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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBRT40040 GeneSiC Semiconductor MBRT40040 118.4160
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X060A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A060 46.9860
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 60a 750 mv @ 60 a 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
FST100200 GeneSiC Semiconductor FST100200 65.6445
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 50a 920 MV @ 50 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
FST16030 GeneSiC Semiconductor FST16030 75.1110
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST16030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 160a（DC） 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor MBR200100CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR200100CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a（DC） 840 mv @ 100 a 5 ma @ 20 V
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MBRT50040 GeneSiC Semiconductor MBRT50040 -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50040GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR40MR05 GeneSiC Semiconductor FR40MR05 17.1300
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A 5.4000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD30MPS06A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 0 ns 175°C 30a -
MBR30040CTR GeneSiC Semiconductor MBR30040CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30040CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S150KR GeneSiC Semiconductor S150kr 35.5695
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 S150 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S150krgn Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
MBRT20040R GeneSiC Semiconductor MBRT20040R 98.8155
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20040 肖特基，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1082 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH24020 GeneSiC Semiconductor MBRH24020 76.4925
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 720 MV @ 240 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C 240a -
MBRTA80045RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80045RL -
RFQ
 ECAD 3112 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 400a 600 MV @ 400 A 6 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor MBR40060CT 98.8155
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKR240/18 GeneSiC Semiconductor GKR240/18 73.7988
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
KBPC1501W GeneSiC Semiconductor KBPC1501W 2.1795
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC1501 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 100 v
MBRTA60045RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60045RL -
RFQ
 ECAD 9940 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -40°C〜100°C
GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-2 GB05SLT12 SIC （碳化硅） TO-220-2 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 260pf @ 1V，1MHz
S320M GeneSiC Semiconductor S320m 63.8625
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320MGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MSRT10080D GeneSiC Semiconductor MSRT10080D 87.1935
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT10080D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
FR12DR02 GeneSiC Semiconductor FR12DR02 9.2235
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12DR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D 17.3000
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GD2X SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD2X30MPS12D Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 1200 v 55A（DC） 1.8 V @ 30 A 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
1N1188AR GeneSiC Semiconductor 1N1188AR 6.3770
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1188AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1188ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H 15.7700
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD50MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 15 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 92a 1835pf @ 1V，1MHz
S12Q GeneSiC Semiconductor S12Q 4.2345
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
MBR2X060A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A100 46.9860
RFQ
 ECAD 5960 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
MBRTA40035L GeneSiC Semiconductor MBRTA40035L -
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MSRTA300140D GeneSiC Semiconductor MSRTA300140D 159.9075
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA300140D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1400 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8330SM -
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 FST8330SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 80A（DC） 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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