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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
FR6DR05 GeneSiC Semiconductor FR6DR05 8.5020
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6DR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
MBR2X050A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A060 43.6545
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 50a 750 MV @ 50 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
RFQ
 ECAD 3689 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC2501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
S70Q GeneSiC Semiconductor S70Q 9.8985
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70QGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MBRTA80045RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80045RL -
RFQ
 ECAD 3112 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 400a 600 MV @ 400 A 6 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor MUR10020CTR 75.1110
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 Mur10020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR10020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRH24020 GeneSiC Semiconductor MBRH24020 76.4925
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 240a -
MBR7560 GeneSiC Semiconductor MBR7560 20.8845
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7560GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 75 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C 75a -
MBRT40020L GeneSiC Semiconductor MBRT40020L -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10010r -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10010rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3208 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3208GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBRF20060R GeneSiC Semiconductor MBRF20060R -
RFQ
 ECAD 3022 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 100a 750 mv @ 100 a 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MBRT60060 GeneSiC Semiconductor MBRT60060 140.2020
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 300A 800 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR70B05 GeneSiC Semiconductor FR70B05 17.5905
RFQ
 ECAD 9335 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70B05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
BR102 GeneSiC Semiconductor BR102 0.9555
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR102GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
MBRT12045R GeneSiC Semiconductor MBRT12045R 75.1110
RFQ
 ECAD 9681 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT12045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12045RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30020r 118.4160
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt30020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR70D02 GeneSiC Semiconductor FR70D02 17.5905
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor MUR20060CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N2135A GeneSiC Semiconductor 1N2135A 8.9025
RFQ
 ECAD 9352 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2135 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N2135AGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
GB10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GB10SLT12 SIC （碳化硅） TO-220-2 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 10a 520pf @ 1V，1MHz
MBRH20040L GeneSiC Semiconductor MBRH20040L -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 mV @ 200 A 5 ma @ 40 V 200a -
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor Murta60060 188.1435
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta60060gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 300A 1.7 V @ 300 A 280 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR16M05 GeneSiC Semiconductor FR16M05 8.3160
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16M05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
1N1190AR GeneSiC Semiconductor 1N1190AR 10.3200
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1190AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1027 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 40a -
GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 8.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GC2X8 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1327 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 40A（DC） 1.8 V @ 8 A 0 ns 7 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBRT30080 GeneSiC Semiconductor MBRT30080 -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT30080GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor MBR40060CT 98.8155
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor MBR200200CT 90.1380
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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