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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 穆尔夫30005 | - | ![]() | 5572 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 50V | 150A | 1V@150A | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
1N3671AR | 4.2345 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3671AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1036 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA600200R | - | ![]() | 7016 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 4毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N1190R | 6.2320 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1190R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1030 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MURT30005 | - | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT30005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 50V | 150A | 1.3V@150A | 100纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | FR85J05 | 23.1210 | ![]() | 7253 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85J05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRTA200100AD | 85.9072 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1000伏 | 200A | 1.1V@200A | 10μA@1000V | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF60060 | - | ![]() | 9226 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 300A | 800毫伏@250安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
BR88 | 2.0200 | ![]() | 第347章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-8 | 标准 | BR-8 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | BR88GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@4A | 600V时为10μA | 8A | 单相 | 800V | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF60040R | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 300A(直流) | 650毫伏@300安 | 10毫安@20伏 | -40℃~175℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT20040R | 98.8155 | ![]() | 4826 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT20040 | 肖特基,反 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1082 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80045RL | - | ![]() | 3112 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 400A | 600 毫伏 @ 400 安 | 6毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR500200CT | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 250A | 920 毫伏 @ 250 安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA500160A | 101.4000 | ![]() | 5289 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA500160 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1600伏 | 500A(直流) | 1.2V@500A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
G3R12MT12K | 69.1800 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-4 | G3R12M | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R12MT12K | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 157A(TC) | 15V、18V | 13毫欧@100A,18V | 2.7V@50mA | 288nC@15V | +22V,-10V | 9335pF@800V | - | 567W(温度) | ||||||||||||||
![]() | MBRTA500150R | - | ![]() | 5347 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 150伏 | 250A | 880毫伏@250安 | 4毫安@150伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF12035 | - | ![]() | 4279 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRH20035RL | - | ![]() | 8217 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基,反 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 600毫伏@200安 | 3毫安@200伏 | 200A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC3506W | 2.8650 | ![]() | 第1659章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC3506 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBPC3506WGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 5μA@600V | 35A | 单相 | 600伏 | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF40060 | - | ![]() | 7203 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 200A | 750 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT12045 | 75.1110 | ![]() | 8752 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT12045GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 60A | 750毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | 1N1184AR | 6.3770 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1184AR | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1184ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@40A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR20D02 | 9.0510 | ![]() | 3677 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20D02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRTA300120D | 159.9075 | ![]() | 4570 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA300 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA300120D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1200伏 | 300A | 1.1V@300A | 1200V时为20μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | S12KR | 4.2345 | ![]() | 2976 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12K | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12KRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR2X080A180 | 48.6255 | ![]() | 1276 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 180伏 | 80A | 920毫伏@80安 | 3毫安@180伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FR70B05 | 17.5905 | ![]() | 9335 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@70A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60045RL | - | ![]() | 9940 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@45伏 | -40℃~100℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | KBPC2502W | 2.2995 | ![]() | 6854 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | KBPC2502 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@200V | 25A | 单相 | 200V | ||||||||||||||||||||
![]() | S300B | 63.8625 | ![]() | 1212 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300BGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.2V@300A | 10μA@100V | -60℃~200℃ | 300A | - |
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