分立半导体产品(2160)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F
穆尔夫40010R	-	询价	3044	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共阳极	100伏	200A	1V@200A	150纳秒	100V时为25μA	-55℃～150℃
S25DR	5.2485	询价	7653	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	S25D	标准，反脊柱	-	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	S25DRGN	EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												200V		1.1V@25A		50V时为10μA	-65℃～175℃	25A	-
MBRT60045L	-	询价	2539	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	45V	300A	600 毫伏 @ 300 安		5毫安@45伏	-55℃～150℃
MBRT200100	102.9600	询价	69	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1075	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	100伏	100A	880 毫伏 @ 100 安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
1N3890R	6.8085	询价	6817	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N3890R	标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1N3890RGN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												100伏		1.4V@12A	200纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	12A	-
MURT20060	104.4930	询价	5897	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MURT20060GN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	600伏	100A	1.7V@100A	160纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
穆尔夫30010	-	询价	9707	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)											1对共轴线	100伏	150A	1V@150A		100V时为25μA	-55℃～150℃
MBRT400100R	118.4160	询价	2612	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT400100	肖特基，反	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1017	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共阳极	100伏	200A	880毫伏@200安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MSRTA200100D	142.3575	询价	4542	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	模块	MSRTA200	标准	-	下载	符合ROHS3标准		1242-MSRTA200100D	EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)											1对中央	1000伏	200A	1.1V@200A		10μA@1000V	-55℃～150℃
MURT20010	104.4930	询价	1832年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MURT20010GN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	100伏	100A	1.3V@100A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
穆尔7020	17.5905	询价	7661	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1014	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V		1V@70A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃	70A	-
MBR2X160A200	59.6700	询价	2131	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X160	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											2 独立	200V	160A	920毫伏@160安		3毫安@200伏	-40℃～150℃
MBR60020CTR	129.3585	询价	7733	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR60020	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR60020CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共阳极	20V	300A	750毫伏@300安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR12045CTR	73.9100	询价	18	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR12045	肖特基，反	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1068	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共阳极	45V	120A（直流）	650 毫伏 @ 60 安		3毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR2X030A100	45.3800	询价	8002	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	MBR2X030	肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1298	EAR99	8541.10.0080	52	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											2 独立	100伏	60A	840 毫伏 @ 30 安		1毫安@100伏	-40℃～150℃
FR16KR05	8.5020	询价	2467	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FR16KR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												800V		1.1V@16A	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	16A	-
毛里求斯2520	10.1910	询价	6528	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	穆尔2520GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V		1V@25A	75纳秒	50V时为10μA	-55℃～150℃	25A	-
FR16BR05	8.5020	询价	9708	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FR16BR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												100伏		1.1V@16A	500纳秒	100V时为25μA	-65℃～150℃	16A	-
MBR40020CTR	98.8155	询价	3646	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR40020	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR40020CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共阳极	20V	200A	650毫伏@200安		5毫安@20伏	-55℃～150℃
FR40BR05	13.8360	询价	2002年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FR40BR05GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												100伏		1V@40A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	40A	-
MBR20060CT	90.1380	询价	5435	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR20060	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR20060CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	60V	200A（直流）	750毫伏@100安		5毫安@20伏
MBRTA600200	-	询价	6985	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	200V	300A	920毫伏@300安		4毫安@200伏	-55℃～150℃
MBR500100CT	-	询价	8812	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR500100CTGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	100伏	250A	880毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR60020CTL	-	询价	8989	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基	双塔	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）											1对共轴线	20V	300A	580毫伏@300安		3毫安@20伏	-55℃～150℃
S300GR	63.8625	询价	6829	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AB、DO-9、螺柱	S300	标准，反脊柱	DO-205AB (DO-9)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	S300GRGN	EAR99	8541.10.0080	8	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												400伏		1.2V@300A		10μA@100V	-60℃～200℃	300A	-
S16Q	4.5900	询价	第1153章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	-	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1200伏		1.1V@16A		50V时为10μA	-65℃～175℃	16A	-
MBRH20035	70.0545	询价	7861	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67		肖特基	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBRH20035GN	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												35V		650毫伏@200安		5毫安@20伏		200A	-
穆尔赫10005R	-	询价	8182	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D-67		标准，反脊柱	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MURH10005RGN	EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												50V		1.3V@100A	75纳秒	50V时为25μA		100A	-
2N7636-GA	-	询价	8687	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	表面贴装	TO-276AA		SiC（碳化硅结晶体管）	TO-276	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	1242-1147	EAR99	8541.29.0095	10		-	650伏	4A（温度）（165°C）	-	415毫欧@4A	-	-	324pF@35V	-	125W（温度）
默尔H7060	49.5120	询价	第1252章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67		标准	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												600伏		1.7V@70A	110纳秒	600V时为25μA	-55℃～150℃	70A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2160)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²