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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 结构 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id Vgs（最大） 场效应管特性 消耗（最大） 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)（最大） 当前 - 开启状态 (It (AV))（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F SCR、扩散数量 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
S320KR GeneSiC Semiconductor S320KR 62.2080
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 ECAD 4488 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S320 标准，反脊柱 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S320KRGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.2V@300A 600V时为10μA -60℃～180℃ 320A -
MBR7520 GeneSiC Semiconductor MBR7520 20.8845
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 ECAD 2371 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR7520GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 650毫伏@75安 5毫安@20伏 -65℃～150℃ 75A -
MBRTA40035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40035RL -
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 ECAD 8896 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 35V 200A 600毫伏@200安 3毫安@35伏 -55℃～150℃
MBRTA80030R GeneSiC Semiconductor MBRTA80030R -
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 ECAD 4784 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 400A 720 毫伏 @ 400 安 1毫安@30伏 -55℃～150℃
S16GR GeneSiC Semiconductor S16GR 4.5900
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 ECAD 7750 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S16G 标准，反脊柱 - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S16GRGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 400伏 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃～175℃ 16A -
1N4588R GeneSiC Semiconductor 1N4588R 35.5695
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 ECAD 9256 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4588R 标准，反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N4588RGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 1.5V@150A 9.5毫安@200伏 -60℃～200℃ 150A -
SD4145 GeneSiC Semiconductor SD4145 13.4625
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 ECAD 4983 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 肖特基 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 45V 680 毫伏 @ 30 安 1.5毫安@35伏 -55℃～150℃ 30A -
FR16D05 GeneSiC Semiconductor FR16D05 8.1330
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 ECAD 6607 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR16D05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1.1V@16A 500纳秒 100V时为25μA -65℃～150℃ 16A -
150KR20A GeneSiC Semiconductor 150KR20A 35.5695
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 ECAD 3386 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 标准，反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 150KR20AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 1.33V@150A 35毫安@200伏 -40℃～200℃ 150A -
GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65 2.0000
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 ECAD 第1137章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 安装结构 SOT-227-2 GA060 单身的 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） 1242-1144 EAR99 8541.30.0080 10 6.5kV 104A - 100毫安 60A 1 可控硅
S70DR GeneSiC Semiconductor S70DR 9.8985
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 ECAD 9777 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 S70D 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S70DRGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 1.1V@70A 10μA@100V -65℃～180℃ 70A -
GKR71/04 GeneSiC Semiconductor GKR71/04 12.4659
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 ECAD 9140 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 GKR71 标准 溶解O - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 400伏 1.5V@60A 10毫安@400伏 -40℃～180℃ 95A -
FR70DR02 GeneSiC Semiconductor FR70DR02 17.7855
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 ECAD 6713 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70DR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1.4V@70A 200纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1N5831 14.0145
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 ECAD 8867 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N5831 肖特基 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N5831GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 35V 580毫伏@25安 2毫安@20伏 -55℃～150℃ 25A -
GB10SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-214 -
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 ECAD 4439 0.00000000 基恩碳化硅半导体 * 切带 (CT) SIC停产 GB10SLT12 - 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500
MBRT12030R GeneSiC Semiconductor MBRT12030R 62.6320
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 ECAD 6884 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT12030 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT12030RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 60A 750毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRT60080 GeneSiC Semiconductor MBRT60080 140.2020
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 ECAD 6254 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT60080GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 300A 880毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
FR70BR05 GeneSiC Semiconductor FR70BR05 17.7855
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 ECAD 9875 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70BR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
MBRT200150R GeneSiC Semiconductor MBRT200150R 98.8155
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 ECAD 9696 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT200150 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
MBR3560 GeneSiC Semiconductor MBR3560 14.3280
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 ECAD 3183 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 肖特基 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR3560GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 60V 750 毫伏 @ 35 安 1.5毫安@20伏 -55℃～150℃ 35A -
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
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 ECAD 6492 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 175°C（太焦） 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅结晶体管） TO-247AB 下载 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 30 - 1200伏 6A（温度）（90°C） - 220毫欧@6A - - - -
MSRT150100A GeneSiC Semiconductor MSRT150100A 38.5632
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 ECAD 第1247章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 1000伏 150A 1.2V@150A 600V时为10μA -55℃～150℃
MBRT500150 GeneSiC Semiconductor MBRT500150 -
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 ECAD 2104 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 150伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
MBR40030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40030CTRL -
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 ECAD 7710 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 200A 580毫伏@200安 3毫安@30伏 -55℃～150℃
MUR2540 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯2540 10.1910
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 ECAD 5493 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔2540GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.3V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃～150℃ 25A -
GBPC2501W GeneSiC Semiconductor GBPC2501W 2.5335
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 ECAD 3752 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4方，GBPC-W GBPC2501 标准 GBPC-W 下载 符合RoHS标准 1（无限制） GBPC2501WGS EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 100V时为5μA 25A 单相 50V
MBRTA60035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60035RL -
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 ECAD 5596 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 35V 300A 600 毫伏 @ 300 安 3毫安@35伏 -55℃～150℃
MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor MBR12040CTR 68.8455
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 ECAD 2600 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12040 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1009 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 120A（直流） 650毫伏@120安 3毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRH20020RL GeneSiC Semiconductor MBRH20020RL -
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 ECAD 9676 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基，反 D-67 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 580 毫伏 @ 200 毫安 3毫安@20伏 200A -
MBRT12030 GeneSiC Semiconductor MBRT12030 75.1110
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 ECAD 5559 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT12030GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 30V 60A 750毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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    智能仓库

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