SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压-峰值反向(最大)
FR40JR02 GeneSiC Semiconductor FR40JR02 13.8360
RFQ
ECAD 4966 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR40JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1 V @ 40 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
GBL04 GeneSiC Semiconductor GBL04 2.9400
RFQ
ECAD 4711 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl 标准 GBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBL04GN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 4 a 单相 400 v
GBPC15005T GeneSiC Semiconductor GBPC15005T 2.4180
RFQ
ECAD 7711 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC15005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 15 a 单相 50 V
GBPC1501T GeneSiC Semiconductor GBPC1501T 2.4180
RFQ
ECAD 1134 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC1501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 15 a 单相 100 v
GBPC25005T GeneSiC Semiconductor GBPC25005T 2.5335
RFQ
ECAD 3216 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC25005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
GBPC2508T GeneSiC Semiconductor GBPC2508T 4.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2508 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 25 a 单相 800 v
GBPC35010T GeneSiC Semiconductor GBPC35010T 2.3424
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC35010 标准 GBPC - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
GBPC5008T GeneSiC Semiconductor GBPC5008T 4.0155
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC5008 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
GBU10A GeneSiC Semiconductor GBU10A 1.6300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu10agn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 50 V 10 a 单相 50 V
GBU10G GeneSiC Semiconductor GBU10G 1.6300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU10 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu10ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 400 V 10 a 单相 400 v
GBU15A GeneSiC Semiconductor GBU15A 0.6120
RFQ
ECAD 1395年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu15agn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 50 V 15 a 单相 50 V
GBU15J GeneSiC Semiconductor GBU15J 0.6120
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu15jgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
GBU4G GeneSiC Semiconductor gbu4g 1.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 4 a 单相 400 v
GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6d 0.5385
RFQ
ECAD 2656 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu6dgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8k 0.5685
RFQ
ECAD 8869 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu8kgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V 8 a 单相 800 v
KBJ2501G GeneSiC Semiconductor KBJ2501G 0.8955
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ2501 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ2501GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
KBJ2506G GeneSiC Semiconductor KBJ2506G 0.8955
RFQ
ECAD 9814 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ2506 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ2506GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
KBJ2510G GeneSiC Semiconductor KBJ2510G 0.8955
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ2510 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ2510GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
KBJ4005G GeneSiC Semiconductor KBJ4005G 0.5160
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ4005 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ4005GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 a 单相 50 V
KBJ402G GeneSiC Semiconductor KBJ402G 0.5160
RFQ
ECAD 6064 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ402 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ402GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 a 单相 200 v
KBJ406G GeneSiC Semiconductor KBJ406G 0.5160
RFQ
ECAD 4282 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ406 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ406GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
KBL401G GeneSiC Semiconductor KBL401G 0.5385
RFQ
ECAD 8480 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL401 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) kbl401ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 a 单相 50 V
KBL406G GeneSiC Semiconductor KBL406G 0.5385
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL406 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBL406GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
KBL408G GeneSiC Semiconductor KBL408G 0.5385
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL408 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBL408GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
KBL410G GeneSiC Semiconductor KBL410G 0.5385
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL410 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) kbl410ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V 4 a 单相 1 kV
KBL601G GeneSiC Semiconductor KBL601G 0.5805
RFQ
ECAD 1260 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL601 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBL601GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
KBL603G GeneSiC Semiconductor KBL603G -
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 (1 (无限) KBL603GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
KBP208 GeneSiC Semiconductor KBP208 0.3750
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP208GN Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 a 单相 800 v
KBPC1508T GeneSiC Semiconductor KBPC1508T 2.1795
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC1508 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
KBPC25010T GeneSiC Semiconductor KBPC25010T 1.8979
RFQ
ECAD 3621 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC25010 标准 KBPC-T 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库