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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT40045DL | 88.1588 | ![]() | 2897 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT40045 | 肖特基 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 45 v | 200a(DC) | 580 mv @ 200 a | 5 ma @ 45 V | -40°C〜100°C | ||||||
![]() | MBRF60020 | - | ![]() | 8539 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 300A | 650 MV @ 300 A | 10 ma @ 20 V | -40°C〜175°C | ||||||||
![]() | MBRT40035R | 118.4160 | ![]() | 4022 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT40035 | 肖特基,反极性 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBRF12030 | - | ![]() | 3993 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | FR30DR02 | 10.5930 | ![]() | 9136 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR30DR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 30 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 30a | - | |||||
![]() | S300Z | 85.1955 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S300 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S300ZGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 1.2 V @ 300 A | 10 µA @ 1600 V | -60°C〜180°C | 300A | - | |||||
![]() | FR16K05 | 8.2245 | ![]() | 6816 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||
![]() | MBR200200CT | 90.1380 | ![]() | 4613 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR200200 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 100a | 920 MV @ 100 A | 3 ma @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRT500150R | - | ![]() | 6137 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 250a | 880 mv @ 250 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | Murf20005r | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Murf20005RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GC08MPS12-220 | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | GC08MPS12 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1328 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 7 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 43a | 545pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | MBR40080CTR | 98.8155 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40080 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR40080CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 200a | 840 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR40060CTR | 98.8155 | ![]() | 7044 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40060 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR40060CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 60 V | 200a | 800 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR6080R | 21.3105 | ![]() | 7547 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MBR6080 | 肖特基,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR6080RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 840 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 60a | - | |||||
![]() | S70G | 9.8985 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S70GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 70 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 70a | - | ||||||
![]() | MUR10020CTR | 75.1110 | ![]() | 3597 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | Mur10020 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR10020CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | 1N2135AR | 8.9025 | ![]() | 2479 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N2135AR | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N2135ARGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 60 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 60a | - | |||||
![]() | MBRF30045R | - | ![]() | 7219 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | MBRF3004 | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 150a | 700 MV @ 150 A | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | FR16GR02 | 8.5020 | ![]() | 4900 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR16GR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.1 V @ 16 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
![]() | MBRF12030R | - | ![]() | 9926 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | murt30040r | 98.7424 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murt30040 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murt30040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 150a | 1.35 V @ 150 A | 150 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR500100CTR | - | ![]() | 2210 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基,反极性 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR500100CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 250a | 880 mv @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | S85MR | 11.8980 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S85M | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S85MRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||
1N1190AR | 10.3200 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1190AR | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1027 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 40a | - | ||||||
![]() | GD2X150MPS06N | 69.0500 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GD2X | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | (1 (无限) | 1242-GD2X150MPS06N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 150a(DC) | 1.8 V @ 150 A | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | MURF30020R | - | ![]() | 4843 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 150a | 1 V @ 150 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | 1N3213R | 7.0650 | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3213R | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3213RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 500 v | 1.5 V @ 15 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||
![]() | MBRF40035R | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | MBRF40035RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 200a | 650 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | GC2X10MPS12-247 | 8.6460 | ![]() | 3246 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GC2X10 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1330 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 50A(DC) | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | Murf10040 | - | ![]() | 9967 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | (1 (无限) | murf10040gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C |
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