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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
MURT20040R GeneSiC Semiconductor MURT20040R 104.4930
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ECAD 8659 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MURT20040 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT20040RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400V 100A 1.35V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR8045 GeneSiC Semiconductor MBR8045 24.8600
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ECAD 3214 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 45V 650毫伏@80安 1毫安@45伏 -55℃~150℃ 80A -
MBRT50035 GeneSiC Semiconductor MBRT50035 -
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ECAD 2985 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT50035GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
SD4145R GeneSiC Semiconductor SD4145R 14.3280
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ECAD 5296 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 SD4145 肖特基,反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 45V 680 毫伏 @ 30 安 1.5毫安@35伏 -55℃~150℃ 30A -
MUR2510 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯2510 10.1910
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ECAD 2130 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1099 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 25A -
MURT40020 GeneSiC Semiconductor MURT40020 132.0780
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ECAD 9233 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT40020GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 200A 1.3V@200A 125纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
S150JR GeneSiC Semiconductor S150JR 35.5695
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ECAD 1323 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 S150 标准,反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S150JRGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.2V@150A 600V时为10μA -65℃~200℃ 150A -
KBPC2502T GeneSiC Semiconductor KBPC2502T 2.2995
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ECAD 3310 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC2502 标准 KBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 5μA@200V 25A 单相 200V
MBR8060R GeneSiC Semiconductor MBR8060R 1985年22月
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ECAD 9797 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR8060 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR8060RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 750毫伏@80安 1毫安@60伏 -55℃~160℃ 80A -
GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N 40.4900
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ECAD 第585章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GD2X SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 1(无限制) 1242-GD2X60MPS06N EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 650伏 70A(直流) 1.8V@60A 0纳秒 650V时为10μA -55℃~175℃
MBRTA60040 GeneSiC Semiconductor MBRTA60040 -
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ECAD 3049 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 300A 700 毫伏 @ 300 安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
FST12045 GeneSiC Semiconductor FST12045 70.4280
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ECAD 7630 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST12045GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 120A(直流) 650毫伏@120安 2毫安@20伏 -55℃~150℃
KBL608G GeneSiC Semiconductor KBL608G 0.5805
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ECAD 4232 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBL KBL608 标准 韩国广播公司 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBL608GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 800V时为5μA 6A 单相 800V
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0.2325
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ECAD 6311 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-EDIP (0.321", 8.15mm) DB155 标准 数据库 下载 符合RoHS标准 1(无限制) DB155GGN EAR99 8541.10.0080 2,500人 1.1V@1.5A 5μA@600V 1.5A 单相 600伏
MBRH12020 GeneSiC Semiconductor MBRH12020 60.0375
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ECAD 5487 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH12020GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 650毫伏@120安 4毫安@20伏 120A -
S85K GeneSiC Semiconductor S85K 11.8980
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ECAD 9079 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S85KGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@85A 10μA@100V -65℃~180℃ 85A -
G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J 18.6900
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ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G2R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G2R1000 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G2R1000MT33J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 3300伏 4A(温度) 20V 1.2欧姆@2A,20V 3.5V@2mA 21nC@20V +20V,-5V 1000V时为238pF - 74W(温度)
1N3766 GeneSiC Semiconductor 1N3766 6.2320
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ECAD 4148 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3766 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3766GN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
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ECAD 2449 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4593R 标准,反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N4593RGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.5V@150A 5.5毫安@800伏 -60℃~200℃ 150A -
MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR 90.1380
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ECAD 5931 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200200 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 100A 920毫伏@100安 3毫安@200伏 -55℃~150℃
FST7335M GeneSiC Semiconductor FST7335M -
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ECAD 1899年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 35A 700 毫伏 @ 35 安 1毫安@35伏 -55℃~150℃
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1N5830 14.0145
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ECAD 2616 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N5830 肖特基 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N5830GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 25V 580毫伏@25安 2毫安@20伏 -55℃~150℃ 25A -
MSRTA200120D GeneSiC Semiconductor MSRTA200120D 142.3575
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ECAD 5712 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 模块 MSRTA200 标准 - 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRTA200120D EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1200伏 200A 1.1V@200A 10μA@1200V -55℃~150℃
GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E 1.6500
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ECAD 2 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 切带 (CT) SIC停产 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 SiC(碳化硅)肖特基 TO-252-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.35V@4A 0纳秒 5μA@650V -55℃~175℃ 11A 186pF@1V、1MHz
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
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ECAD 1041 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 3毫安@150伏 -55℃~150℃
MBRF50040 GeneSiC Semiconductor MBRF50040 -
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ECAD 9331 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 250A 750毫伏@250安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 10.7600
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ECAD 1119 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB GAP3SLT33 SiC(碳化硅)肖特基 DO-214AA 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 无恢复T>500mA(Io) 3300伏 2.2V@300mA 0纳秒 10μA@3300V -55℃~175℃ 300毫安 42pF@1V、1MHz
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
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ECAD 6687 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 GKR130 标准 DO-205AA (DO-8) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.5V@60A 22毫安@1400伏 -40℃~180℃ 165A -
MBR12080CT GeneSiC Semiconductor MBR12080CT 68.8455
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ECAD 第1773章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12080 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR12080CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 120A(直流) 840 毫伏 @ 60 安 3毫安@20伏
MUR7005R GeneSiC Semiconductor 穆尔7005R 17.7855
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ECAD 3629 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 穆尔7005 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔7005RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库