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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR30010CTR | 118.4160 | ![]() | 3859 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30010 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30010CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 150a | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | S70V | 10.1310 | ![]() | 9525 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S70VGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.1 V @ 70 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 70a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT12080 | 75.1110 | ![]() | 5417 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT12080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 60a | 880 mv @ 60 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | FR30BR02 | 10.5930 | ![]() | 4814 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR30BR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 30 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 30a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR2X100A180 | 55.4800 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1303 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 180 v | 100a | 920 MV @ 100 A | 3 ma @ 180 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA40020L | - | ![]() | 8335 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | FST10020 | 65.6445 | ![]() | 9552 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST10020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 100a | 650 MV @ 100 A | 2 ma @ 20 V | ||||||||||||||||||||
![]() | GBU15D | 0.6120 | ![]() | 9784 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU15 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBU15DGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT600150 | 140.2020 | ![]() | 7951 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT50040R | - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT50040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MSRTA200140AD | 85.9072 | ![]() | 3875 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA200 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 1400 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MSRTA300120AD | 113.5544 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA300 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 300A | 1.2 V @ 300 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | GC2X15MPS12-247 | 10.5555 | ![]() | 4584 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GC2X15 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1333 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 75A(DC) | 1.8 V @ 15 A | 0 ns | 14 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | MBRF300200 | - | ![]() | 1519年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | MBRF3002 | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 150a | 920 MV @ 150 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | S25JR | 5.2485 | ![]() | 5636 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | S25J | 标准,反极性 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S25JRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 25a | - | ||||||||||||||||||
![]() | FST10060 | 65.6445 | ![]() | 4181 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST10060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 100a | 750 mv @ 100 a | 2 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
1N2131AR | 11.7300 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N2131AR | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 60 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 60a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | GB01SLT12-252 | 1.3500 | ![]() | 5379 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | GB01SLT12 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 1 A | 0 ns | 2 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 1a | 69pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N3765 | 6.2320 | ![]() | 5017 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3765 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3765GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 700 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRTA400120A | 60.2552 | ![]() | 2269 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA400120 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 400A(DC) | 1.2 V @ 400 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT40040R | 118.4160 | ![]() | 8525 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT40040 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT40040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT60035L | - | ![]() | 5242 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 300A | 600 MV @ 300 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | S85yr | 15.4200 | ![]() | 129 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S85Y | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 85a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MSRTA500100A | 101.4000 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA500100 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1000 v | 500A(DC) | 1.2 V @ 500 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MUR40060CTR | 132.0780 | ![]() | 8477 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR40060 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR40060CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 200a | 1.3 V @ 125 A | 180 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | MBRF12040 | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 mA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | GBJ20K | 0.9120 | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ20 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ20K | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA @ 800 V | 20 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||
2N7635-GA | - | ![]() | 9225 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜225°C(TJ) | 通过洞 | TO-257-3 | SIC (硅碳化物交界晶体管) | TO-257 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 1242-1146 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 650 v | 4A(TC)(165°C) | - | 415MOHM @ 4A | - | - | 324 pf @ 35 V | - | 47W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | MUR2X100A10 | 48.6255 | ![]() | 5406 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 1000 v | 100a | 2.35 V @ 100 A | 25 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||
![]() | 1N1187 | 7.4730 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1187 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N1187GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - |
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