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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 当前 - 最大 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电阻@If,F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR50040CTR | - | ![]() | 7408 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR50040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | S12QR | 4.2345 | ![]() | 9111 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12Q | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12QRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT12080R | 75.1110 | ![]() | 2011年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT12080 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT12080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫30020R | - | ![]() | 4843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 200V | 150A | 1V@150A | 25μA@200V | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3892R | 9.3600 | ![]() | 第494章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3892R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1092 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.4V@12A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF12030 | - | ![]() | 3993 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FR16G02 | 8.1330 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 900毫伏@16安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫20040R | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫20040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 100A | 1.3V@100A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | DB105G | 0.1980 | ![]() | 8839 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB105 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB105GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1A | 600V时为10μA | 1A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||
![]() | GA01PNS150-220 | 561.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 结合 | GA01PNS150 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1258 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1A | 7pF@1000V,1MHz | PIN-单个 | 15000V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30020CTRL | - | ![]() | 4998 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC1510W | 2.1825 | ![]() | 5560 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 安装结构 | 4方,KBPC-W | KBPC1510 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 1kV | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6096R | 14.8695 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N6096R | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N6096RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 580毫伏@25安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | G3R30MT12J | 22.8300 | ![]() | 第489章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G3R30 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R30MT12J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 1200伏 | 96A(温度) | 15V | 36mOhm@50A,15V | 2.69V@12mA | 155nC@15V | ±15V | 800V时为3901pF | - | 459W(温度) | ||||||||||||||||
![]() | KBL601G | 0.5805 | ![]() | 1260 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL601 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL601GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 5μA@50V | 6A | 单相 | 50V | ||||||||||||||||||||||
![]() | KBPM2005G | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM2005GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 5μA@50V | 2A | 单相 | 50V | |||||||||||||||||||||||
![]() | 国标J25B | 0.9795 | ![]() | 第1534章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25B | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 10μA@100V | 25A | 单相 | 100伏 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30060CTR | 94.5030 | ![]() | 第1364章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30060 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30060CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 150A | 750毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | KBPM301G | - | ![]() | 9154 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM301GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 100伏 | |||||||||||||||||||||||
![]() | KBPM201G | - | ![]() | 4986 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 5μA@50V | 2A | 单相 | 100伏 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC5004T | 4.0155 | ![]() | 3326 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC5004 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 5μA@400V | 50A | 单相 | 400伏 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3766R | 6.2320 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3766R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3766RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔特30060R | 118.4160 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT30060 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT30060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 150A | 1.7V@150A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | S70Q | 9.8985 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70QGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 70A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT300100R | 107.3070 | ![]() | 7838 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT300100 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT300100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100伏 | 150A | 880毫伏@150安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | FST12020 | 70.4280 | ![]() | 9170 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST12020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40060R | 118.4160 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40060 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 200A | 800毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔7020R | 17.7855 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 穆尔7020 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF120200R | - | ![]() | 4199 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GC02MPS12-220 | 1.3770 | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GC02MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1323 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为2μA | -55℃~175℃ | 12A | 127pF@1V、1MHz |
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