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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
MBRT40080	98.7424	RFQ	5705	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRT40080GN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	80 V	200a	880 mv @ 200 a		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
kbu8a	-	RFQ	3434	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准	KBU	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	300					1 V @ 8 A		10 µA @ 50 V		8 a		单相	50 V
kbu8d	0.7425	RFQ	6103	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		kbu8dgn	Ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 8 A		10 µA @ 200 V		8 a		单相	200 v
M3P100A-100	-	RFQ	1695年	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25					1.15 V @ 100 A		10 mA @ 1000 V		100 a		三期	1 kV
M3P75A-100	-	RFQ	8608	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5-SMD模块		标准	5-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24					1.15 V @ 75 A		10 µA @ 1000 V		75 a		三期	1 kV
M3P75A-140	-	RFQ	7969	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5-SMD模块		标准	5-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24					1.15 V @ 75 A		10 µA @ 1400 V		75 a		三期	1.4 kV
M3P75A-160	-	RFQ	4030	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5-SMD模块		标准	5-SMD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24					1.15 V @ 75 A		10 µA @ 1600 V		75 a		三期	1.6 kV
2W02M	-	RFQ	4033	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）		2W02MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000					1.1 V @ 2 A		10 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
2W10m	-	RFQ	4910	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）		2W10MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000					1.1 V @ 2 A		10 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
BR61	0.7425	RFQ	4886	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准	BR-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		br61gn	Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 3 A		10 µA @ 100 V		6 a		单相	100 v
BR610	0.7425	RFQ	5194	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准	BR-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR610GN	Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 3 A		10 µA @ 1000 V		6 a		单相	1 kV
BR62	1.8200	RFQ	1	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准	BR-6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 3 A		10 µA @ 200 V		6 a		单相	200 v
BR84	0.8910	RFQ	1683年	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR84GN	Ear99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		8 a		单相	400 v
DB107G	0.1980	RFQ	5022	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB107	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		DB107GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500					1.1 V @ 1 A		10 µA @ 1000 V		1 a		单相	1 kV
FR85D02	23.1210	RFQ	3577	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR85D02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.4 V @ 85 A	200 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	85a	-
GBJ30K	1.1205	RFQ	6434	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ30	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ30K	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 15 A		5 µA @ 800 V		30 a		单相	800 v
GBJ25G	0.9795	RFQ	6281	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ25G	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
GBJ6G	0.6645	RFQ	5991	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ6	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ6G	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 3 A		5 µA @ 400 V		6 a		单相	400 v
GBJ15K	0.7875	RFQ	3176	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ15K	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 7.5 A		10 µA @ 800 V		15 a		单相	800 v
MSRT150140D	98.8155	RFQ	9637	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRT150	标准	三个塔	下载	rohs3符合条件			1242-MSRT150140D	Ear99	8541.10.0080	40	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1400 v	150a	1.1 V @ 150 A		10 µA @ 1400 V	-55°C〜150°C
GBJ30J	1.1205	RFQ	4294	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ30	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ30J	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 15 A		5 µA @ 600 V		30 a		单相	600 v
MSRT150120D	98.8155	RFQ	5031	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRT150	标准	三个塔	下载	rohs3符合条件			1242-MSRT150120D	Ear99	8541.10.0080	40	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1200 v	150a	1.1 V @ 150 A		10 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C
GBJ30D	1.1205	RFQ	7632	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ30	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ30D	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 15 A		5 µA @ 200 V		30 a		单相	200 v
GBJ35J	1.5132	RFQ	3595	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ35	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ35J	Ear99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 600 V		35 a		单相	600 v
GBJ25K	0.9795	RFQ	5563	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ25K	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
GBJ6M	0.6645	RFQ	2848	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ6	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ6M	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 3 A		5 µA @ 1000 V		6 a		单相	1 kV
GBJ10J	0.7470	RFQ	8686	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10J	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 5 A		5 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
GBJ15J	0.7875	RFQ	5273	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ15J	Ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 7.5 A		5 µA @ 600 V		15 a		单相	600 v
KBPC35010T	2.0176	RFQ	8979	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC35010	标准	KBPC-T	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
GKN130/16	35.3677	RFQ	6548	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	GKN130	标准	DO-205AA（DO-8）	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1600 v		1.5 V @ 60 A		22 ma @ 1600 V	-40°C〜180°C	165a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²