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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet 电流 -最大 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电阻 @ if，f
KBP203G GeneSiC Semiconductor KBP203G -
RFQ
 ECAD 7456 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP 标准 KBP - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
KBPC15005W GeneSiC Semiconductor KBPC15005W 2.1795
RFQ
 ECAD 4543 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC15005 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 15 a 单相 50 V
KBPC1504W GeneSiC Semiconductor KBPC1504W 2.1795
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC1504 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，KBPC-W KBPC1510 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
KBPC2501W GeneSiC Semiconductor KBPC2501W 2.2995
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC2501 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
KBPC2502W GeneSiC Semiconductor KBPC2502W 2.2995
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC2502 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
KBPC2506W GeneSiC Semiconductor KBPC2506W 2.2995
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC2506 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
KBPC3502W GeneSiC Semiconductor KBPC3502W 2.4720
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC3502 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
KBPC3510W GeneSiC Semiconductor KBPC3510W 2.4750
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC3510 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
KBPC5001W GeneSiC Semiconductor KBPC5001W 2.5875
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC5001 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
KBPC5004W GeneSiC Semiconductor KBPC5004W 2.5875
RFQ
 ECAD 5926 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC5004 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 400 V 50 a 单相 400 v
KBPC5006W GeneSiC Semiconductor KBPC5006W 2.5875
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC5006 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
MURTA30020 GeneSiC Semiconductor Murta30020 159.9075
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 200 v 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
GA080TH65 GeneSiC Semiconductor GA080TH65 2.0000
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-2 GA080 单身的 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1145 Ear99 8541.30.0080 1 6.5 kV 139 a - 100 ma 80 a 1 scr
MBRH30045RL GeneSiC Semiconductor MBRH30045RL -
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C 300A -
2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 表面安装 TO-276AA SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-276 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1149 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 8A（TC）（158°C） - 170MOHM @ 8A - - 720 PF @ 35 V - 200W（TC）
MUR2X030A06 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A06 -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1306 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 30a 1.5 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
FR85GR05 GeneSiC Semiconductor FR85GR05 24.1260
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85GR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
GKR71/12 GeneSiC Semiconductor GKR71/12 12.8537
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 GKR71 标准 do-5 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 95a -
S40QR GeneSiC Semiconductor S40QR 6.3770
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S40Q 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40QRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MUR5005R GeneSiC Semiconductor MUR5005R 17.8380
RFQ
 ECAD 4842 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MUR5005 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR5005RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
KBPC3501T GeneSiC Semiconductor KBPC3501T 2.4720
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，KBPC-T KBPC3501 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201 561.0000
RFQ
 ECAD 5655 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） DO-201 AD，轴向 GA01PNS150 DO-201-201 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1347 Ear99 8541.10.0080 10 1 a 22pf @ 1V，1MHz PIN-单 15000V -
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K 69.1800
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 G3R12M sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R12MT12K Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 157a（TC） 15V，18V 13mohm @ 100a，18v 2.7V @ 50mA 288 NC @ 15 V +22V，-10V 9335 PF @ 800 V - 567W（TC）
GBJ6K GeneSiC Semiconductor GBJ6K 0.6645
RFQ
 ECAD 1160 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ6 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ6K Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 800 V 6 a 单相 800 v
GBJ10M GeneSiC Semiconductor GBJ10M 0.7470
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ10 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ10M Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 A 5 µA @ 1000 V 10 a 单相 1 kV
GBJ30B GeneSiC Semiconductor GBJ30B 1.1205
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ30 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ30B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 100 V 30 a 单相 100 v
GBJ15B GeneSiC Semiconductor GBJ15B 0.7875
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ15 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ15B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 100 V 15 a 单相 100 v
GBJ20G GeneSiC Semiconductor GBJ20G 0.9120
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ20 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ20G Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 A 5 µA @ 400 V 20 a 单相 400 v
MSRTA300120D GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D 159.9075
RFQ
 ECAD 4570 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA300 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA300120D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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