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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 结构 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)（最大） 当前 - 开启状态 (It (AV))（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F SCR、扩散数量
GA080TH65 GeneSiC Semiconductor GA080TH65 2.0000
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 ECAD 9549 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 安装结构 SOT-227-2 GA080 单身的 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） 1242-1145 EAR99 8541.30.0080 1 6.5kV 139 一个 - 100毫安 80A 1 可控硅
MBRF600100R GeneSiC Semiconductor MBRF600100R -
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 ECAD 3566 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 100V 250A 840毫伏@250安 1毫安@100伏 -55℃～150℃
S40D GeneSiC Semiconductor S40D 6.3770
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 ECAD 7282 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S40DGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 1.1V@40A 10μA@100V -65℃～190℃ 40A -
MBRH12030R GeneSiC Semiconductor MBRH12030R 60.0375
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 ECAD 1216 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH12030 肖特基，反 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRH12030RGN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 650毫伏@120安 4毫安@20伏 120A -
FR12B02 GeneSiC Semiconductor FR12B02 8.2245
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 ECAD 9661 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR12B02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100V 800毫伏@12安 200纳秒 100V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
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 ECAD 2395 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 过时的 通孔 TO-247-2 GC50MPS12 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-1340 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@50A 0纳秒 1200V时为40μA -55℃～175℃ 212A 3263pF @ 1V、1MHz
MBR60060CTR GeneSiC Semiconductor MBR60060CTR 129.3585
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 ECAD 7033 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR60060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 60V 300A 800毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
GKR26/04 GeneSiC Semiconductor GKR26/04 -
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 ECAD 5627 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 400V 1.55V@60A 4毫安@400伏 -40℃～180℃ 25A -
FR70J05 GeneSiC Semiconductor FR70J05 17.5905
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 ECAD 3949 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70J05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor MBR200200CT 90.1380
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 ECAD 4613 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200200 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 200V 100A 920毫伏@100安 3毫安@200伏 -55℃～150℃
FR6J05 GeneSiC Semiconductor FR6J05 4.9020
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 ECAD 7258 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR6J05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.4V@6A 500纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 6A -
MURF10010R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫10010R -
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 ECAD 2428 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1（无限制） 穆尔夫10010RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 100V 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
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 ECAD 37 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB GB01SLT12 SiC（碳化硅）肖特基 SMB (DO-214AA) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@1A 0纳秒 10μA@1200V -55℃～175℃ 2.5A 69pF@1V、1MHz
MBRH24020 GeneSiC Semiconductor MBRH24020 76.4925
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 ECAD 2417 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 720毫伏@240安 1毫安@20伏 -55℃～150℃ 240A -
MBRF60020 GeneSiC Semiconductor MBRF60020 -
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 ECAD 8539 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 20V 300A 650毫伏@300安 10毫安@20伏 -40℃～175℃
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔20060CTR 101.6625
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 ECAD 5262 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯20060 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔20060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 600伏 100A 1.7V@50A 110纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
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 ECAD 4538 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1184AR 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N1184ARGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 100V 1.1V@40A 50V时为10μA -65℃～200℃ 40A -
MBRT40045DL GeneSiC Semiconductor MBRT40045DL 88.1588
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 ECAD 2897 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT40045 肖特基 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对中央 45V 200A（直流） 580毫伏@200安 5毫安@45伏 -40℃～100℃
MBR20020CT GeneSiC Semiconductor MBR20020CT 90.1380
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 ECAD 8286 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20020 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR20020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 20V 200A（直流） 650毫伏@100安 5毫安@20伏
MBRT20080 GeneSiC Semiconductor MBRT20080 98.8155
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 ECAD 3151 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT20080GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 100A 880 毫伏 @ 100 安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MURTA400120R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔400120R 174.1546
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 ECAD 9467 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔400120 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共阳极 1200伏 200A 2.6V@200A 1200V时为25μA -55℃～150℃
MBR20045CT GeneSiC Semiconductor MBR20045CT 90.1380
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 ECAD 2192 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20045 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR20045CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 45V 200A（直流） 650毫伏@100安 5毫安@20伏
GKN71/14 GeneSiC Semiconductor GKN71/14 12.5767
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 ECAD 8988 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 GKN71 标准 溶解O - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1400伏 1.5V@60A 10毫安@1400伏 -40℃～180℃ 95A -
MURF30005 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫30005 -
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 ECAD 5572 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 50V 150A 1V@150A 50V时为25μA -55℃～150℃
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔20020CTR 101.6625
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 ECAD 6212 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯20020 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR20020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 200V 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBRTA600200R GeneSiC Semiconductor MBRTA600200R -
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 ECAD 7016 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 200V 300A 920毫伏@300安 4毫安@200伏 -55℃～150℃
FR85J05 GeneSiC Semiconductor FR85J05 23.1210
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 ECAD 7253 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR85J05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.4V@85A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 85A -
S25B GeneSiC Semiconductor S25B 5.2485
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 ECAD 3484 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S25BGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 100V 1.1V@25A 50V时为10μA -65℃～175℃ 25A -
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔60040 188.1435
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 ECAD 8920 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔塔60040GN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 400V 300A 1.5V@300A 220纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MURT30005 GeneSiC Semiconductor MURT30005 -
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 ECAD 5053 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT30005GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 50V 150A 1.3V@150A 100纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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