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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
1N3765R	6.2320	RFQ	1506	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3765R	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1N3765RGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												700 v		1.2 V @ 35 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	35a	-
MBRT50030	-	RFQ	4648	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MBRT50030GN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	30 V	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
Murta60040r	188.1435	RFQ	1280	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murta60040	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	murta60040rgn	Ear99	8541.10.0080	24	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	400 v	300A	1.5 V @ 300 A	220 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBRTA800150	-	RFQ	3664	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	150 v	400a	880 mv @ 400 A		5 ma @ 150 V	-55°C〜150°C
MBRT50045R	-	RFQ	8302	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MBRT50045RGN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	45 v	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
S40J	6.3770	RFQ	5569	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	S40JGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v		1.1 V @ 40 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜190°C	40a	-
FR16B05	8.1330	RFQ	5774	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FR16B05GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v		1.4 V @ 16 A	500 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	16a	-
MBRT60030R	140.2020	RFQ	7277	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MBRT60030	肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MBRT60030RGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	30 V	300A	750 MV @ 300 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBRF12045	-	RFQ	6183	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	45 v	60a	700 mv @ 60 a		1 mA @ 45 V	-55°C〜150°C
MBR40045CT	-	RFQ	9313	基因半导体	-	大部分	过时的		螺丝安装	SOT-227-4		肖特基	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1242-1132	Ear99	8541.10.0080	13	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											2独立	45 v	400A（DC）	1.2 V @ 200 A		5 µA @ 36 V	-40°C〜175°C
MUR40010CTR	132.0780	RFQ	5948	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MUR40010	标准	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MUR40010CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	100 v	200a	1.3 V @ 125 A	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
1N8033-GA	-	RFQ	9724	基因半导体	-	管子	过时的		表面安装	TO-276AA	1N8033	SIC （碳化硅）	TO-276	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）												650 v		1.65 V @ 5 A	0 ns	5 µA @ 650 V	-55°C〜250°C	4.3a	274pf @ 1V，1MHz
MBRT200150	98.8155	RFQ	4589	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	150 v	100a	880 mv @ 100 a		1 ma @ 150 V	-55°C〜150°C
MBRTA80035R	-	RFQ	6887	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	35 v	400a	720 MV @ 400 A		1 mA @ 35 V	-55°C〜150°C
MBRT60020L	-	RFQ	3867	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	20 v	300A	580 mv @ 300 A		3 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
150K100A	35.5695	RFQ	8311	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	150K100	标准	DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	150K100AGN	Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1000 v		1.33 V @ 150 A		24 mA @ 1000 V	-40°C 200°C	150a	-
MBR2X030A060	40.2435	RFQ	2253	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MBR2X030	肖特基	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	52	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											2独立	60 V	30a	750 MV @ 30 A		1 mA @ 60 V	-40°C〜150°C
S70GR	9.8985	RFQ	9048	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S70G	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	S70GRGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v		1.1 V @ 70 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜180°C	70a	-
FR6M05	5.0745	RFQ	8511	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FR6M05GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v		1.4 V @ 6 A	500 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	6a	-
MBRH20035L	-	RFQ	3931	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	D-67		肖特基	D-67	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												35 v		600 mV @ 200 A		3 ma @ 200 V		200a	-
MBRF12035R	-	RFQ	4524	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	35 v	60a	700 mv @ 60 a		1 mA @ 35 V	-55°C〜150°C
1N5830R	14.8695	RFQ	5324	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5830R	肖特基，反极性	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1N5830RGN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												25 v		580 mv @ 25 A		2 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	25a	-
MBR2X080A150	48.6255	RFQ	8545	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MBR2X080	肖特基	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	52	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											2独立	150 v	80a	880 mv @ 80 a		3 ma @ 150 V	-40°C〜150°C
MBRTA60030L	-	RFQ	8845	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	30 V	300A	580 mv @ 300 A		1 ma @ 30 V	-55°C〜150°C
MBRT120200	75.1110	RFQ	9437	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	200 v	60a	920 mv @ 60 a		1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
MBRT60045RL	-	RFQ	6544	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	45 v	300A	600 MV @ 300 A		5 ma @ 45 V	-55°C〜150°C
GA20JT12-263	36.7400	RFQ	4850	基因半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	GA20JT12	SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		-	1200 v	45A（TC）	-	60mohm @ 20a	-	-	3091 PF @ 800 V	-	282W（TC）
Murf40020r	-	RFQ	3160	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		标准	TO-244	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	200 v	200a	1 V @ 200 A	150 ns	25 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
1N1183	7.4730	RFQ	9741	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1183	标准	do-203ab	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1N1183GN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												50 V		1.2 V @ 35 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	35a	-
FST83100M	-	RFQ	3835	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	D61-3M		肖特基	D61-3M	下载		（1 （无限）	FST83100MGN	Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对普通阴极	100 v	80A（DC）	840 mv @ 80 A		1.5 ma @ 20 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²