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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220 4.2323
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 基因半导体 - 管子 不适合新设计 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1325 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 4 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 29a 359pf @ 1V，1MHz
MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10060r 93.0525
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt10060 标准，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt10060rgn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 50a 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 4.1910
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GC10MPS12 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1331 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 54a 660pf @ 1V，1MHz
MBRH12060 GeneSiC Semiconductor MBRH12060 60.0375
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12060GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
MBRF400100R GeneSiC Semiconductor MBRF400100R -
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRF60030 GeneSiC Semiconductor MBRF60030 -
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
MBRT20045R GeneSiC Semiconductor MBRT20045R 98.8155
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20045RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GKN71/08 GeneSiC Semiconductor GKN71/08 12.3735
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 GKN71 标准 do-5 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 800 V -40°C〜180°C 95a -
MBR60040CT GeneSiC Semiconductor MBR60040CT 129.3585
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1007 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA60080 GeneSiC Semiconductor MBRTA60080 -
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 300A 840 mv @ 300 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46 48.4900
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 GB02SHT03 SIC （碳化硅） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1255 Ear99 8541.10.0080 200 没有恢复t> 500mA（IO） 300 v 1.6 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 300 V -55°C〜225°C 4a 76pf @ 1V，1MHz
BR101 GeneSiC Semiconductor BR101 0.9555
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR101GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
FR6J05 GeneSiC Semiconductor FR6J05 4.9020
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6J05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MURF10020R GeneSiC Semiconductor Murf10020r -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf10020RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRTA600200R GeneSiC Semiconductor MBRTA600200R -
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 4 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRT60035R GeneSiC Semiconductor MBRT60035R 140.2020
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60035 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60035RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
BR810 GeneSiC Semiconductor BR810 0.8910
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-8 标准 BR-8 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） BR810GN Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H 11.8000
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD15MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v 1.8 V @ 15 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 36a 1082pf @ 1V，1MHz
S16DR GeneSiC Semiconductor s16dr 4.5900
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S16D 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16drgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
S25GR GeneSiC Semiconductor S25GR 5.2485
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25G 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s25grgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBR50020CT GeneSiC Semiconductor MBR50020CT -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR50020CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
DB105G GeneSiC Semiconductor DB105G 0.1980
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.321英寸，8.15mm） DB105 标准 DB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） DB105GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V 1 a 单相 600 v
GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227 80.0700
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GB2X50 SIC （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1339 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1200 v 93A（DC） 1.8 V @ 50 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
FST12030 GeneSiC Semiconductor FST12030 70.4280
RFQ
 ECAD 4774 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST12030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 120A（DC） 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3291AR GeneSiC Semiconductor 1N3291AR 33.5805
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3291AR 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3291ARGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.5 V @ 100 A 24 ma @ 400 V -40°C 200°C 100a -
MBRF40060 GeneSiC Semiconductor MBRF40060 -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a 750 MV @ 200 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
FR12M05 GeneSiC Semiconductor FR12M05 6.9975
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT30030L GeneSiC Semiconductor MBRT30030L -
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
150K80A GeneSiC Semiconductor 150K80A 35.5695
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 150K80 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150K80AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.33 V @ 150 A 32 ma @ 800 V -40°C 200°C 150a -
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 GB02SHT01 SIC （碳化硅） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1254 Ear99 8541.10.0080 200 没有恢复t> 500mA（IO） 100 v 1.6 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜210°C 4a 76pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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