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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 当前 - 最大 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电阻@If,F
MBR50040CTR GeneSiC Semiconductor MBR50040CTR -
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ECAD 7408 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR50040CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
S12QR GeneSiC Semiconductor S12QR 4.2345
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ECAD 9111 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S12Q 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S12QRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
MBRT12080R GeneSiC Semiconductor MBRT12080R 75.1110
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ECAD 2011年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT12080 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT12080RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 60A 880毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MURF30020R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫30020R -
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ECAD 4843 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共阳极 200V 150A 1V@150A 25μA@200V -55℃~150℃
1N3892R GeneSiC Semiconductor 1N3892R 9.3600
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ECAD 第494章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3892R 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1092 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400伏 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
MBRF12030 GeneSiC Semiconductor MBRF12030 -
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ECAD 3993 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 60A 700 毫伏 @ 60 安 1毫安@30伏 -55℃~150℃
FR16G02 GeneSiC Semiconductor FR16G02 8.1330
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ECAD 6045 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16G02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400伏 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MURF20040R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫20040R -
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ECAD 4729 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244AB - 1(无限制) 穆尔夫20040RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400伏 100A 1.3V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
DB105G GeneSiC Semiconductor DB105G 0.1980
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ECAD 8839 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-EDIP (0.321", 8.15mm) DB105 标准 数据库 下载 符合RoHS标准 1(无限制) DB105GGN EAR99 8541.10.0080 2,500人 1.1V@1A 600V时为10μA 1A 单相 600伏
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
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ECAD 4 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 结合 GA01PNS150 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1258 EAR99 8541.10.0080 10 1A 7pF@1000V,1MHz PIN-单个 15000V -
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTRL -
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ECAD 4998 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 150A 580毫伏@150安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
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ECAD 5560 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 安装结构 4方,KBPC-W KBPC1510 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@7.5A 1000V时为5μA 15A 单相 1kV
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
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ECAD 2380 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N6096R 肖特基,反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N6096RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 580毫伏@25安 2毫安@20伏 -55℃~150℃ 25A -
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J 22.8300
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ECAD 第489章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G3R30 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G3R30MT12J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 1200伏 96A(温度) 15V 36mOhm@50A,15V 2.69V@12mA 155nC@15V ±15V 800V时为3901pF - 459W(温度)
KBL601G GeneSiC Semiconductor KBL601G 0.5805
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ECAD 1260 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBL KBL601 标准 韩国广播公司 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBL601GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 5μA@50V 6A 单相 50V
KBPM2005G GeneSiC Semiconductor KBPM2005G -
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ECAD 9982 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 KBPM2005GGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1V@2A 5μA@50V 2A 单相 50V
GBJ25B GeneSiC Semiconductor 国标J25B 0.9795
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ECAD 第1534章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标J25 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ25B EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@12.5A 10μA@100V 25A 单相 100伏
MBR30060CTR GeneSiC Semiconductor MBR30060CTR 94.5030
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ECAD 第1364章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR30060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 60V 150A 750毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
KBPM301G GeneSiC Semiconductor KBPM301G -
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ECAD 9154 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 KBPM301GGN EAR99 8541.10.0080 900 1.1V@3A 5μA@50V 3A 单相 100伏
KBPM201G GeneSiC Semiconductor KBPM201G -
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ECAD 4986 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1V@2A 5μA@50V 2A 单相 100伏
GBPC5004T GeneSiC Semiconductor GBPC5004T 4.0155
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ECAD 3326 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC GBPC5004 标准 GBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.2V@25A 5μA@400V 50A 单相 400伏
1N3766R GeneSiC Semiconductor 1N3766R 6.2320
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ECAD 4368 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3766R 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3766RGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
MURT30060R GeneSiC Semiconductor 穆尔特30060R 118.4160
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ECAD 8258 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MURT30060 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT30060RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 600伏 150A 1.7V@150A 200纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
S70Q GeneSiC Semiconductor S70Q 9.8985
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ECAD 3541 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S70QGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@70A 10μA@100V -65℃~180℃ 70A -
MBRT300100R GeneSiC Semiconductor MBRT300100R 107.3070
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ECAD 7838 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT300100 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT300100RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100伏 150A 880毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
FST12020 GeneSiC Semiconductor FST12020 70.4280
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ECAD 9170 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST12020GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 120A(直流) 650毫伏@120安 2毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
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ECAD 9407 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT40060 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT40060RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 60V 200A 800毫伏@200安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MUR7020R GeneSiC Semiconductor 穆尔7020R 17.7855
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ECAD 9716 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 穆尔7020 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔7020RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
MBRF120200R GeneSiC Semiconductor MBRF120200R -
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ECAD 4199 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 60A 920 毫伏 @ 60 安 1毫安@200伏 -55℃~150℃
GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 1.3770
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ECAD 2249 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GC02MPS12 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1323 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@2A 0纳秒 1200V时为2μA -55℃~175℃ 12A 127pF@1V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库