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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 当前的 电压 电压隔离 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id Vgs(最大) 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
FR85JR02 GeneSiC Semiconductor FR85JR02 27.9100
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ECAD 17号 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.4V@85A 250纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 85A -
MBRTA60060R GeneSiC Semiconductor MBRTA60060R -
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ECAD 8481 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 60V 300A 750毫伏@300安 1毫安@60伏 -55℃~150℃
1N3294AR GeneSiC Semiconductor 1N3294AR 33.5805
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ECAD 9504 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3294AR 标准,反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3294ARGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.5V@100A 13毫安@800伏 -40℃~200℃ 100A -
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 -
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ECAD 4245 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA GA05JT12 SiC(碳化硅结晶体管) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 - 1200伏 15A(温度) - - - - - 106W(温度)
MBRF30080 GeneSiC Semiconductor MBRF30080 -
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ECAD 7730 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3008 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 150A 840毫伏@150安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
MBRF12080 GeneSiC Semiconductor MBRF12080 -
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ECAD 3656 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 60A 840 毫伏 @ 60 安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
MBR6080 GeneSiC Semiconductor MBR6080 20.2695
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ECAD 4475 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR6080 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR6080GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 80V 840 毫伏 @ 60 安 5毫安@20伏 -65℃~150℃ 60A -
FST8335M GeneSiC Semiconductor FST8335M -
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ECAD 7632 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 1(无限制) FST8335MGN EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 80A(直流) 650毫伏@80安 1.5毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT30035L GeneSiC Semiconductor MBRT30035L -
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ECAD 7574 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 150A 600毫伏@150安 3毫安@35伏 -55℃~150℃
GA100SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA100SICP12-227 -
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ECAD 1902年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 安装结构 SOT-227-4,迷你块 - 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 10 - 100A 1.2kV -
MBR2X100A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A045 50.2485
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ECAD 5801 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 45V 100A 700毫伏@100安 1毫安@45伏 -40℃~150℃
S6GR GeneSiC Semiconductor S6GR 3.8625
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ECAD 5310 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S6G 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S6GRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.1V@6A 10μA@100V -65℃~175℃ 6A -
FR40B05 GeneSiC Semiconductor FR40B05 12.8985
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ECAD 6808 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR40B05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@40A 500纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 40A -
FR20B02 GeneSiC Semiconductor FR20B02 9.0510
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ECAD 6338 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR20B02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 20A -
MBRH20045 GeneSiC Semiconductor MBRH20045 75.0900
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ECAD 5656 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1006 EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 45V 650毫伏@200安 5毫安@20伏 200A -
MURH10020 GeneSiC Semiconductor 穆尔赫10020 49.5120
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ECAD 5888 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔赫10020GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA 100A -
MBRF500150 GeneSiC Semiconductor MBRF500150 -
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ECAD 3678 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
MUR7005 GeneSiC Semiconductor 穆尔7005 17.5905
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ECAD 8236 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔7005GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
MBRH30035RL GeneSiC Semiconductor MBRH30035RL -
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ECAD 3999 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 35V 600 毫伏 @ 300 安 3毫安@35伏 -55℃~150℃ 300A -
MSRT20080AD GeneSiC Semiconductor MSRT20080AD 80.4872
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ECAD 1220 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT200 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 800V 200A 1.1V@200A 800V时为10μA -55℃~150℃
FR16MR05 GeneSiC Semiconductor FR16MR05 8.5020
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ECAD 1123 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR16MR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.1V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MURTA40060 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔40060 159.9075
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ECAD 5153 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 600伏 200A 1.7V@200A 600V时为25μA -55℃~150℃
FR6D02 GeneSiC Semiconductor FR6D02 4.9020
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ECAD 7727 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6D02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 6A -
MBRF600150R GeneSiC Semiconductor MBRF600150R -
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ECAD 4790 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 150伏 300A 880毫伏@300安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
MBRH20060 GeneSiC Semiconductor MBRH20060 70.0545
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ECAD 8271 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH20060GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 750 毫伏 @ 200 安 5毫安@20伏 200A -
MBRH24040 GeneSiC Semiconductor MBRH24040 76.4925
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ECAD 9312 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 720毫伏@240安 1毫安@40伏 -55℃~150℃ 240A -
S40DR GeneSiC Semiconductor S40DR 7.6470
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ECAD 2168 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 S40D 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S40DRGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.1V@40A 10μA@100V -65℃~190℃ 40A -
MBRF50060 GeneSiC Semiconductor MBRF50060 -
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ECAD 3725 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 250A 780毫伏@250安 1毫安@60伏 -55℃~150℃
MUR40020CT GeneSiC Semiconductor MUR40020CT 132.0780
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ECAD 2448 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯40020 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR40020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 200A 1.3V@125A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBRF60080R GeneSiC Semiconductor MBRF60080R -
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ECAD 4000 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 300A 840毫伏@250安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

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    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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