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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
UFT7360M GeneSiC Semiconductor UFT7360M -
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ECAD 3893 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 标准 D61-3M - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 70A 1.7V@35A 90纳秒 600V时为20μA -55℃~150℃
MBR6030R GeneSiC Semiconductor MBR6030R 21.3105
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ECAD 4745 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR6030 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR6030RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 650 毫伏 @ 60 安 5毫安@20伏 -65℃~150℃ 60A -
KBL606G GeneSiC Semiconductor KBL606G 0.5805
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ECAD 8943 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBL KBL606 标准 韩国广播公司 下载 符合RoHS标准 1(无限制) KBL606GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 5μA@600V 6A 单相 600伏
MSRT100160AD GeneSiC Semiconductor MSRT100160AD 54.0272
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ECAD 2247 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 微软RT100 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1600伏 100A 1.1V@100A 10μA@1600V -55℃~150℃
GBJ25G GeneSiC Semiconductor 国标J25G 0.9795
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ECAD 6281 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标J25 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ25G EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@12.5A 400V时为10μA 25A 单相 400V
KBPM310G GeneSiC Semiconductor KBPM310G -
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ECAD 8841 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 KBPM310GGN EAR99 8541.10.0080 900 1.1V@3A 5μA@50V 3A 单相 1kV
GBPC3504T GeneSiC Semiconductor GBPC3504T 4.6200
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ECAD 第467章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC-T GBPC3504 标准 GBPC-T 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 5μA@400V 35A 单相 400V
MBRT40035RL GeneSiC Semiconductor MBRT40035RL -
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ECAD 3676 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 200A 600毫伏@200安 3毫安@35伏 -55℃~150℃
FR6K05 GeneSiC Semiconductor FR6K05 5.0745
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ECAD 4999 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6K05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.4V@6A 500纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 6A -
MURH7040 GeneSiC Semiconductor 默尔H7040 49.5120
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ECAD 9358 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.3V@70A 90纳秒 400V时为25μA -55℃~155℃ 70A -
MSRT100100D GeneSiC Semiconductor MSRT100100D 87.1935
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ECAD 4135 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 微软RT100 标准 三塔 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRT100100D EAR99 8541.10.0080 40 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1000伏 100A 1.1V@100A 10μA@1000V -55℃~150℃
KBPC3506T GeneSiC Semiconductor KBPC3506T 2.4720
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ECAD 1836年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC3506 标准 KBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@17.5A 5μA@600V 35A 单相 600伏
GBJ6B GeneSiC Semiconductor 国标J6B 0.6645
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ECAD 9226 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标6 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ6B EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@3A 100V时为5μA 6A 单相 100V
MSRT150140AD GeneSiC Semiconductor MSRT150140AD 71.6012
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ECAD 9567 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1400伏 150A 1.1V@150A 10μA@1400V -55℃~150℃
1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA -
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ECAD 8416 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 通孔 TO-257-3 1N8024 SiC(碳化硅)肖特基 TO-257 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.74V@750mA 0纳秒 10μA@1200V -55℃~250℃ 750毫安 66pF@1V、1MHz
GBPC5004W GeneSiC Semiconductor GBPC5004W 4.0155
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ECAD 6179 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4方,GBPC-W GBPC5004 标准 GBPC-W 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.2V@25A 5μA@400V 50A 单相 400V
GBPC15010T GeneSiC Semiconductor GBPC15010T 1.8979
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ECAD 8514 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC-T GBPC15010 标准 GBPC-T - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@7.5A 1000V时为5μA 15A 单相 1kV
S40Y GeneSiC Semiconductor S40Y 8.4675
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ECAD 8792 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S40YGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1600伏 1.1V@40A 10μA@100V -65℃~160℃ 40A -
MBRH30030L GeneSiC Semiconductor MBRH30030L -
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ECAD 6258 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 580毫伏@300安 3毫安@30伏 -55℃~150℃ 300A -
MSRTA30080AD GeneSiC Semiconductor MSRTA30080AD 113.5544
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ECAD 3891 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA300 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 800V 300A 1.1V@300A 800V时为20μA -55℃~150℃
GBU6A GeneSiC Semiconductor GBU6A 0.5385
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ECAD 6749 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBU GBU6 标准 GBU 下载 符合RoHS标准 1(无限制) GBU6AGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 5μA@50V 6A 单相 50V
MURTA60020 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔60020 188.1435
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ECAD 5611 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔塔60020GN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 300A 1.3V@300A 200纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBRF20045 GeneSiC Semiconductor MBRF20045 -
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ECAD 8356 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 100A 700毫伏@100安 1毫安@45伏 -55℃~150℃
KBU6M GeneSiC Semiconductor KBU6M 1.7600
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ECAD 7656 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBU KBU6 标准 科布 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 400 1V@6A 10μA@1000V 6A 单相 1kV
FST160200 GeneSiC Semiconductor FST160200 75.1110
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ECAD 3080 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 80A 920毫伏@80安 1毫安@200伏 -55℃~150℃
MBR60045CTL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTL -
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ECAD 3019 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 300A 600 毫伏 @ 300 安 5毫安@45伏 -55℃~150℃
MSRTA30060D GeneSiC Semiconductor MSRTA30060D 159.9075
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ECAD 4464 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 模块 MSRTA300 标准 - 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRTA30060D EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 600伏 300A 1.1V@300A 600V时为20μA -55℃~150℃
MBRT60045RL GeneSiC Semiconductor MBRT60045RL -
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ECAD 6544 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 300A 600 毫伏 @ 300 安 5毫安@45伏 -55℃~150℃
KBPC3502T GeneSiC Semiconductor KBPC3502T 2.4720
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ECAD 9006 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC3502 标准 KBPC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@17.5A 5μA@200V 35A 单相 200V
MBRT200150 GeneSiC Semiconductor MBRT200150 98.8155
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ECAD 4589 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
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