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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 结构 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | SCR、扩散数量 | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBJ2501G | 0.8955 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ2501 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ2501GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05V@12.5A | 10μA@100V | 25A | 单相 | 100V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBJ2510G | 0.8955 | ![]() | 5203 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ2510 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ2510GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05V@12.5A | 10μA@1000V | 25A | 单相 | 1kV | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBJ402G | 0.5160 | ![]() | 6064 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ402 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ402GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1V@4A | 5μA@200V | 4A | 单相 | 200V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBJ406G | 0.5160 | ![]() | 4282 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ406 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ406GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1V@4A | 5μA@600V | 4A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||
KBPC1508T | 2.1795 | ![]() | 9681 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC1508 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 800V时为5μA | 15A | 单相 | 800V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPM202G | - | ![]() | 7183 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM202GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 5μA@50V | 2A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPM206G | - | ![]() | 3874 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM206GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 5μA@50V | 2A | 单相 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU1002 | 0.8205 | ![]() | 3939 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBU1002GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05V@10A | 10μA@200V | 10A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | M3P100A-160 | - | ![]() | 6564 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 5-SMD模块 | 标准 | 5-SMD | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.15V@100A | 10毫安@1600伏 | 100A | 土耳其 | 1.6kV | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3291AR | 33.5805 | ![]() | 9204 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3291AR | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3291ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.5V@100A | 24毫安@400伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GE2X8MPS06D | 5.1900 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GE2X8 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GE2X8MPS06D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 19A(直流) | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S40M | 7.6470 | ![]() | 4676 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF40030 | - | ![]() | 4834 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 200A | 700毫伏@200安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR40030CTL | - | ![]() | 4971 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 200A | 580毫伏@200安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X080A060 | 48.6255 | ![]() | 7179 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 80A | 750毫伏@80安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30040CT | 94.5030 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30040 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30040CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 150A | 650毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫10020R | - | ![]() | 9568 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫10020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRH20080R | 70.0545 | ![]() | 3860 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH20080 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840 毫伏 @ 200 安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR7535R | 21.9195 | ![]() | 第1581章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR7535 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7535RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 750毫伏@75安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | 75A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S16DR | 4.5900 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S16D | 标准,反脊柱 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S16DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GKN240/16 | 73.3638 | ![]() | 9498 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | GKN240 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.4V@60A | 60毫安@1600伏 | -40℃~180℃ | 320A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫30060R | - | ![]() | 6383 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 150A | 1.7V@150A | 150纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR16K05 | 8.2245 | ![]() | 6816 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.1V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU6D | 0.5385 | ![]() | 2656 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU6 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU6DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 5μA@200V | 6A | 单相 | 200V | ||||||||||||||||||||||||||
2N7638-GA | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 225°C(太焦) | 表面贴装 | TO-276AA | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-276 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1242-1149 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 650伏 | 8A(温度)(158°C) | - | 170毫欧@8A | - | - | 720pF@35V | - | 200W(温度) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF40035R | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | MBRF40035RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 200A | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫40010 | - | ![]() | 6036 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 200A | 1V@200A | 150纳秒 | 100V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30030L | - | ![]() | 1606 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR3520 | 14.3280 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 肖特基 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR3520GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 680 毫伏 @ 35 安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 35A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GA080TH65 | 2.0000 | ![]() | 9549 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 安装结构 | SOT-227-2 | GA080 | 单身的 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1242-1145 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 6.5kV | 139 一个 | - | 100毫安 | 80A | 1 可控硅 |
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