SIC
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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MURT40010 GeneSiC Semiconductor Murt40010 132.0780
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt40010gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF60080R GeneSiC Semiconductor MBRF60080R -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 300A 840 mv @ 250 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
SD41 GeneSiC Semiconductor SD41 13.4625
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SD41GS Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 680 mv @ 30 a 1.5 ma @ 35 V -55°C〜150°C 30a -
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 表面安装 TO-276AA SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-276 - Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1151 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 16A（TC）（155°C） - 105mohm @ 16a - - 1534 PF @ 35 V - 330W（TC）
MBRT40080R GeneSiC Semiconductor MBRT40080R 118.4160
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40080 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40080RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRF120100 GeneSiC Semiconductor MBRF120100 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
FST12060 GeneSiC Semiconductor FST12060 70.4280
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST12060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 120A（DC） 750 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR7580R GeneSiC Semiconductor MBR7580R 21.9195
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR7580 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7580RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 75 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C 75a -
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT06-214 -
RFQ
 ECAD 4548 0.00000000 基因半导体 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 GB02SLT06 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500
MUR5060R GeneSiC Semiconductor MUR5060R 17.9850
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MUR5060 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR5060RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 50 A 90 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
FR70GR05 GeneSiC Semiconductor FR70GR05 17.7855
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70GR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FST12035 GeneSiC Semiconductor FST12035 70.4280
RFQ
 ECAD 5452 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST12035GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 120A（DC） 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GB50MPS17 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1345 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 60 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 216a 3193pf @ 1V，1MHz
MURF40060R GeneSiC Semiconductor Murf40060r -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 240 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
S150K GeneSiC Semiconductor S150K 35.5695
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 S150 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S150KGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
1N1186A GeneSiC Semiconductor 1N1186A 10.3200
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1186 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1078 Ear99 8541.10.0080 100 - 200 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 40a -
MBRH12080 GeneSiC Semiconductor MBRH12080 60.0375
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12080GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
MURTA500120 GeneSiC Semiconductor Murta500120 174.1546
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 250a 2.6 V @ 250 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A 4.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD10MPS12A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 5 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 25a 367pf @ 1V，1MHz
MBRTA80045L GeneSiC Semiconductor MBRTA80045L -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 400a 600 MV @ 400 A 6 mA @ 45 V -55°C〜150°C
S70QR GeneSiC Semiconductor S70QR 9.8985
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70Q 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70QRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
FR16D05 GeneSiC Semiconductor FR16D05 8.1330
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16D05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBRTA80040L GeneSiC Semiconductor MBRTA80040L -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 400a 600 MV @ 400 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H 244.8500
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GC50MPS33H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 3300 v 0 ns 175°C 50a -
SD4145 GeneSiC Semiconductor SD4145 13.4625
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 680 mv @ 30 a 1.5 ma @ 35 V -55°C〜150°C 30a -
GKR240/04 GeneSiC Semiconductor GKR240/04 59.1425
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKR240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 400 V -40°C〜180°C 320a -
MBR6040 GeneSiC Semiconductor MBR6040 20.2695
RFQ
 ECAD 7704 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR604 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6040GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MUR40020CTR GeneSiC Semiconductor MUR40020CTR 132.0780
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 SIC （硅碳化物交界晶体管） SOT-227 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10 - 1200 v 160a（TC） - 10mohm @ 100a - - 14400 PF @ 800 V - 535W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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