SIC
close

离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID VGS（VGS） fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT30030 GeneSiC Semiconductor MBRT30030 107.3070
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT30030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURTA20040R GeneSiC Semiconductor Murta20040r 145.3229
RFQ
 ECAD 4975 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta20040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
S16MR GeneSiC Semiconductor S16MR 4.5900
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 16m 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16MRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
150KR100A GeneSiC Semiconductor 150KR100A 35.5695
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150kr100agn Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.33 V @ 150 A 24 mA @ 1000 V -40°C 200°C 150a -
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20035CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
DB103G GeneSiC Semiconductor DB103G 1.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.321英寸，8.15mm） DB103 标准 DB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 200 V 1 a 单相 200 v
MSRT250120A GeneSiC Semiconductor MSRT250120A 54.2296
RFQ
 ECAD 9058 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT250120 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33-263 30.3000
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GB05MPS33 SIC （碳化硅） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1351 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 3300 v 3 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 3000 V -55°C 〜175°C 14a 288pf @ 1V，1MHz
MUR2X030A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A10 -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1307 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1000 v 30a 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
1N1200AR GeneSiC Semiconductor 1N1200AR 4.2345
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1200AR 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1011 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
1N5827 GeneSiC Semiconductor 1N5827 12.4155
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5827 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5827GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 470 mv @ 15 A 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
MBRF20030R GeneSiC Semiconductor MBRF20030R -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 100a 700 mv @ 100 a 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT30045RL GeneSiC Semiconductor MBRT30045RL -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 150a 600 MV @ 150 A 3 ma @ 45 V -55°C〜150°C
GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N 55.7100
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GD2X SIC （碳化硅） SOT-227 下载 （1 （无限） 1242-GD2X25MPS17N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1700 v 50A（DC） 1.8 V @ 25 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C
FR20D02 GeneSiC Semiconductor FR20D02 9.0510
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor Murta60040 188.1435
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murta60040gn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 300A 1.5 V @ 300 A 220 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GKN130/14 GeneSiC Semiconductor GKN130/14 35.2952
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKN130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 165a -
MBRT200100R GeneSiC Semiconductor MBRT200100R 98.8155
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT200100 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT200100RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST6330M GeneSiC Semiconductor FST6330M -
RFQ
 ECAD 7370 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 30a 700 mv @ 30 a 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRTA600100R GeneSiC Semiconductor MBRTA600100R -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 300A 840 mv @ 300 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
2W005M GeneSiC Semiconductor 2W005M -
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4圆，妇女 标准 口碑营销 下载 （1 （无限） 2W005MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 a 单相 50 V
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 10A（TC） - 140MOHM @ 10A - - - 170W（TC）
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor MBR20060CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 200a（DC） 750 mv @ 100 a 5 ma @ 20 V
MBR2X050A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A060 43.6545
RFQ
 ECAD 5087 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 50a 750 MV @ 50 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC2501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
MBRH24020 GeneSiC Semiconductor MBRH24020 76.4925
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 240a -
MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10010r -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10010rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3208 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3208GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭