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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id 惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs Vgs（最大） 输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds 场效应管特性 消耗（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
KBPC5008W GeneSiC Semiconductor KBPC5008W 2.5875
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 ECAD 5375 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4方，KBPC-W KBPC5008 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@25A 800V时为5μA 50A 单相 800V
GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 -
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 ECAD 3661 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 过时的 表面贴装 TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA GB05MPS17 SiC（碳化硅）肖特基 TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-GB05MPS17-263 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 -55℃～175℃ 18A 470pF@1V、1MHz
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W08M -
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 ECAD 7436 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -65°C ~ 125°C（太焦） 通孔 4-循环，口碑 标准 口碑营销 下载 1（无限制） 2W08MGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1V@2A 800V时为10μA 2A 单相 800V
BR82 GeneSiC Semiconductor BR82 0.8910
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 ECAD 6917 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C（太焦） 通孔 4方，BR-8 标准 BR-8 下载 符合RoHS标准 1（无限制） BR82GN EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@4A 10μA@200V 8A 单相 200V
G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K 17.6700
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 ECAD 4250 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-4 G3R40 SiCFET（碳化硅） TO-247-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-G3R40MT12K EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 1200伏 71A（温度） 15V 48毫欧@35A，15V 2.69V@10mA 106nC@15V ±15V 800V时为2929pF - 333W（温度）
GBJ35G GeneSiC Semiconductor 国标J35G 1.6410
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 ECAD 5702 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ GBJ35 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ35G EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@17.5A 400V时为10μA 35A 单相 400伏
BR32 GeneSiC Semiconductor BR32 0.5700
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 ECAD 8222 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C（太焦） 通孔 4方，BR-3 标准 BR-3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） BR32GN EAR99 8541.10.0080 200 1V@1.5A 10μA@200V 3A 单相 200V
1N5833R GeneSiC Semiconductor 1N5833R 19.7895
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 ECAD 5744 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N5833R 肖特基，反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N5833RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 550毫伏@40安 20毫安@10伏 -65℃～150℃ 40A -
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔10060CTR -
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 ECAD 3340 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR10060CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 600伏 50A 1.7V@50A 110纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBRT40040 GeneSiC Semiconductor MBRT40040 118.4160
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 ECAD 1032 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT40040GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 40V 200A 750 毫伏 @ 200 安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRT20035R GeneSiC Semiconductor MBRT20035R 98.8155
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 ECAD 6920 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT20035 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1102 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 35V 100A 750毫伏@100安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
1N1190A GeneSiC Semiconductor 1N1190A 10.3200
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 ECAD 102 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1190 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1043 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.1V@40A 50V时为10μA -65℃～190℃ 40A -
UFT14010 GeneSiC Semiconductor UFT14010 -
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 ECAD 7822 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-249AB 标准 TO-249AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 70A 1V@70A 75纳秒 100V时为25μA -55℃～150℃
MUR7040R GeneSiC Semiconductor 穆尔7040R 17.7855
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 ECAD 2508 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 穆尔7040 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔7040RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.3V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃ 70A -
MBR30035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30035CTRL -
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 ECAD 2690 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 35V 150A 600毫伏@150安 3毫安@35伏 -55℃～150℃
MBRT500150R GeneSiC Semiconductor MBRT500150R -
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 ECAD 6137 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 150伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
MBRF40040 GeneSiC Semiconductor MBRF40040 -
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 ECAD 6647 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 40V 200A 700毫伏@200安 1毫安@40伏 -55℃～150℃
GBJ30B GeneSiC Semiconductor 国标J30B 1.1205
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 ECAD 8713 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ 国标J30 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ30B EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@15A 100V时为5μA 30A 单相 100伏
GBJ30M GeneSiC Semiconductor GBJ30M 1.1205
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 ECAD 4017 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ 国标J30 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ30M EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@15A 1000V时为5μA 30A 单相 1kV
GKR26/08 GeneSiC Semiconductor GKR26/08 -
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 ECAD 8755 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.55V@60A 4毫安@800伏 -40℃～180℃ 25A -
FR40GR02 GeneSiC Semiconductor FR40GR02 13.8360
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 ECAD 6032 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1054 EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1V@40A 200纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 40A -
MBR40060CTR GeneSiC Semiconductor MBR40060CTR 98.8155
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 ECAD 7044 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR40060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR40060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 60V 200A 800毫伏@200安 5毫安@20伏 -55℃～150℃
MSRTA60060A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060A 109.2000
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 ECAD 8253 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA60060 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 600伏 600A（直流） 1.2V@600A 600V时为25μA -40℃～175℃
MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A120 51.8535
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 ECAD 第1302章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 120V 120A 880毫伏@120安 3毫安@120伏 -40℃～150℃
MUR2520R GeneSiC Semiconductor 穆尔2520R 10.1910
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 ECAD 2903 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 毛里求斯2520 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔2520RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃～150℃ 25A -
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔40020 159.9075
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 ECAD 2399 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 200V 200A 1.3V@200A 25μA@200V -55℃～150℃
MURH10040R GeneSiC Semiconductor 穆尔赫10040R 49.5120
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 ECAD 3404 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 穆尔赫10040 标准，反脊柱 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔赫10040RGN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.3V@100A 90纳秒 50V时为25μA 100A -
2W04M GeneSiC Semiconductor 2W04M -
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 ECAD 3087 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -65°C ~ 125°C（太焦） 通孔 4-循环，口碑 标准 口碑营销 下载 1（无限制） 2W04MGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1V@2A 400V时为10μA 2A 单相 400伏
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
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 ECAD 6358 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 20V 300A 580毫伏@300安 3毫安@20伏 -55℃～150℃
MBR600150CT GeneSiC Semiconductor MBR600150CT 129.3585
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 ECAD 4175 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR600150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 150伏 300A 880毫伏@300安 3毫安@150伏 -55℃～150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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