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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MBR2X060A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A060 46.9860
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 60a 750 mv @ 60 a 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
MURF20005 GeneSiC Semiconductor Murf20005 -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf20005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR6BR05 GeneSiC Semiconductor FR6BR05 8.5020
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6BR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
FST100200 GeneSiC Semiconductor FST100200 65.6445
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 50a 920 MV @ 50 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10060r 93.0525
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt10060 标准，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10060rgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FST16030 GeneSiC Semiconductor FST16030 75.1110
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST16030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 160a（DC） 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor MBR200100CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR200100CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a（DC） 840 mv @ 100 a 5 ma @ 20 V
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MBRH240100R GeneSiC Semiconductor MBRH240100R 76.4925
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH240100 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 MV @ 240 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C 240a -
MURF30060R GeneSiC Semiconductor murf30060r -
RFQ
 ECAD 6383 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46 48.4900
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 GB02SHT03 SIC （碳化硅） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1255 Ear99 8541.10.0080 200 没有恢复t> 500mA（IO） 300 v 1.6 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 300 V -55°C〜225°C 4a 76pf @ 1V，1MHz
FST8360M GeneSiC Semiconductor FST8360M -
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 （1 （无限） FST8360MGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 80A（DC） 750 MV @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT50040 GeneSiC Semiconductor MBRT50040 -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50040GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N1190A GeneSiC Semiconductor 1N1190A 10.3200
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1190 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1043 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 40a -
FR30MR05 GeneSiC Semiconductor FR30MR05 10.5930
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
FR40MR05 GeneSiC Semiconductor FR40MR05 17.1300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A 5.4000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD30MPS06A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 0 ns 175°C 30a -
MBR30040CTR GeneSiC Semiconductor MBR30040CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S150KR GeneSiC Semiconductor S150kr 35.5695
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 S150 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S150krgn Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
MURF20005R GeneSiC Semiconductor Murf20005r -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf20005RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRTA60080R GeneSiC Semiconductor MBRTA60080R -
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 300A 840 mv @ 300 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MBR60020CT GeneSiC Semiconductor MBR60020CT 129.3585
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR60020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR3540R GeneSiC Semiconductor MBR3540R 15.1785
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR3540 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3540RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
1N3209 GeneSiC Semiconductor 1N3209 7.0650
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3209 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3209GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBRT20040R GeneSiC Semiconductor MBRT20040R 98.8155
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20040 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1082 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA50020 GeneSiC Semiconductor MBRTA50020 -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKN71/08 GeneSiC Semiconductor GKN71/08 12.3735
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 GKN71 标准 do-5 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 800 V -40°C〜180°C 95a -
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor Murta60060 188.1435
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta60060gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 300A 1.7 V @ 300 A 280 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N1190AR GeneSiC Semiconductor 1N1190AR 10.3200
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1190AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1027 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 40a -
FR16M05 GeneSiC Semiconductor FR16M05 8.3160
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16M05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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