SIC
close

离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBRH24020 GeneSiC Semiconductor MBRH24020 76.4925
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 240a -
MBRTA80045RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80045RL -
RFQ
 ECAD 3112 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 400a 600 MV @ 400 A 6 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBRT30080 GeneSiC Semiconductor MBRT30080 -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT30080GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 8.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GC2X8 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1327 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 40A（DC） 1.8 V @ 8 A 0 ns 7 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor MBR40060CT 98.8155
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKR240/18 GeneSiC Semiconductor GKR240/18 73.7988
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
MURH10040R GeneSiC Semiconductor Murh10040r 49.5120
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh10040 标准，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murh10040RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V 100a -
KBPC1501W GeneSiC Semiconductor KBPC1501W 2.1795
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC1501 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 100 v
MBRTA60045RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60045RL -
RFQ
 ECAD 9940 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -40°C〜100°C
GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-2 GB05SLT12 SIC （碳化硅） TO-220-2 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 260pf @ 1V，1MHz
S320M GeneSiC Semiconductor S320m 63.8625
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320MGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MSRT10080D GeneSiC Semiconductor MSRT10080D 87.1935
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT10080D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
FR12DR02 GeneSiC Semiconductor FR12DR02 9.2235
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12DR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D 17.3000
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GD2X SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD2X30MPS12D Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 1200 v 55A（DC） 1.8 V @ 30 A 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBRT60035 GeneSiC Semiconductor MBRT60035 140.2020
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60035GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N1188AR GeneSiC Semiconductor 1N1188AR 6.3770
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1188AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1188ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H 15.7700
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD50MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 15 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 92a 1835pf @ 1V，1MHz
MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor MBR120200CTR -
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 60a 920 mv @ 60 a 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
S12Q GeneSiC Semiconductor S12Q 4.2345
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
MBRH200200 GeneSiC Semiconductor MBRH200200 70.0545
RFQ
 ECAD 1699年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 200 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 200a -
S40V GeneSiC Semiconductor S40V 6.9421
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40VGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
FR85J05 GeneSiC Semiconductor FR85J05 23.1210
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85J05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
MBR2X060A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A100 46.9860
RFQ
 ECAD 5960 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
FST7320M GeneSiC Semiconductor FST7320M -
RFQ
 ECAD 6561 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 35a 700 MV @ 35 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA40035L GeneSiC Semiconductor MBRTA40035L -
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MSRTA300140D GeneSiC Semiconductor MSRTA300140D 159.9075
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA300140D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1400 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8330SM -
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 FST8330SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 80A（DC） 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005r -
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt30005RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GBPC2502W GeneSiC Semiconductor GBPC2502W 4.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC2502 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1289 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
FR70G02 GeneSiC Semiconductor FR70G02 21.1300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1039 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭