分立半导体产品(2160)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F
MBRT20030R	98.8155	询价	7651	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT20030	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT20030RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	30V	100A	750毫伏@100安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR50045CT	-	询价	5053	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	45V	250A	750毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBRTA800150	-	询价	3664	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	150伏	400A	880毫伏@400安		5毫安@150伏	-55℃～150℃
MBRF50035R	-	询价	8565	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	35V	250A	750毫伏@250安		1毫安@35伏	-55℃～150℃
MBRT60020L	-	询价	3867	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	20V	300A	580毫伏@300安		3毫安@20伏	-55℃～150℃
GC08MPS12-252	3.1200	询价	6092	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	GC08MPS12	SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	10,000	无恢复T>500mA(Io)													1200伏		1.8V@8A	0纳秒	1200V时为7μA	-55℃～175℃	40A	545pF@1V、1MHz
S150QR	35.5695	询价	第1469章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AA、DO-8、螺柱	S150	标准，反脊柱	DO-205AA (DO-8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													1200伏		1.2V@150A		600V时为10μA	-65℃～200℃	150A	-
GD30MPS06H	5.9100	询价	第484章	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GD30MPS06	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GD30MPS06H	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)													650伏					-55℃～175℃	49A	735pF @ 1V、1MHz
FR6AR02	5.1225	询价	2978	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR6AR02GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													50V		1.4V@6A	200纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	6A	-
MBRTA50040	-	询价	3638	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	40V	250A	700毫伏@250安		1毫安@40伏	-55℃～150℃
穆尔夫10005R	-	询价	9420	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		穆尔夫10005RGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	50V	50A	1.3V@50A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
S85YR	15.4200	询价	129	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	S85Y	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													1600伏		1.1V@85A		10μA@100V	-65℃～150℃	85A	-
FR20BR02	9.3555	询价	9647	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR20BR02GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													100V		1V@20A	200纳秒	50V时为25μA	-40℃～125℃	20A	-
MBR20080CT	90.1380	询价	7252	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR20080	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR20080CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	80V	200A（直流）	840 毫伏 @ 100 安		5毫安@20伏
UFT10040	-	询价	2930	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-249AB		标准	TO-249AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	400V	50A	1.3V@50A	70纳秒	400V时为25μA	-55℃～150℃
FR6MR05	5.3355	询价	4214	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR6MR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1000伏		1.4V@6A	500纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	6A	-
S12B	6.3300	询价	82	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													100V		1.1V@12A		50V时为10μA	-65℃～175℃	12A	-
MBRH20030RL	-	询价	8472	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		肖特基，反	D-67	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		580毫伏@200安		3毫安@30伏	-55℃～150℃	200A	-
FR16B05	8.1330	询价	5774	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FR16B05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													100V		1.4V@16A	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	16A	-
MBRF60080	-	询价	5290	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	80V	300A	840毫伏@250安		1毫安@80伏	-55℃～150℃
1N6096	14.0145	询价	4464	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N6096	肖特基	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N6096GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V		580毫伏@25安		2毫安@20伏	-55℃～150℃	25A	-
FR85JR05	27.9100	询价	19号	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏		1.4V@85A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	85A	-
MBR12035CT	68.8455	询价	3769	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR12035	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1051	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	35V	120A（直流）	650毫伏@120安		3毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR200150CTR	90.1380	询价	第1591章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR200150	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	150伏	100A	880 毫伏 @ 100 安		3毫安@150伏	-55℃～150℃
穆尔10010CTR	75.1110	询价	2570	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	毛里求斯10010	标准	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MUR10010CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	100V	50A	1.3V@50A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
1N1189	7.4730	询价	1109	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1189	标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N1189GN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													600伏		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
GB02SLT12-220	-	询价	3082	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的		通孔	TO-220-2	GB02SLT12	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)													1200伏		1.8V@2A	0纳秒	1200V时为50μA	-55℃～175℃	2A	138pF@1V、1MHz
MSRT25060A	54.2296	询价	第1769章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT25060	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共轴线	600伏	250A（直流）	1.2V@250A		600V时为15μA	-55℃～150℃
GB20SLT12-247	-	询价	1966年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		通孔	TO-247-2	GB20SLT12	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)													1200伏		2V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	20A	968pF @ 1V、1MHz
G3R160MT17J	12.9800	询价	1161	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	G3R160	SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G3R160MT17J	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	1700伏	22A（温度）	15V	208毫欧@12A，15V	2.7V@5mA	51nC@15V	±15V	1272pF@1000V	-	187W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2160)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²