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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GAP3SLT33-220FP | 9.1050 | ![]() | 4998 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | GAP3SLT33 | SIC (碳化硅) | TO-220FP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 3300 v | 1.7 V @ 300 mA | 0 ns | 5 µA @ 3300 V | -55°C 〜175°C | 300mA | 42pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | FST8335SM | - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3SM | 肖特基 | D61-3SM | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 80A(DC) | 650 mv @ 80 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | S25J | 5.2485 | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S25JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 25a | - | ||||||
![]() | MBRF500150 | - | ![]() | 3678 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 250a | 880 mv @ 250 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | Murf20020 | - | ![]() | 6197 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Murf20020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MUR7010R | 17.7855 | ![]() | 9514 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR7010 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7010RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | MBRT60030RL | - | ![]() | 9219 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRT30080R | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT30080RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 150a | 880 mv @ 150 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | Murf10020 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | murf10020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR3545R | 15.1785 | ![]() | 7730 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | MBR3545 | 肖特基,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR3545RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 680 mv @ 35 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 35a | - | |||||
![]() | MBRF40060R | - | ![]() | 7290 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 60 V | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MUR2X120A10 | 51.8535 | ![]() | 1194 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 1000 v | 120a | 2.35 V @ 120 A | 25 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | S400K | 88.0320 | ![]() | 2658 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S400 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S400KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 400 A | 10 µA @ 50 V | -60°C 〜200°C | 400a | - | |||||
![]() | MURH7060R | 49.5120 | ![]() | 1183 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | Murh7060 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 70 A | 110 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||
1N1199A | 4.2345 | ![]() | 3670 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1199 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1029 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | ||||||
![]() | Murta30040r | 159.9075 | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta30040 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 150a | 1.3 V @ 150 A | 25 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRT60080 | 140.2020 | ![]() | 6254 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRTA50020R | - | ![]() | 2232 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 250a | 880 mv @ 250 A | 4 mA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | GB01SLT06-214 | 1.6300 | ![]() | 3013 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | GB01SLT06 | SIC (碳化硅) | do-214aa | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 2 V @ 1 A | 0 ns | 10 µA @ 6.5 V | -55°C 〜175°C | 1a | 76pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | S70J | 9.8985 | ![]() | 9984 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S70JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 70 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 70a | - | ||||||
![]() | 1N5826 | 12.4155 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N5826 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N5826GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 440 mv @ 15 A | 10 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 15a | - | |||||
![]() | FR6DR02 | 5.1225 | ![]() | 4323 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR6DR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 6 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||||
![]() | S85Y | 12.2460 | ![]() | 8502 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S85ygn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 85a | - | ||||||
![]() | MBR2X060A150 | 46.9860 | ![]() | 3110 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 150 v | 60a | 880 mv @ 60 a | 3 ma @ 150 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR2X160A200 | 59.6700 | ![]() | 2131 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X160 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 160a | 920 MV @ 160 A | 3 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR40035CTL | - | ![]() | 6358 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 200a | 600 mV @ 200 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRT40030RL | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||
GC15MPS12-247 | 6.1080 | ![]() | 2730 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | GC15MPS12 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1334 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 15 A | 0 ns | 14 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 75a | 1089pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | MBRT12030R | 62.6320 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT12030 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT12030RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 60a | 750 mv @ 60 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | 1N5831 | 14.0145 | ![]() | 8867 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N5831 | 肖特基 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N5831GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 580 mv @ 25 A | 2 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 25a | - |
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