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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
1N2137AR GeneSiC Semiconductor 1N2137AR 8.9025
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ECAD 第1642章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N2137AR 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N2137ARGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 500V 1.1V@60A 50V时为10μA -65℃~200℃ 60A -
MUR7020 GeneSiC Semiconductor 穆尔7020 17.5905
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ECAD 7661 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1014 EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
MBR2X030A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A100 45.3800
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ECAD 8002 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X030 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1298 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 100伏 60A 840 毫伏 @ 30 安 1毫安@100伏 -40℃~150℃
MURH10020 GeneSiC Semiconductor 穆尔赫10020 49.5120
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ECAD 5888 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔赫10020GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA 100A -
MBRH24040 GeneSiC Semiconductor MBRH24040 76.4925
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ECAD 9312 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 720毫伏@240安 1毫安@40伏 -55℃~150℃ 240A -
MBRF50060 GeneSiC Semiconductor MBRF50060 -
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ECAD 3725 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 250A 780毫伏@250安 1毫安@60伏 -55℃~150℃
FR6D02 GeneSiC Semiconductor FR6D02 4.9020
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ECAD 7727 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6D02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 6A -
MBR40020CTR GeneSiC Semiconductor MBR40020CTR 98.8155
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ECAD 3646 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR40020 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR40020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 200A 650毫伏@200安 5毫安@20伏 -55℃~150℃
MURF40010R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫40010R -
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ECAD 3044 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100伏 200A 1V@200A 150纳秒 100V时为25μA -55℃~150℃
MURT20010 GeneSiC Semiconductor MURT20010 104.4930
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ECAD 1832年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT20010GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBR60035CTL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL -
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ECAD 2201 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 300A 600 毫伏 @ 300 安 3毫安@35伏 -55℃~150℃
MBRF500150 GeneSiC Semiconductor MBRF500150 -
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ECAD 3678 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor MBR12035CTR 68.8455
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ECAD 2768 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12035 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR12035CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 120A(直流) 650毫伏@120安 3毫安@20伏
MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A200 59.6700
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ECAD 2131 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 200V 160A 920毫伏@160安 3毫安@200伏 -40℃~150℃
MBRH30035RL GeneSiC Semiconductor MBRH30035RL -
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ECAD 3999 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 35V 600 毫伏 @ 300 安 3毫安@35伏 -55℃~150℃ 300A -
FST16080 GeneSiC Semiconductor FST16080 75.1110
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ECAD 4115 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST16080GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 160A(直流) 880毫伏@160安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT60045L GeneSiC Semiconductor MBRT60045L -
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ECAD 2539 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 300A 600 毫伏 @ 300 安 5毫安@45伏 -55℃~150℃
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
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ECAD 16 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT30035 肖特基,反 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1004 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 150A 750毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
FR16BR05 GeneSiC Semiconductor FR16BR05 8.5020
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ECAD 9708 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16BR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1.1V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MBR500100CT GeneSiC Semiconductor MBR500100CT -
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ECAD 8812 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR500100CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
FR16DR02 GeneSiC Semiconductor FR16DR02 8.5020
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ECAD 6699 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16DR02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 900毫伏@16安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MURTA30040R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔30040R 159.9075
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ECAD 6838 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔30040 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共阳极 400伏 150A 1.3V@150A 400V时为25μA -55℃~150℃
MURH7060 GeneSiC Semiconductor 默尔H7060 49.5120
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ECAD 第1252章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.7V@70A 110纳秒 600V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
FR16KR05 GeneSiC Semiconductor FR16KR05 8.5020
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ECAD 2467 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16KR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.1V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MBRH15030L GeneSiC Semiconductor MBRH15030L -
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ECAD 8124 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 580毫伏@150安 3毫安@30伏 -55℃~150℃ 150A -
MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTL -
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ECAD 8989 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 300A 580毫伏@300安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
1N3296A GeneSiC Semiconductor 1N3296A 37.4800
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ECAD 143 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3296 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3296AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.5V@100A 9毫安@1200伏 -40℃~200℃ 100A -
MUR2520 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯2520 10.1910
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ECAD 6528 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔2520GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 25A -
MBRH20035 GeneSiC Semiconductor MBRH20035 70.0545
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ECAD 7861 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH20035GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 35V 650毫伏@200安 5毫安@20伏 200A -
MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor MBR60020CTR 129.3585
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ECAD 7733 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60020 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR60020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 300A 750毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
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