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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBR3545 GeneSiC Semiconductor MBR3545 17.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3545GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBRT60060 GeneSiC Semiconductor MBRT60060 140.2020
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 300A 800 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
GKR130/18 GeneSiC Semiconductor GKR130/18 35.8210
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
MBR60020CT GeneSiC Semiconductor MBR60020CT 129.3585
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR60020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT200120A GeneSiC Semiconductor MSRT200120A 48.2040
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0.7425
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR68GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 800 V 6 a 单相 800 v
GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H 11.8000
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD15MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v 1.8 V @ 15 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 36a 1082pf @ 1V，1MHz
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA6001 - 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） MSRTA6001RGN Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） - 1600 v 600A（DC） -55°C〜150°C
MBR40020CT GeneSiC Semiconductor MBR40020CT 98.8155
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
BR810 GeneSiC Semiconductor BR810 0.8910
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-8 标准 BR-8 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR810GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor MBRT60035R 140.2020
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60035 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60035RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S25GR GeneSiC Semiconductor S25GR 5.2485
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25G 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s25grgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MURTA200120 GeneSiC Semiconductor Murta200120 145.3229
RFQ
 ECAD 8517 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 100a 2.6 V @ 100 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
FST12020 GeneSiC Semiconductor FST12020 70.4280
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST12020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 120A（DC） 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor MBR20020CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 9966 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
MBRH240100R GeneSiC Semiconductor MBRH240100R 76.4925
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH240100 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 MV @ 240 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C 240a -
1N1206A GeneSiC Semiconductor 1N1206A 4.2345
RFQ
 ECAD 1852年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1206 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1079 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor MBR300200CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR300200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
MBRH12080R GeneSiC Semiconductor MBRH12080R 60.0375
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH12080 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12080RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
MBRF40020 GeneSiC Semiconductor MBRF40020 -
RFQ
 ECAD 2932 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 200a 700 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRF50040R GeneSiC Semiconductor MBRF50040R -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
S40G GeneSiC Semiconductor S40G 6.3770
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40GGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA400100A 60.2552
RFQ
 ECAD 5122 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA400100 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 400A（DC） 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
RFQ
 ECAD 3689 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
UFT14010 GeneSiC Semiconductor UFT14010 -
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 70a 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRH30030RL GeneSiC Semiconductor MBRH30030RL -
RFQ
 ECAD 2434 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C 300A -
MURF30060R GeneSiC Semiconductor murf30060r -
RFQ
 ECAD 6383 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
RFQ
 ECAD 2380 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N6096R 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6096RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MUR40060CT GeneSiC Semiconductor MUR40060CT 132.0780
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 200a 1.3 V @ 125 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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