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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MBR3530R GeneSiC Semiconductor MBR3530R 15.1785
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR3530 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3530RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBRF400200 GeneSiC Semiconductor MBRF400200 -
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 200a 920 MV @ 200 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRH20035R GeneSiC Semiconductor MBRH20035R 70.0545
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20035 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20035RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
FR6B02 GeneSiC Semiconductor FR6B02 4.9020
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6B02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBR30020CTL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTL -
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT30035 GeneSiC Semiconductor MBRT30035 111.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1005 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR40JR05 GeneSiC Semiconductor FR40JR05 11.5380
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40JR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 300A 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MSRT15060A GeneSiC Semiconductor MSRT15060A 38.5632
RFQ
 ECAD 5888 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRH200100R GeneSiC Semiconductor MBRH200100R 70.0545
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH200100 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH200100RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MURT40005 GeneSiC Semiconductor Murt40005 -
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt40005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MSRT20060D GeneSiC Semiconductor MSRT20060D 110.1030
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT20060D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 600 v 200a 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRF120150R GeneSiC Semiconductor MBRF120150R -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
1N3880R GeneSiC Semiconductor 1N3880R 5.1225
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3880R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3880RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MURT30040 GeneSiC Semiconductor Murt30040 118.4160
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt30040gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 150a 1.35 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR12030CT GeneSiC Semiconductor MBR12030CT 68.8455
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1090 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 120A（DC） 650 mv @ 60 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR6080 GeneSiC Semiconductor MBR6080 20.2695
RFQ
 ECAD 4475 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR6080 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6080GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MBRT40030L GeneSiC Semiconductor MBRT40030L -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT400150R GeneSiC Semiconductor MBRT400150R 118.4160
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT400150 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
S70DR GeneSiC Semiconductor S70DR 9.8985
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70D 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70DRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MURH10010R GeneSiC Semiconductor Murh10010r 49.5120
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh10010 标准，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murh10010RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
1N3881R GeneSiC Semiconductor 1N3881R 7.3900
RFQ
 ECAD 592 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3881R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1086 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
S40BR GeneSiC Semiconductor S40BR 7.6470
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S40B 标准，反极性 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40BRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MBRH20030R GeneSiC Semiconductor MBRH20030R 70.0545
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20030 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20030RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
S16J GeneSiC Semiconductor S16J 4.5900
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A045 45.3800
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X030 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1297 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 60a 700 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
FR6GR05 GeneSiC Semiconductor FR6GR05 8.6370
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6GR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
S85M GeneSiC Semiconductor S85M 11.8980
RFQ
 ECAD 9124 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
S320K GeneSiC Semiconductor S320K 63.8625
RFQ
 ECAD 8900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320KGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MURTA30020R GeneSiC Semiconductor Murta30020r 159.9075
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta30020 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 200 v 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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