SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247 -
询价
ECAD 8401 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 过时的 通孔 TO-247-2 GB50MPS17 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1345 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 1.8V@50A 0纳秒 1700V时为60μA -55℃~175℃ 216A 3193pF @ 1V、1MHz
1N1184A GeneSiC Semiconductor 1N1184A 10.3200
询价
ECAD 514 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1184 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 100伏 1.1V@40A 50V时为10μA -65℃~200℃ 40A -
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 -
询价
ECAD 9649 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 175°C(太焦) 通孔 TO-247-3 SiC(碳化硅结晶体管) TO-247AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 30 - 1200伏 20A(温度) - 70毫欧@20A - - - 282W(温度)
FR85M05 GeneSiC Semiconductor FR85M05 23.1210
询价
ECAD 2520 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR85M05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.3V@85A 500纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 85A -
GKN130/12 GeneSiC Semiconductor GKN130/12 35.0777
询价
ECAD 5746 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 GKN130 标准 DO-205AA (DO-8) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.5V@60A 22毫安@1200伏 -40℃~180℃ 165A -
MBRTA40045RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40045RL -
询价
ECAD 1884年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 200A 600毫伏@200安 5毫安@45伏 -55℃~150℃
MURTA50060R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔50060R 174.1546
询价
ECAD 9130 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔50060 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔塔50060RGN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 600伏 250A 1.7V@250A 250纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBRT20030 GeneSiC Semiconductor MBRT20030 98.8155
询价
ECAD 4408 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT20030GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 100A 750毫伏@100安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
FST12060 GeneSiC Semiconductor FST12060 70.4280
询价
ECAD 9427 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST12060GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 120A(直流) 750毫伏@120安 2毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRT40080R GeneSiC Semiconductor MBRT40080R 118.4160
询价
ECAD 7228 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT40080 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT40080RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 200A 880毫伏@200安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBR3545R GeneSiC Semiconductor MBR3545R 15.1785
询价
ECAD 7730 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 MBR3545 肖特基,反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR3545RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 45V 680 毫伏 @ 35 安 1.5毫安@20伏 -55℃~150℃ 35A -
1N3880 GeneSiC Semiconductor 1N3880 4.9020
询价
ECAD 5171 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3880 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3880GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃~150℃ 6A -
S85M GeneSiC Semiconductor S85M 11.8980
询价
ECAD 9124 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.1V@85A 10μA@100V -65℃~180℃ 85A -
MBRH12030 GeneSiC Semiconductor MBRH12030 60.0375
询价
ECAD 4402 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRH12030GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 650毫伏@120安 4毫安@20伏 120A -
1N2130AR GeneSiC Semiconductor 1N2130AR 11.7300
询价
ECAD 148 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N2130AR 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1041 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 150伏 1.1V@60A 50V时为10μA -65℃~200℃ 60A -
MBRTA800150R GeneSiC Semiconductor MBRTA800150R -
询价
ECAD 4878 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 150伏 400A 880毫伏@400安 5毫安@150伏 -55℃~150℃
MBRT30030R GeneSiC Semiconductor MBRT30030R 107.3070
询价
ECAD 9622 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT30030 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT30030RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 30V 150A 750毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRF30020R GeneSiC Semiconductor MBRF30020R -
询价
ECAD 5665 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3002 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 150A 700毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
1N2129A GeneSiC Semiconductor 1N2129A 8.9025
询价
ECAD 9548 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N2129 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N2129AGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 100伏 1.1V@60A 50V时为10μA -65℃~200℃ 60A -
G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J 108.0300
询价
ECAD 第1567章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G2R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G2R120 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G2R120MT33J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 3300伏 35A 20V 156毫欧@20A,20V - 145nC@20V +25V,-10V 1000V时为3706pF - -
1N3882R GeneSiC Semiconductor 1N3882R 5.1225
询价
ECAD 1802 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3882R 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3882RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 300伏 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃~150℃ 6A -
1N5832 GeneSiC Semiconductor 1N5832 18.7230
询价
ECAD 9968 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N5832 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N5832GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 520 毫伏 @ 40 安 20毫安@10伏 -65℃~150℃ 40A -
FR70DR05 GeneSiC Semiconductor FR70DR05 17.7855
询价
ECAD 2925 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR70DR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 70A -
S12BR GeneSiC Semiconductor S12BR 4.2345
询价
ECAD 2679 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S12B 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S12BRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 100伏 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
MBRH24040R GeneSiC Semiconductor MBRH24040R 76.4925
询价
ECAD 5260 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH24040 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 720毫伏@240安 1毫安@40伏 -55℃~150℃ 240A -
MBR8020R GeneSiC Semiconductor MBR8020R 1985年22月
询价
ECAD 6211 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR8020 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR8020RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 750毫伏@80安 1毫安@20伏 -55℃~150℃ 80A -
MUR5060 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯5060 17.6895
询价
ECAD 1019 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔5060GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1V@50A 90纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 50A -
G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D 12.2400
询价
ECAD 9458 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 G3R160 SiCFET(碳化硅) TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G3R160MT17D EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 1700伏 21A(温度) 15V 208毫欧@12A,15V 2.7V@5mA 51nC@15V ±15V 1272pF@1000V - 175W(温度)
FR85JR02 GeneSiC Semiconductor FR85JR02 27.9100
询价
ECAD 17号 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.4V@85A 250纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 85A -
MBR30030CTL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTL -
询价
ECAD 3031 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 150A 580毫伏@150安 3毫安@30伏 -55℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库