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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
MURF40010R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫40010R -
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ECAD 3044 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100伏 200A 1V@200A 150纳秒 100V时为25μA -55℃~150℃
S25DR GeneSiC Semiconductor S25DR 5.2485
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ECAD 7653 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S25D 标准,反脊柱 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S25DRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.1V@25A 50V时为10μA -65℃~175℃ 25A -
MBRT60045L GeneSiC Semiconductor MBRT60045L -
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ECAD 2539 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 300A 600 毫伏 @ 300 安 5毫安@45伏 -55℃~150℃
MBRT200100 GeneSiC Semiconductor MBRT200100 102.9600
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ECAD 69 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1075 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
1N3890R GeneSiC Semiconductor 1N3890R 6.8085
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ECAD 6817 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3890R 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3890RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
MURT20060 GeneSiC Semiconductor MURT20060 104.4930
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ECAD 5897 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT20060GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 100A 1.7V@100A 160纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MURF30010 GeneSiC Semiconductor 穆尔夫30010 -
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ECAD 9707 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 100伏 150A 1V@150A 100V时为25μA -55℃~150℃
MBRT400100R GeneSiC Semiconductor MBRT400100R 118.4160
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ECAD 2612 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT400100 肖特基,反 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1017 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100伏 200A 880毫伏@200安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor MSRTA200100D 142.3575
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ECAD 4542 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 模块 MSRTA200 标准 - 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRTA200100D EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1000伏 200A 1.1V@200A 10μA@1000V -55℃~150℃
MURT20010 GeneSiC Semiconductor MURT20010 104.4930
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ECAD 1832年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT20010GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MUR7020 GeneSiC Semiconductor 穆尔7020 17.5905
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ECAD 7661 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1014 EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A200 59.6700
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ECAD 2131 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 200V 160A 920毫伏@160安 3毫安@200伏 -40℃~150℃
MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor MBR60020CTR 129.3585
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ECAD 7733 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60020 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR60020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 300A 750毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBR12045CTR GeneSiC Semiconductor MBR12045CTR 73.9100
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ECAD 18 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12045 肖特基,反 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1068 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 120A(直流) 650 毫伏 @ 60 安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
MBR2X030A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A100 45.3800
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ECAD 8002 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X030 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1298 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 100伏 60A 840 毫伏 @ 30 安 1毫安@100伏 -40℃~150℃
FR16KR05 GeneSiC Semiconductor FR16KR05 8.5020
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ECAD 2467 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16KR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.1V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MUR2520 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯2520 10.1910
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ECAD 6528 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔2520GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 25A -
FR16BR05 GeneSiC Semiconductor FR16BR05 8.5020
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ECAD 9708 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16BR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1.1V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MBR40020CTR GeneSiC Semiconductor MBR40020CTR 98.8155
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ECAD 3646 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR40020 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR40020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 200A 650毫伏@200安 5毫安@20伏 -55℃~150℃
FR40BR05 GeneSiC Semiconductor FR40BR05 13.8360
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ECAD 2002年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR40BR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@40A 500纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 40A -
MBR20060CT GeneSiC Semiconductor MBR20060CT 90.1380
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ECAD 5435 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20060 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR20060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 200A(直流) 750毫伏@100安 5毫安@20伏
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 -
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ECAD 6985 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 300A 920毫伏@300安 4毫安@200伏 -55℃~150℃
MBR500100CT GeneSiC Semiconductor MBR500100CT -
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ECAD 8812 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR500100CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTL -
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ECAD 8989 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 300A 580毫伏@300安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
S300GR GeneSiC Semiconductor S300GR 63.8625
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ECAD 6829 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S300 标准,反脊柱 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S300GRGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.2V@300A 10μA@100V -60℃~200℃ 300A -
S16Q GeneSiC Semiconductor S16Q 4.5900
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ECAD 第1153章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃~175℃ 16A -
MBRH20035 GeneSiC Semiconductor MBRH20035 70.0545
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ECAD 7861 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH20035GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 35V 650毫伏@200安 5毫安@20伏 200A -
MURH10005R GeneSiC Semiconductor 穆尔赫10005R -
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ECAD 8182 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 标准,反脊柱 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURH10005RGN EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA 100A -
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA -
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ECAD 8687 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 225°C(太焦) 表面贴装 TO-276AA SiC(碳化硅结晶体管) TO-276 - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 1242-1147 EAR99 8541.29.0095 10 - 650伏 4A(温度)(165°C) - 415毫欧@4A - - 324pF@35V - 125W(温度)
MURH7060 GeneSiC Semiconductor 默尔H7060 49.5120
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ECAD 第1252章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.7V@70A 110纳秒 600V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库