SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
RFQ
ECAD 9407 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40060 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT40060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURT30020 GeneSiC Semiconductor Murt30020 118.4160
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt30020gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR6060R GeneSiC Semiconductor MBR6060R 21.3105
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MBR6060 肖特基,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR6060RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 750 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MSRTA300160D GeneSiC Semiconductor MSRTA300160D 159.9075
RFQ
ECAD 7548 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA300160D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1600 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1600 V -55°C〜150°C
MBRT30045 GeneSiC Semiconductor MBRT30045 107.3070
RFQ
ECAD 5037 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1088 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S320J GeneSiC Semiconductor S320J 63.8625
RFQ
ECAD 6900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S320 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S320JGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MBR500200CT GeneSiC Semiconductor MBR500200CT -
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBRH15020RL GeneSiC Semiconductor MBRH15020RL -
RFQ
ECAD 6323 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基,反极性 D-67 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 580 mv @ 150 A 3 ma @ 20 V 150a -
S85V GeneSiC Semiconductor S85V 12.1170
RFQ
ECAD 8070 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S85VGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
1N6098 GeneSiC Semiconductor 1N6098 24.1300
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N6098 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1107 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 700 MV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 50a -
MBR6060 GeneSiC Semiconductor MBR6060 20.2695
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MBR6060 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR6060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 750 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MBRH120100 GeneSiC Semiconductor MBRH120100 60.0375
RFQ
ECAD 1464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRH120100GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 840 mv @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
MBRH120200 GeneSiC Semiconductor MBRH120200 60.0375
RFQ
ECAD 9663 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 920 MV @ 120 A 1 mA @ 200 V 120a -
1N3671AR GeneSiC Semiconductor 1N3671AR 4.2345
RFQ
ECAD 3922 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3671AR 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1036 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBRH12030R GeneSiC Semiconductor MBRH12030R 60.0375
RFQ
ECAD 1216 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH12030 肖特基,反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRH12030RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
MURTA20040R GeneSiC Semiconductor Murta20040r 145.3229
RFQ
ECAD 4975 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta20040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL -
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR2X120A06 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A06 50.2485
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MUR2X120 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2独立 600 v 120a 1.3 V @ 120 A 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
MBRT30030 GeneSiC Semiconductor MBRT30030 107.3070
RFQ
ECAD 3535 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT30030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S25MR GeneSiC Semiconductor S25MR 5.2485
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 S25M 标准,反极性 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S25MRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S16MR GeneSiC Semiconductor S16MR 4.5900
RFQ
ECAD 5544 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 16m 标准,反极性 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S16MRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR 90.1380
RFQ
ECAD 8159 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR20035CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 35 v 200a(DC) 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
FR85BR05 GeneSiC Semiconductor FR85BR05 24.1260
RFQ
ECAD 6838 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR85BR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FST6360M GeneSiC Semiconductor FST6360M -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 750 MV @ 30 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
DB103G GeneSiC Semiconductor DB103G 1.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB103 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 200 V 1 a 单相 200 v
GKN71/14 GeneSiC Semiconductor GKN71/14 12.5767
RFQ
ECAD 8988 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 GKN71 标准 do-5 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 95a -
S300Y GeneSiC Semiconductor S300Y 65.5700
RFQ
ECAD 118 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S300 标准 do-9 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1056 Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 300A -
FR85GR02 GeneSiC Semiconductor FR85GR02 24.1260
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1010 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 85 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33-263 30.3000
RFQ
ECAD 162 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 表面安装 TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA GB05MPS33 SIC (碳化硅) TO-263-7 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-1351 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 3300 v 3 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 3000 V -55°C 〜175°C 14a 288pf @ 1V,1MHz
1N1200AR GeneSiC Semiconductor 1N1200AR 4.2345
RFQ
ECAD 3615 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1200AR 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1011 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库