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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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![]() | 1N3893R | 9.3600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3893R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@12A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||||||||||
![]() | MSRTA500140A | 101.4000 | ![]() | 9378 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA500140 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1400伏 | 500A(直流) | 1.2V@500A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | 1N3289AR | 33.5805 | ![]() | 1862年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3289AR | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3289ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.5V@100A | 24毫安@200伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||||||||||||||
![]() | MBRF40020R | - | ![]() | 8881 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 200A | 700毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF40045 | - | ![]() | 4616 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 200A | 700毫伏@200安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH24060 | 76.4925 | ![]() | 1741 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 780 毫伏 @ 240 安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | ||||||||||||||||||
![]() | KBPC15005W | 2.1795 | ![]() | 4543 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | KBPC15005 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@50V | 15A | 单相 | 50V | ||||||||||||||||||
![]() | MUR2X120A06 | 50.2485 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2 独立 | 600伏 | 120A | 1.3V@120A | 600V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A060 | 51.8535 | ![]() | 3104 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 120A | 750毫伏@120安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | MBRTA60080R | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 300A | 840毫伏@300安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF20060R | - | ![]() | 3022 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FST6345M | - | ![]() | 8594 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 30A | 700 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫20010 | - | ![]() | 7594 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫20010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | 穆尔20040CTR | 101.6625 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR20040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 100A | 1.3V@50A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||
![]() | MSRTA30080D | 159.9075 | ![]() | 4263 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA300 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA30080D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 300A | 1.1V@300A | 800V时为20μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | GA10JT12-247 | - | ![]() | 9924 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-247AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200伏 | 10A(温度) | - | 140毫欧@10A | - | - | - | 170W(温度) | ||||||||||||||||
![]() | MBR3540R | 15.1785 | ![]() | 第2152章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | MBR3540 | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR3540RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 680 毫伏 @ 35 安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 35A | - | ||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫20040 | - | ![]() | 7848 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫20040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400V | 100A | 1.3V@100A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | MBRF500200R | - | ![]() | 4952 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 250A | 920 毫伏 @ 250 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF400200R | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 200A | 920毫伏@200安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FR30DR02 | 10.5930 | ![]() | 9136 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | ||||||||||||||||
![]() | FST7320M | - | ![]() | 6561 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 35A | 700 毫伏 @ 35 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT50035R | - | ![]() | 3545 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50035RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | FST8360M | - | ![]() | 4354 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | 下载 | 1(无限制) | FST8360MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 80A(直流) | 750毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRH200150R | 70.0545 | ![]() | 4771 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH200150 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 920毫伏@200安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | 200A | - | |||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫30060 | - | ![]() | 2191 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 150A | 1.7V@150A | 150纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80020 | - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 400A | 720 毫伏 @ 400 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBR7540R | 21.9195 | ![]() | 7687 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR7540 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7540RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 650毫伏@75安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 75A | - | ||||||||||||||||
![]() | KBPC5006W | 2.5875 | ![]() | 2626 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | KBPC5006 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@25A | 5μA@600V | 50A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4592 | 35.5695 | ![]() | 5890 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4592 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4592GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.5V@150A | 6.5毫安@600伏 | -60℃~200℃ | 150A | - |
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