20V | +20V,-5V | 1000V时为238pF | - | 74W(温度) | ||||||||||||||
![]() | 1N3766 | 6.2320 | ![]() | 4148 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3766 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3766GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4593R | 35.5695 | ![]() | 2449 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4593R | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4593RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@150A | 5.5毫安@800伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 920毫伏@100安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | FST7335M | - | ![]() | 1899年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 35A | 700 毫伏 @ 35 安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5830 | 14.0145 | ![]() | 2616 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N5830 | 肖特基 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5830GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 25V | 580毫伏@25安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MSRTA200120D | 142.3575 | ![]() | 5712 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA200120D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1200伏 | 200A | 1.1V@200A | 10μA@1200V | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | GE04MPS06E | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 切带 (CT) | SIC停产 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.35V@4A | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~175℃ | 11A | 186pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MBR200150CT | 90.1380 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200150 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 3毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF50040 | - | ![]() | 9331 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | GAP3SLT33-214 | 10.7600 | ![]() | 1119 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | GAP3SLT33 | SiC(碳化硅)肖特基 | DO-214AA | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 3300伏 | 2.2V@300mA | 0纳秒 | 10μA@3300V | -55℃~175℃ | 300毫安 | 42pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | GKR130/14 | 35.4765 | ![]() | 6687 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | GKR130 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@60A | 22毫安@1400伏 | -40℃~180℃ | 165A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR12080CT | 68.8455 | ![]() | 第1773章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12080 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR12080CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 120A(直流) | 840 毫伏 @ 60 安 | 3毫安@20伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔7005R | 17.7855 | ![]() | 3629 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 穆尔7005 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - |
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