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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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![]() | MBR60035CTL | - | ![]() | 2201 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N2137AR | 8.9025 | ![]() | 第1642章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N2137AR | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N2137ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 500V | 1.1V@60A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 60A | - | |||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔30040R | 159.9075 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔30040 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 150A | 1.3V@150A | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | GA05JT12-247 | - | ![]() | 1135 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-247AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200伏 | 5A(温度) | - | 280毫欧@5A | - | - | - | 106W(温度) | |||||||||||||||||
![]() | UFT7340M | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 标准 | D61-3M | - | 1(无限制) | Q11259022 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 70A | 1.3V@35A | 75纳秒 | 400V时为20μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF200100 | - | ![]() | 2919 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | FR16DR02 | 8.5020 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 900毫伏@16安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||||||||||||||
![]() | 1N3296A | 37.4800 | ![]() | 143 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3296 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3296AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.5V@100A | 9毫安@1200伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||||||||||||
![]() | GBJ20J | 0.9120 | ![]() | 9925 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J20 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ20J | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1V@10A | 5μA@600V | 20A | 单相 | 600伏 | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH20030R | 70.0545 | ![]() | 5434 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH20030 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRTA300100AD | 113.5544 | ![]() | 7956 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA300 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1000伏 | 300A | 1.1V@300A | 1000V时为20μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT500100 | - | ![]() | 第1383章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 1(无限制) | MBRT500100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 250A | 880毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FST160100 | 75.1110 | ![]() | 6738 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST160100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 160A(直流) | 880毫伏@160安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBR50030CT | - | ![]() | 2893 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR50030CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | 穆尔10020CT | 75.1110 | ![]() | 7359 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯10020 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR10020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||
![]() | MBR12035CTR | 68.8455 | ![]() | 2768 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12035 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR12035CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 3毫安@20伏 | ||||||||||||||||||
![]() | FST16080 | 75.1110 | ![]() | 4115 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST16080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 160A(直流) | 880毫伏@160安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT30035R | 111.0800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT30035 | 肖特基,反 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1004 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 150A | 750毫伏@150安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | MBRH15030L | - | ![]() | 8124 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 580毫伏@150安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | 150A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR80100R | 1985年22月 | ![]() | 4945 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR80100 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR80100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 840毫伏@80安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 80A | - | |||||||||||||||||
GC20MPS12-247 | 9.0525 | ![]() | 7176 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GC20MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1338 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 18μA@1200V | -55℃~175℃ | 90A | 1298pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | G3R60MT07J | 10.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | - | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-G3R60MT07J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 750伏 | - | - | - | - | +20V,-10V | - | - | ||||||||||||||
![]() | MBRTA60035 | - | ![]() | 4321 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 300A | 700 毫伏 @ 300 安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MSRT150100AD | 51.0360 | ![]() | 3366 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1000伏 | 150A | 1.1V@150A | 10μA@1000V | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBR600100CT | 129.3585 | ![]() | 3371 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR600100 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR600100CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 300A | 880毫伏@300安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | S150M | 35.5695 | ![]() | 5758 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | S150 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S150MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -65℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRTA80030RL | - | ![]() | 4676 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 400A | 580毫伏@400安 | 3毫安@30伏 | -40℃~100℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRH240150R | 76.4925 | ![]() | 2288 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH240150 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 880毫伏@240安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRH20080 | 70.0545 | ![]() | 9447 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840 毫伏 @ 200 安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF40080R | - | ![]() | 2563 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 200A | 840 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ |
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