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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR60040CT | 129.3585 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60040 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1007 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR6060R | 21.3105 | ![]() | 3703 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MBR6060 | 肖特基,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR6060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 60a | - | |||||
![]() | MUR2560 | 10.1910 | ![]() | 2282 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR2560GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 25 A | 90 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 25a | - | |||||
![]() | MBRH15020RL | - | ![]() | 6323 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基,反极性 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 580 mv @ 150 A | 3 ma @ 20 V | 150a | - | |||||||||
![]() | FR20DR02 | 9.3555 | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR20DR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 20 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 20a | - | |||||
![]() | MBRF40035R | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | MBRF40035RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 200a | 650 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBRF300100 | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | MBRF3001 | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 150a | 840 mv @ 150 A | 1 mA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBRT60040R | 140.2020 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT60040 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | FST16020 | 75.1110 | ![]() | 7572 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST16020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 160a(DC) | 750 MV @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MSRTA200100AD | 85.9072 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA200 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GD2X150MPS06N | 69.0500 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GD2X | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | (1 (无限) | 1242-GD2X150MPS06N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 150a(DC) | 1.8 V @ 150 A | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | MUR20020CT | 101.6625 | ![]() | 4523 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR20020 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR20020CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR30060CTR | 118.4160 | ![]() | 2020 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30060 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30060CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 150a | 1.7 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBRF500200R | - | ![]() | 4952 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | Murta60020r | 188.1435 | ![]() | 2119 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta60020 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murta60020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 300A | 1.3 V @ 300 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR2X030A080 | 40.2435 | ![]() | 6307 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X030 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 80 V | 30a | 840 mv @ 30 a | 1 mA @ 80 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | FR12BR02 | 9.2235 | ![]() | 3680 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR12BR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 800 mv @ 12 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||
![]() | MBRH30020RL | - | ![]() | 1249 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 300A | - | ||||||||
![]() | MBR7540R | 21.9195 | ![]() | 7687 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MBR7540 | 肖特基,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR7540RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 650 MV @ 75 A | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 75a | - | |||||
![]() | MBRT30080 | - | ![]() | 8591 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT30080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 150a | 880 mv @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRF12030 | - | ![]() | 3993 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR50035CTR | - | ![]() | 7735 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR50035CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | FR40K05 | 12.8985 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR40K05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1 V @ 40 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | |||||
![]() | FR16K05 | 8.2245 | ![]() | 6816 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||
![]() | murt40020r | 132.0780 | ![]() | 4671 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murt40020 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murt40020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 200a | 1.3 V @ 200 A | 125 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | FR30MR05 | 10.5930 | ![]() | 7891 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR30MR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1 V @ 30 A | 500 ns | 25 µA @ 800 V | -40°C〜125°C | 30a | - | |||||
![]() | Murf20040R | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Murf20040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | 1N6096R | 14.8695 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N6096R | 肖特基,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N6096RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 580 mv @ 25 A | 2 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 25a | - | |||||
![]() | MBRT500150R | - | ![]() | 6137 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 250a | 880 mv @ 250 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | GC08MPS12-220 | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | GC08MPS12 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1328 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 7 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 43a | 545pf @ 1V,1MHz |
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