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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 当前的 | 电压 | 电压隔离 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
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![]() | FR85JR02 | 27.9100 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@85A | 250纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60060R | - | ![]() | 8481 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 300A | 750毫伏@300安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3294AR | 33.5805 | ![]() | 9504 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3294AR | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3294ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@100A | 13毫安@800伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GA05JT12-263 | - | ![]() | 4245 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 175°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | GA05JT12 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 1200伏 | 15A(温度) | - | - | - | - | - | 106W(温度) | |||||||||||||||||
![]() | MBRF30080 | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3008 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 150A | 840毫伏@150安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF12080 | - | ![]() | 3656 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR6080 | 20.2695 | ![]() | 4475 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR6080 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FST8335M | - | ![]() | 7632 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | 下载 | 1(无限制) | FST8335MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 80A(直流) | 650毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30035L | - | ![]() | 7574 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 150A | 600毫伏@150安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | GA100SICP12-227 | - | ![]() | 1902年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | - | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 100A | 1.2kV | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X100A045 | 50.2485 | ![]() | 5801 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 45V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@45伏 | -40℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | S6GR | 3.8625 | ![]() | 5310 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S6G | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S6GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.1V@6A | 10μA@100V | -65℃~175℃ | 6A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FR40B05 | 12.8985 | ![]() | 6808 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1V@40A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FR20B02 | 9.0510 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20B02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH20045 | 75.0900 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1006 | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔赫10020 | 49.5120 | ![]() | 5888 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔赫10020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | 100A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF500150 | - | ![]() | 3678 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 250A | 880毫伏@250安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔7005 | 17.5905 | ![]() | 8236 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH30035RL | - | ![]() | 3999 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 35V | 600 毫伏 @ 300 安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | 300A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSRT20080AD | 80.4872 | ![]() | 1220 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 200A | 1.1V@200A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | FR16MR05 | 8.5020 | ![]() | 1123 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16MR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.1V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔40060 | 159.9075 | ![]() | 5153 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 200A | 1.7V@200A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | FR6D02 | 4.9020 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6D02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF600150R | - | ![]() | 4790 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 150伏 | 300A | 880毫伏@300安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRH20060 | 70.0545 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750 毫伏 @ 200 安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRH24040 | 76.4925 | ![]() | 9312 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 720毫伏@240安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | S40DR | 7.6470 | ![]() | 2168 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S40D | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF50060 | - | ![]() | 3725 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 250A | 780毫伏@250安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MUR40020CT | 132.0780 | ![]() | 2448 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯40020 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 200A | 1.3V@125A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF60080R | - | ![]() | 4000 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 300A | 840毫伏@250安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ |
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