SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
MBRTA80035L GeneSiC Semiconductor MBRTA80035L -
RFQ
ECAD 5521 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 400a 600 MV @ 400 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR 129.3585
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR600150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MSRT150120A GeneSiC Semiconductor MSRT150120A 38.5632
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1200 v 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
S320K GeneSiC Semiconductor S320K 63.8625
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S320 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S320KGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MSRTA300100AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300100AD 113.5544
RFQ
ECAD 7956 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBRTA50080 GeneSiC Semiconductor MBRTA50080 -
RFQ
ECAD 6541 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 250a 840 mv @ 250 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D 10.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 sicfet (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-G3R60MT07D Ear99 8541.29.0095 30 - 750 v - - - - +20V,-10V - -
MUR2540 GeneSiC Semiconductor MUR2540 10.1910
RFQ
ECAD 5493 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR2540GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
S25D GeneSiC Semiconductor S25D 5.2485
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S25DGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRT30030R GeneSiC Semiconductor MBRT30030R 107.3070
RFQ
ECAD 9622 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT30030 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT30030RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3883 GeneSiC Semiconductor 1N3883 7.1300
RFQ
ECAD 47 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3883 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1002 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBRT40030L GeneSiC Semiconductor MBRT40030L -
RFQ
ECAD 8381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA -
RFQ
ECAD 8687 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C(TJ) 表面安装 TO-276AA SIC (硅碳化物交界晶体管) TO-276 - Rohs不合规 (1 (无限) 1242-1147 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 4A(TC)(165°C) - 415MOHM @ 4A - - 324 pf @ 35 V - 125W(TC)
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 -
RFQ
ECAD 1823年 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIC (硅碳化物交界晶体管) TO-247AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 100A(TC) - 25mohm @ 50a - - 7209 PF @ 800 V - 583W(TC)
MBRH20030L GeneSiC Semiconductor MBRH20030L -
RFQ
ECAD 8114 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C 200a -
MBRF12060 GeneSiC Semiconductor MBRF12060 -
RFQ
ECAD 7220 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 60a 750 mv @ 60 a 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MUR7020 GeneSiC Semiconductor Mur7020 17.5905
RFQ
ECAD 7661 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1014 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MBRTA600200 GeneSiC Semiconductor MBRTA600200 -
RFQ
ECAD 6985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 300A 920 MV @ 300 A 4 mA @ 200 V -55°C〜150°C
GKN7112 GeneSiC Semiconductor GKN7112 13.8392
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 GKN71 标准 do-5 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.5 V @ 60 A 10 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 95a -
MURH10005R GeneSiC Semiconductor Murh10005r -
RFQ
ECAD 8182 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 标准,反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murh10005rgn Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
1N1186 GeneSiC Semiconductor 1N1186 6.2320
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1186 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N1186GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
FST7380M GeneSiC Semiconductor FST7380M -
RFQ
ECAD 1731年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 35a 840 mv @ 35 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
MBRH20045L GeneSiC Semiconductor MBRH20045L -
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C 200a -
FR30G02 GeneSiC Semiconductor FR30G02 13.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1034 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
MBR50030CT GeneSiC Semiconductor MBR50030CT -
RFQ
ECAD 2893 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR50030CTGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X120A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A200 51.8535
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 120a 920 MV @ 120 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d 1.5700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V 8 a 单相 200 v
MBR2X030A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A045 45.3800
RFQ
ECAD 145 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X030 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1297 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 60a 700 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
S16QR GeneSiC Semiconductor S16QR 4.5900
RFQ
ECAD 5525 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 S16Q 标准,反极性 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S16QRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBRF40080R GeneSiC Semiconductor MBRF40080R -
RFQ
ECAD 2563 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 80 V 200a 840 mv @ 200 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库