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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id Vgs（最大） 场效应管特性 消耗（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL -
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 ECAD 2201 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 35V 300A 600 毫伏 @ 300 安 3毫安@35伏 -55℃～150℃
1N2137AR GeneSiC Semiconductor 1N2137AR 8.9025
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 ECAD 第1642章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N2137AR 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N2137ARGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 500V 1.1V@60A 50V时为10μA -65℃～200℃ 60A -
MURTA30040R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔30040R 159.9075
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 ECAD 6838 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔30040 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共阳极 400伏 150A 1.3V@150A 400V时为25μA -55℃～150℃
GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247 -
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 ECAD 1135 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 175°C（太焦） 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅结晶体管） TO-247AB - 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 30 - 1200伏 5A（温度） - 280毫欧@5A - - - 106W（温度）
UFT7340M GeneSiC Semiconductor UFT7340M -
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 ECAD 3616 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 标准 D61-3M - 1（无限制） Q11259022 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 400伏 70A 1.3V@35A 75纳秒 400V时为20μA -55℃～150℃
MBRF200100 GeneSiC Semiconductor MBRF200100 -
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 ECAD 2919 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 60A 840 毫伏 @ 60 安 1毫安@100伏 -55℃～150℃
FR16DR02 GeneSiC Semiconductor FR16DR02 8.5020
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 ECAD 6699 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR16DR02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃～150℃ 16A -
1N3296A GeneSiC Semiconductor 1N3296A 37.4800
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 ECAD 143 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3296 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3296AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1200伏 1.5V@100A 9毫安@1200伏 -40℃～200℃ 100A -
GBJ20J GeneSiC Semiconductor GBJ20J 0.9120
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 ECAD 9925 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ 国标J20 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ20J EAR99 8541.10.0080 200 1V@10A 5μA@600V 20A 单相 600伏
MBRH20030R GeneSiC Semiconductor MBRH20030R 70.0545
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 ECAD 5434 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH20030 肖特基，反 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRH20030RGN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 650毫伏@200安 5毫安@20伏 200A -
MSRTA300100AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300100AD 113.5544
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 ECAD 7956 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA300 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1000伏 300A 1.1V@300A 1000V时为20μA -55℃～150℃
MBRT500100 GeneSiC Semiconductor MBRT500100 -
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 ECAD 第1383章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 1（无限制） MBRT500100GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
FST160100 GeneSiC Semiconductor FST160100 75.1110
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 ECAD 6738 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FST160100GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 160A（直流） 880毫伏@160安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBR50030CT GeneSiC Semiconductor MBR50030CT -
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 ECAD 2893 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR50030CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 30V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor 穆尔10020CT 75.1110
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 ECAD 7359 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯10020 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR10020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 200V 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor MBR12035CTR 68.8455
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 ECAD 2768 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12035 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR12035CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 35V 120A（直流） 650毫伏@120安 3毫安@20伏
FST16080 GeneSiC Semiconductor FST16080 75.1110
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 ECAD 4115 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FST16080GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 160A（直流） 880毫伏@160安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
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 ECAD 16 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT30035 肖特基，反 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1004 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 35V 150A 750毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRH15030L GeneSiC Semiconductor MBRH15030L -
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 ECAD 8124 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 580毫伏@150安 3毫安@30伏 -55℃～150℃ 150A -
MBR80100R GeneSiC Semiconductor MBR80100R 1985年22月
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 ECAD 4945 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR80100 肖特基，反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR80100RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 840毫伏@80安 5毫安@20伏 -65℃～150℃ 80A -
GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247 9.0525
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 ECAD 7176 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GC20MPS12 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-1338 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@20A 0纳秒 18μA@1200V -55℃～175℃ 90A 1298pF @ 1V、1MHz
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J 10.7000
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 ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 - 表面贴装 TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA SiCFET（碳化硅） TO-263-7 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-G3R60MT07J EAR99 8541.29.0095 50 - 750伏 - - - - +20V，-10V - -
MBRTA60035 GeneSiC Semiconductor MBRTA60035 -
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 ECAD 4321 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 35V 300A 700 毫伏 @ 300 安 1毫安@35伏 -55℃～150℃
MSRT150100AD GeneSiC Semiconductor MSRT150100AD 51.0360
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 ECAD 3366 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1000伏 150A 1.1V@150A 10μA@1000V -55℃～150℃
MBR600100CT GeneSiC Semiconductor MBR600100CT 129.3585
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 ECAD 3371 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR600100 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR600100CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 300A 880毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
S150M GeneSiC Semiconductor S150M 35.5695
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 ECAD 5758 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 S150 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S150MGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1000伏 1.2V@150A 600V时为10μA -65℃～200℃ 150A -
MBRTA80030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA80030RL -
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 ECAD 4676 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 400A 580毫伏@400安 3毫安@30伏 -40℃～100℃
MBRH240150R GeneSiC Semiconductor MBRH240150R 76.4925
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 ECAD 2288 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH240150 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 150伏 880毫伏@240安 1毫安@150伏 -55℃～150℃ 240A -
MBRH20080 GeneSiC Semiconductor MBRH20080 70.0545
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 ECAD 9447 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRH20080GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 80V 840 毫伏 @ 200 安 5毫安@20伏 200A -
MBRF40080R GeneSiC Semiconductor MBRF40080R -
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 ECAD 2563 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 80V 200A 840 毫伏 @ 200 安 1毫安@80伏 -55℃～150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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