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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F
MBRH20045RL GeneSiC Semiconductor MBRH20045RL -
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 ECAD 1586 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基，反 D-67 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 45V 600毫伏@200安 5毫安@45伏 -55℃～150℃ 200A -
MBRT60060 GeneSiC Semiconductor MBRT60060 140.2020
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 ECAD 9162 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT60060GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 60V 300A 800毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRT60040R GeneSiC Semiconductor MBRT60040R 140.2020
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 ECAD 8187 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT60040 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT60040RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 300A 750毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBR30040CTR GeneSiC Semiconductor MBR30040CTR 94.5030
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 ECAD 5808 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30040 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR30040CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 150A 650毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃～150℃
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔30060CTR 118.4160
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 ECAD 2020年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯30060 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR30060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 600伏 150A 1.7V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBRTA600100 GeneSiC Semiconductor MBRTA600100 -
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 ECAD 5305 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100V 300A 840毫伏@300安 1毫安@100伏 -55℃～150℃
MBRT40045DL GeneSiC Semiconductor MBRT40045DL 88.1588
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 ECAD 2897 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT40045 肖特基 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对中央 45V 200A（直流） 580毫伏@200安 5毫安@45伏 -40℃～100℃
MBRT20080 GeneSiC Semiconductor MBRT20080 98.8155
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 ECAD 3151 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT20080GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 100A 880 毫伏 @ 100 安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRTA60040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60040RL -
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 ECAD 第1763章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 300A 600 毫伏 @ 300 安 5毫安@40伏 -55℃～150℃
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔60040 188.1435
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 ECAD 8920 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔塔60040GN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 400V 300A 1.5V@300A 220纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
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 ECAD 2395 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 过时的 通孔 TO-247-2 GC50MPS12 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-1340 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@50A 0纳秒 1200V时为40μA -55℃～175℃ 212A 3263pF @ 1V、1MHz
MBR60060CTR GeneSiC Semiconductor MBR60060CTR 129.3585
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 ECAD 7033 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR60060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 60V 300A 800毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MURTA400120R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔400120R 174.1546
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 ECAD 9467 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔400120 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共阳极 1200伏 200A 2.6V@200A 1200V时为25μA -55℃～150℃
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
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 ECAD 3484 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S25BGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 100V 1.1V@25A 50V时为10μA -65℃～175℃ 25A -
FR12B02 GeneSiC Semiconductor FR12B02 8.2245
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 ECAD 9661 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR12B02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100V 800毫伏@12安 200纳秒 100V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
MBR20020CT GeneSiC Semiconductor MBR20020CT 90.1380
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 ECAD 8286 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20020 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR20020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 20V 200A（直流） 650毫伏@100安 5毫安@20伏
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor MBR200200CT 90.1380
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 ECAD 4613 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200200 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 200V 100A 920毫伏@100安 3毫安@200伏 -55℃～150℃
MBR20045CT GeneSiC Semiconductor MBR20045CT 90.1380
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 ECAD 2192 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20045 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR20045CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 45V 200A（直流） 650毫伏@100安 5毫安@20伏
MURF40010 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫40010 -
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 ECAD 6036 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100V 200A 1V@200A 150纳秒 100V时为25μA -55℃～150℃
MBRF30045R GeneSiC Semiconductor MBRF30045R -
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 ECAD 7219 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3004 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 45V 150A 700毫伏@150安 1毫安@45伏 -55℃～150℃
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
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 ECAD 6261 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 3-SMD模块 MSRTA6001 - 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） MSRTA6001RGN EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) - 1600伏 600A（直流） -55℃～150℃
FR85K05 GeneSiC Semiconductor FR85K05 23.1210
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 ECAD 5638 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR85K05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 800V 1.4V@85A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 85A -
1N3767 GeneSiC Semiconductor 1N3767 6.2320
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 ECAD 3763 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3767 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3767GN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 900伏 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃～190℃ 35A -
S150KR GeneSiC Semiconductor S150KR 35.5695
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 ECAD 9943 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 S150 标准，反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S150KRGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.2V@150A 600V时为10μA -65℃～200℃ 150A -
FR6BR05 GeneSiC Semiconductor FR6BR05 8.5020
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 ECAD 7401 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR6BR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100V 1.4V@6A 500纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 16A -
MBR2X060A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A060 46.9860
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 ECAD 3411 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 60V 60A 750毫伏@60安 1毫安@60伏 -40℃～150℃
GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 3.2000年
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 ECAD 3 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB GB02SLT12 SiC（碳化硅）肖特基 DO-214AA 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@1A 0纳秒 1200V时为50μA -55℃～175℃ 2A 131pF@1V、1MHz
MBRH200200R GeneSiC Semiconductor MBRH200200R 70.0545
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 ECAD 3613 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH200200 肖特基，反 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 920毫伏@200安 1毫安@200伏 -55℃～150℃ 200A -
MBRH12080R GeneSiC Semiconductor MBRH12080R 60.0375
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 ECAD 1217 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH12080 肖特基，反 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRH12080RGN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 80V 840毫伏@120安 4毫安@20伏 120A -
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔20020CTR 101.6625
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 ECAD 6212 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯20020 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR20020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 200V 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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