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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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![]() | MBR7560 | 20.8845 | ![]() | 2015年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7560GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@75安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | 75A | - | |||||||||
![]() | MSRTA300160D | 159.9075 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA300 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA300160D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1600伏 | 300A | 1.1V@300A | 1600V时为20μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | W04M | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-循环,口碑 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | 1(无限制) | W04MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1V@1A | 400V时为10μA | 1.5A | 单相 | 400V | |||||||||||
![]() | FR85BR05 | 24.1260 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85BR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | ||||||||
![]() | MBR120200CTR | - | ![]() | 6534 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | GC08MPS12-220 | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | GC08MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1328 | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 1200V时为7μA | -55℃~175℃ | 43A | 545pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | KBL402G | 0.5385 | ![]() | 6988 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL402 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL402GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 100V时为5μA | 4A | 单相 | 100V | |||||||||
![]() | MURT30040R | 98.7424 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT30040 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT30040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 150A | 1.35V@150A | 150纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 1N3295AR | 33.5805 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3295AR | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3295ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.5V@100A | 11毫安@1000伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||||||
![]() | MBRTA60030 | - | ![]() | 6638 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 300A | 700 毫伏 @ 300 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBRH120200 | 60.0375 | ![]() | 9663 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 920毫伏@120安 | 1毫安@200伏 | 120A | - | |||||||||||
![]() | MBR12080CTR | 68.8455 | ![]() | 2403 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12080 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR12080CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 120A(直流) | 840 毫伏 @ 60 安 | 3毫安@20伏 | |||||||||
![]() | MURT40010R | 132.0780 | ![]() | 2813 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT40010 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT40010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100V | 200A | 1.3V@200A | 125纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | GB2X50MPS12-227 | 80.0700 | ![]() | 第346章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GB2X50 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1339 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 93A(直流) | 1.8V@50A | 0纳秒 | 1200V时为40μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | MBR50080CTR | - | ![]() | 9019 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基,反 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR50080CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 250A | 880毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | S40K | 6.3770 | ![]() | 5267 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | |||||||||
![]() | S25QR | 5.2485 | ![]() | 4089 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S25Q | 标准,反脊柱 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25QRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | ||||||||
![]() | MBRT30045 | 107.3070 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1088 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 150A | 750毫伏@150安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRH120150R | 60.0375 | ![]() | 3634 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH120150 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 880毫伏@120安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | 120A | - | |||||||||
![]() | FR70G02 | 21.1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1039 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.4V@70A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||
![]() | MBRT50040 | - | ![]() | 2727 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | FR6JR02 | 5.1225 | ![]() | 5751 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@6A | 250纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||
![]() | MBR6060R | 21.3105 | ![]() | 3703 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR6060 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@60安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||
![]() | KBPC15005W | 2.1795 | ![]() | 4543 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | KBPC15005 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@50V | 15A | 单相 | 50V | ||||||||||
![]() | MSRT15060AD | 71.6012 | ![]() | 2154 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 600伏 | 150A | 1.1V@150A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRTA50040R | - | ![]() | 8132 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 250A | 700毫伏@250安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MSRTA300140D | 159.9075 | ![]() | 2740 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA300 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA300140D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1400伏 | 300A | 1.1V@300A | 1400V时为20μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR7530 | 20.8845 | ![]() | 8336 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7530GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 650毫伏@75安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 75A | - | |||||||||
![]() | MBRF12030R | - | ![]() | 9926 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FR40BR02 | 13.8360 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@40A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - |
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