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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
GBJ25J	0.9795	RFQ	1665年	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ25J	Ear99	8541.10.0080	200														1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 600 V		25 a		单相	600 v
G3R40MT12J	17.9800	RFQ	39	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	G3R40	sicfet （碳化硅）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R40MT12J	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	75A（TC）	15V	48mohm @ 35a，15v	2.69V @ 10mA	106 NC @ 15 V	±15V	2929 PF @ 800 V	-	374W（TC）
GC05MPS33J	23.9900	RFQ	5673	基因半导体	Sic Schottky MPS™	管子	积极的		表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		SIC （碳化硅）	TO-263-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1242-GC05MPS33J	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）												3300 v		0 ns		175°C	5a	-
SD51R	20.2170	RFQ	3373	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	SD51	肖特基，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SD51RGN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												45 v	660 mv @ 60 a		5 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	60a	-
W005m	-	RFQ	7362	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）		W005MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000														1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1.5 a		单相	50 V
2W01M	-	RFQ	7626	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）		2W01MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000														1.1 V @ 2 A		10 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
2W04M	-	RFQ	3087	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）		2W04MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000														1.1 V @ 2 A		10 µA @ 400 V		2 a		单相	400 v
BR1010	0.9555	RFQ	7726	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准	BR-10	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR1010GN	Ear99	8541.10.0080	200														1.1 V @ 5 A		10 µA @ 1000 V		10 a		单相	1 kV
BR31	0.5700	RFQ	5959	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR31GN	Ear99	8541.10.0080	200														1 V @ 1.5 A		10 µA @ 100 V		3 a		单相	100 v
BR310	0.5700	RFQ	1707年	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR310GN	Ear99	8541.10.0080	200														1 V @ 1.5 A		10 µA @ 1000 V		3 a		单相	1 kV
BR38	0.5700	RFQ	9479	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR38GN	Ear99	8541.10.0080	200														1 V @ 1.5 A		10 µA @ 800 V		3 a		单相	800 v
BR66	0.7425	RFQ	3731	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准	BR-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR66GN	Ear99	8541.10.0080	200														1 V @ 3 A		10 µA @ 600 V		6 a		单相	600 v
BR805	0.8910	RFQ	8408	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR805GN	Ear99	8541.10.0080	200														1.1 V @ 4 A		10 µA @ 50 V		8 a		单相	50 V
BR81	2.0200	RFQ	453	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	200														1.1 V @ 4 A		10 µA @ 100 V		8 a		单相	100 v
BR88	2.0200	RFQ	347	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR88GN	Ear99	8541.10.0080	200														1.1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		8 a		单相	800 v
DB102G	0.1980	RFQ	2400	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB102	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		DB102GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500														1.1 V @ 1 A		10 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
DB106G	0.1980	RFQ	5029	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB106	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		DB106GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500														1.1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		1 a		单相	800 v
FR40JR02	13.8360	RFQ	4966	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR40JR02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1 V @ 40 A	250 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	40a	-
GBL04	2.9400	RFQ	4711	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，gbl		标准	GBL	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBL04GN	Ear99	8541.10.0080	500														1.1 V @ 4 A		5 µA @ 400 V		4 a		单相	400 v
GBPC15005T	2.4180	RFQ	7711	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC15005	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50														1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
GBPC1501T	2.4180	RFQ	1134	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC1501	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50														1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 100 V		15 a		单相	100 v
GBPC25005T	2.5335	RFQ	3216	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC25005	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50														1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
GBPC2508T	4.2000	RFQ	2	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC2508	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50														1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
GBPC35010T	2.3424	RFQ	9553	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC35010	标准	GBPC	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	200														1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
GBPC3506T	2.8650	RFQ	1002	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC3506	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50														1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 600 V		35 a		单相	600 v
GBPC5008T	4.0155	RFQ	5381	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC5008	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50														1.2 V @ 25 A		5 µA @ 800 V		50 a		单相	800 v
GBU10A	1.6300	RFQ	7	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU10	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu10agn	Ear99	8541.10.0080	500														1.1 V @ 10 A		5 µA @ 50 V		10 a		单相	50 V
GBU10G	1.6300	RFQ	7	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU10	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu10ggn	Ear99	8541.10.0080	500														1.1 V @ 10 A		5 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
GBU15A	0.6120	RFQ	1395年	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU15	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu15agn	Ear99	8541.10.0080	500														1.1 V @ 15 A		5 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
GBU15J	0.6120	RFQ	3371	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU15	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu15jgn	Ear99	8541.10.0080	500														1.1 V @ 15 A		5 µA @ 600 V		15 a		单相	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²