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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRTA80035L | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 400a | 600 MV @ 400 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR600150CTR | 129.3585 | ![]() | 2637 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR600150 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 300A | 880 mv @ 300 A | 3 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MSRT150120A | 38.5632 | ![]() | 3557 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 150a | 1.2 V @ 150 A | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | S320K | 63.8625 | ![]() | 8900 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S320 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S320KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 300 A | 10 µA @ 600 V | -60°C〜180°C | 320a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRTA300100AD | 113.5544 | ![]() | 7956 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA300 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 300A | 1.1 V @ 300 A | 20 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA50080 | - | ![]() | 6541 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 250a | 840 mv @ 250 A | 1 mA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | G3R60MT07D | 10.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | G3R™ | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-G3R60MT07D | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 750 v | - | - | - | - | +20V,-10V | - | - | |||||||||||||||
![]() | MUR2540 | 10.1910 | ![]() | 5493 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR2540GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 25 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 25a | - | ||||||||||||||||||
![]() | S25D | 5.2485 | ![]() | 8305 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S25DGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 25a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT30030R | 107.3070 | ![]() | 9622 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT30030 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT30030RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||
1N3883 | 7.1300 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3883 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1002 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 6 A | 200 ns | 15 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT40030L | - | ![]() | 8381 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N7636-GA | - | ![]() | 8687 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜225°C(TJ) | 表面安装 | TO-276AA | SIC (硅碳化物交界晶体管) | TO-276 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 1242-1147 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 650 v | 4A(TC)(165°C) | - | 415MOHM @ 4A | - | - | 324 pf @ 35 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||
![]() | GA50JT12-247 | - | ![]() | 1823年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (硅碳化物交界晶体管) | TO-247AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200 v | 100A(TC) | - | 25mohm @ 50a | - | - | 7209 PF @ 800 V | - | 583W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | MBRH20030L | - | ![]() | 8114 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | 200a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF12060 | - | ![]() | 7220 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 60a | 750 mv @ 60 a | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
Mur7020 | 17.5905 | ![]() | 7661 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1014 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA600200 | - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 300A | 920 MV @ 300 A | 4 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | GKN7112 | 13.8392 | ![]() | 4005 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | GKN71 | 标准 | do-5 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.5 V @ 60 A | 10 ma @ 1200 V | -40°C〜180°C | 95a | - | |||||||||||||||||||
![]() | Murh10005r | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 标准,反极性 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murh10005rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | 100a | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N1186 | 6.2320 | ![]() | 7278 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1186 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N1186GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | ||||||||||||||||||
![]() | FST7380M | - | ![]() | 1731年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 35a | 840 mv @ 35 A | 1 mA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRH20045L | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mV @ 200 A | 5 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | 200a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FR30G02 | 13.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1034 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1 V @ 30 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 30a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR50030CT | - | ![]() | 2893 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR50030CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A200 | 51.8535 | ![]() | 6938 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 120a | 920 MV @ 120 A | 3 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | gbu8d | 1.5700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X030A045 | 45.3800 | ![]() | 145 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X030 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1297 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 60a | 700 mv @ 30 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | S16QR | 4.5900 | ![]() | 5525 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | S16Q | 标准,反极性 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S16QRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.1 V @ 16 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF40080R | - | ![]() | 2563 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 200a | 840 mv @ 200 a | 1 mA @ 80 V | -55°C〜150°C |
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