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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id Vgs（最大） 输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds 场效应管特性 消耗（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
S70Y GeneSiC Semiconductor S70Y 10.2225
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 ECAD 1079 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S70YGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1600伏 1.1V@70A 10μA@100V -65℃～150℃ 70A -
MBRT300150R GeneSiC Semiconductor MBRT300150R 107.3070
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 ECAD 4645 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT300150 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 150伏 150A 880毫伏@150安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
FST7380M GeneSiC Semiconductor FST7380M -
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 ECAD 第1731章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 35A 840 毫伏 @ 35 安 1毫安@80伏 -55℃～150℃
MBRF40080R GeneSiC Semiconductor MBRF40080R -
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 ECAD 2563 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 80V 200A 840 毫伏 @ 200 安 1毫安@80伏 -55℃～150℃
FR85B02 GeneSiC Semiconductor FR85B02 23.1210
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 ECAD 9625 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR85B02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1.4V@85A 200纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 85A -
MBR7540 GeneSiC Semiconductor MBR7540 20.8845
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 ECAD 8902 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR7540GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 650毫伏@75安 5毫安@20伏 -65℃～150℃ 75A -
S16KR GeneSiC Semiconductor S16KR 4.5900
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 ECAD 2238 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S16K 标准，反脊柱 - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S16KRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃～175℃ 16A -
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 -
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 ECAD 2862 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4，迷你块 SiC（碳化硅结晶体管） SOT-227 下载 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 10 - 1200伏 160A（温度） - 10毫欧@100A - - 800V时为14400pF - 535W（温度）
1N3891R GeneSiC Semiconductor 1N3891R 6.8085
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 ECAD 7390 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3891R 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3891RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
MBRT60060R GeneSiC Semiconductor MBRT60060R 140.2020
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 ECAD 5079 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT60060 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT60060RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 60V 300A 800毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRT40040 GeneSiC Semiconductor MBRT40040 118.4160
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 ECAD 1032 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT40040GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 40V 200A 750 毫伏 @ 200 安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0.7425
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 ECAD 3583 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C（太焦） 通孔 4方，BR-6 标准 BR-6 下载 符合RoHS标准 1（无限制） BR68GN EAR99 8541.10.0080 200 1V@3A 800V时为10μA 6A 单相 800V
GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-220 -
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 ECAD 第1262章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 通孔 TO-220-2 GB05SLT12 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@2A 0纳秒 1200V时为50μA -55℃～175℃ 5A 260pF@1V、1MHz
FR70B02 GeneSiC Semiconductor FR70B02 17.5905
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 ECAD 1076 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70B02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1.4V@70A 200纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
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 ECAD 3843 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3209R 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3209RGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 100伏 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃～175℃ 15A -
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A02 36.7500
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 ECAD 3579 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 穆尔2X030 标准 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1305 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 200V 30A 1V@30A 60纳秒 25μA@200V -55℃～175℃
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
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 ECAD 130 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-206AB、TO-46-3金属罐 GB02SHT01 SiC（碳化硅）肖特基 TO-46 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1254 EAR99 8541.10.0080 200 无恢复T>500mA(Io) 100伏 1.6V@1A 0纳秒 100V时为5μA -55℃～210℃ 4A 76pF@1V、1MHz
MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A04 50.2485
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 ECAD 2845 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 穆尔2X120 标准 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 52 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 2 独立 400伏 120A 1.3V@120A 400V时为25μA -55℃～175℃
S320J GeneSiC Semiconductor S320J 63.8625
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 ECAD 6900 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S320 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S320JGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.2V@300A 600V时为10μA -60℃～180℃ 320A -
MBR6080R GeneSiC Semiconductor MBR6080R 21.3105
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 ECAD 7547 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR6080 肖特基，反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR6080RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 80V 840 毫伏 @ 60 安 5毫安@20伏 -65℃～150℃ 60A -
MBRH30030RL GeneSiC Semiconductor MBRH30030RL -
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 ECAD 2434 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 580毫伏@300安 3毫安@30伏 -55℃～150℃ 300A -
MURT10010R GeneSiC Semiconductor 穆尔特10010R -
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 ECAD 9699 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT10010RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 100伏 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBRH15045L GeneSiC Semiconductor MBRH15045L -
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 ECAD 6212 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 45V 600毫伏@150安 5毫安@45伏 150A -
S70K GeneSiC Semiconductor S70K 9.8985
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 ECAD 6299 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S70KGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.1V@70A 10μA@100V -65℃～180℃ 70A -
MBRF50045R GeneSiC Semiconductor MBRF50045R -
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 ECAD 7242 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 45V 250A 750毫伏@250安 1毫安@45伏 -55℃～150℃
MBRT40045 GeneSiC Semiconductor MBRT40045 121.6500
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 ECAD 13 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1059 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 45V 200A 750 毫伏 @ 200 安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
S300Y GeneSiC Semiconductor S300Y 65.5700
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 ECAD 118 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S300 标准 DO-9 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1056 EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1600伏 1.2V@300A 10μA@1600V -60℃～180℃ 300A -
FR12DR02 GeneSiC Semiconductor FR12DR02 9.2235
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 ECAD 5915 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR12DR02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 800毫伏@12安 200纳秒 100V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
MSRT100120AD GeneSiC Semiconductor MSRT100120AD 54.0272
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 ECAD 5144 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 微软RT100 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1200伏 100A 1.1V@100A 10μA@1200V -55℃～150℃
GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247 8.6460
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 ECAD 3246 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-3 GC2X10 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-1330 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 1200伏 50A（直流） 1.8V@10A 0纳秒 10μA@1200V -55℃～175℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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