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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GB50MPS17-247 | - | ![]() | 8401 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | GB50MPS17 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1345 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.8V@50A | 0纳秒 | 1700V时为60μA | -55℃~175℃ | 216A | 3193pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N1184A | 10.3200 | ![]() | 514 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1184 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@40A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | GA20JT12-247 | - | ![]() | 9649 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-247AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200伏 | 20A(温度) | - | 70毫欧@20A | - | - | - | 282W(温度) | |||||||||||||||||
![]() | FR85M05 | 23.1210 | ![]() | 2520 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85M05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.3V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | |||||||||||||||||
![]() | GKN130/12 | 35.0777 | ![]() | 5746 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | GKN130 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.5V@60A | 22毫安@1200伏 | -40℃~180℃ | 165A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA40045RL | - | ![]() | 1884年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 200A | 600毫伏@200安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔50060R | 174.1546 | ![]() | 9130 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔50060 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔50060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 250A | 1.7V@250A | 250纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||
![]() | MBRT20030 | 98.8155 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT20030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | FST12060 | 70.4280 | ![]() | 9427 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST12060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 120A(直流) | 750毫伏@120安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT40080R | 118.4160 | ![]() | 7228 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40080 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 200A | 880毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | MBR3545R | 15.1785 | ![]() | 7730 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | MBR3545 | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR3545RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 680 毫伏 @ 35 安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 35A | - | |||||||||||||||||
![]() | 1N3880 | 4.9020 | ![]() | 5171 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3880 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3880GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为15μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||||||||||
S85M | 11.8980 | ![]() | 9124 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRH12030 | 60.0375 | ![]() | 4402 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH12030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 650毫伏@120安 | 4毫安@20伏 | 120A | - | |||||||||||||||||||
1N2130AR | 11.7300 | ![]() | 148 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N2130AR | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1041 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 150伏 | 1.1V@60A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 60A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA800150R | - | ![]() | 4878 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 150伏 | 400A | 880毫伏@400安 | 5毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30030R | 107.3070 | ![]() | 9622 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT30030 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT30030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 150A | 750毫伏@150安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | MBRF30020R | - | ![]() | 5665 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3002 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 150A | 700毫伏@150安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | 1N2129A | 8.9025 | ![]() | 9548 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N2129 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N2129AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@60A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 60A | - | |||||||||||||||||
![]() | G2R120MT33J | 108.0300 | ![]() | 第1567章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G2R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G2R120 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G2R120MT33J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 3300伏 | 35A | 20V | 156毫欧@20A,20V | - | 145nC@20V | +25V,-10V | 1000V时为3706pF | - | - | ||||||||||||
![]() | 1N3882R | 5.1225 | ![]() | 1802 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3882R | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3882RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 300伏 | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为15μA | -65℃~150℃ | 6A | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N5832 | 18.7230 | ![]() | 9968 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N5832 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5832GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 520 毫伏 @ 40 安 | 20毫安@10伏 | -65℃~150℃ | 40A | - | |||||||||||||||||
![]() | FR70DR05 | 17.7855 | ![]() | 2925 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70DR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.4V@70A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | |||||||||||||||||
![]() | S12BR | 4.2345 | ![]() | 2679 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S12B | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRH24040R | 76.4925 | ![]() | 5260 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | MBRH24040 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 720毫伏@240安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | 240A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR8020R | 1985年22月 | ![]() | 6211 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR8020 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 750毫伏@80安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | |||||||||||||||||
![]() | 毛里求斯5060 | 17.6895 | ![]() | 1019 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔5060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@50A | 90纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 50A | - | |||||||||||||||||
![]() | G3R160MT17D | 12.2400 | ![]() | 9458 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | G3R160 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R160MT17D | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1700伏 | 21A(温度) | 15V | 208毫欧@12A,15V | 2.7V@5mA | 51nC@15V | ±15V | 1272pF@1000V | - | 175W(温度) | ||||||||||||
![]() | FR85JR02 | 27.9100 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@85A | 250纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR30030CTL | - | ![]() | 3031 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 150A | 580毫伏@150安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ |
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