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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT40060R | 118.4160 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT40060 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT40060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 60 V | 200a | 800 mv @ 200 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | Murt30020 | 118.4160 | ![]() | 1294 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt30020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 150a | 1.3 V @ 150 A | 100 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR6060R | 21.3105 | ![]() | 3703 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MBR6060 | 肖特基,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR6060RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||
![]() | MSRTA300160D | 159.9075 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MSRTA300 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRTA300160D | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 300A | 1.1 V @ 300 A | 20 µA @ 1600 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRT30045 | 107.3070 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1088 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | S320J | 63.8625 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S320 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S320JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 300 A | 10 µA @ 600 V | -60°C〜180°C | 320a | - | ||||||||
![]() | MBR500200CT | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 250a | 920 MV @ 250 A | 3 ma @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBRH15020RL | - | ![]() | 6323 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基,反极性 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 580 mv @ 150 A | 3 ma @ 20 V | 150a | - | ||||||||||||
![]() | S85V | 12.1170 | ![]() | 8070 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S85VGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 85a | - | |||||||||
1N6098 | 24.1300 | ![]() | 5218 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N6098 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1107 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 700 MV @ 50 A | 5 ma @ 30 V | -65°C〜150°C | 50a | - | |||||||||
![]() | MBR6060 | 20.2695 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MBR6060 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR6060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||
![]() | MBRH120100 | 60.0375 | ![]() | 1464 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRH120100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 120 A | 4 mA @ 20 V | 120a | - | ||||||||||
![]() | MBRH120200 | 60.0375 | ![]() | 9663 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 920 MV @ 120 A | 1 mA @ 200 V | 120a | - | |||||||||||
1N3671AR | 4.2345 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3671AR | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1036 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | |||||||||
![]() | MBRH12030R | 60.0375 | ![]() | 1216 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | MBRH12030 | 肖特基,反极性 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRH12030RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 650 MV @ 120 A | 4 mA @ 20 V | 120a | - | |||||||||
![]() | Murta20040r | 145.3229 | ![]() | 4975 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta20040 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 25 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBR60020CTRL | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MUR2X120A06 | 50.2485 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 600 v | 120a | 1.3 V @ 120 A | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||
![]() | MBRT30030 | 107.3070 | ![]() | 3535 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT30030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | S25MR | 5.2485 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | S25M | 标准,反极性 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S25MRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 25a | - | ||||||||
![]() | S16MR | 4.5900 | ![]() | 5544 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 16m | 标准,反极性 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S16MRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 16 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||
![]() | MBR20035CTR | 90.1380 | ![]() | 8159 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR20035 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR20035CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 200a(DC) | 650 MV @ 100 A | 5 ma @ 20 V | |||||||||
![]() | FR85BR05 | 24.1260 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR85BR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.4 V @ 85 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | ||||||||
![]() | FST6360M | - | ![]() | 3705 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 750 MV @ 30 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | DB103G | 1.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB103 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | GKN71/14 | 12.5767 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | GKN71 | 标准 | do-5 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.5 V @ 60 A | 10 ma @ 1400 V | -40°C〜180°C | 95a | - | |||||||||
![]() | S300Y | 65.5700 | ![]() | 118 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S300 | 标准 | do-9 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1056 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.2 V @ 300 A | 10 µA @ 1600 V | -60°C〜180°C | 300A | - | ||||||||
FR85GR02 | 24.1260 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 85a | - | |||||||||
![]() | GB05MPS33-263 | 30.3000 | ![]() | 162 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA | GB05MPS33 | SIC (碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1351 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 3300 v | 3 V @ 5 A | 0 ns | 10 µA @ 3000 V | -55°C 〜175°C | 14a | 288pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | 1N1200AR | 4.2345 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1200AR | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1011 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 12a | - |
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