SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP 9.1050
RFQ
ECAD 4998 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 不适合新设计 通过洞 TO-220-2完整包 GAP3SLT33 SIC (碳化硅) TO-220FP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50 没有恢复t> 500mA(IO) 3300 v 1.7 V @ 300 mA 0 ns 5 µA @ 3300 V -55°C 〜175°C 300mA 42pf @ 1V,1MHz
FST8335SM GeneSiC Semiconductor FST8335SM -
RFQ
ECAD 1176 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 80A(DC) 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S25J GeneSiC Semiconductor S25J 5.2485
RFQ
ECAD 5113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S25JGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRF500150 GeneSiC Semiconductor MBRF500150 -
RFQ
ECAD 3678 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MURF20020 GeneSiC Semiconductor Murf20020 -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Murf20020GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR7010R GeneSiC Semiconductor MUR7010R 17.7855
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR7010 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7010RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor MBRT60030RL -
RFQ
ECAD 9219 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT30080R GeneSiC Semiconductor MBRT30080R -
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT30080RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 80 V 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF10020 GeneSiC Semiconductor Murf10020 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) murf10020gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR3545R GeneSiC Semiconductor MBR3545R 15.1785
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 MBR3545 肖特基,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR3545RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBRF40060R GeneSiC Semiconductor MBRF40060R -
RFQ
ECAD 7290 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 60 V 200a 750 MV @ 200 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A10 51.8535
RFQ
ECAD 1194 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MUR2X120 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2独立 1000 v 120a 2.35 V @ 120 A 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
S400K GeneSiC Semiconductor S400K 88.0320
RFQ
ECAD 2658 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 S400 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S400KGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
MURH7060R GeneSiC Semiconductor MURH7060R 49.5120
RFQ
ECAD 1183 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh7060 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 70 A 110 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C 70a -
1N1199A GeneSiC Semiconductor 1N1199A 4.2345
RFQ
ECAD 3670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1199 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1029 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MURTA30040R GeneSiC Semiconductor Murta30040r 159.9075
RFQ
ECAD 6838 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta30040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 400 v 150a 1.3 V @ 150 A 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
MBRT60080 GeneSiC Semiconductor MBRT60080 140.2020
RFQ
ECAD 6254 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT60080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA50020R GeneSiC Semiconductor MBRTA50020R -
RFQ
ECAD 2232 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 150 v 250a 880 mv @ 250 A 4 mA @ 150 V -55°C〜150°C
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214 1.6300
RFQ
ECAD 3013 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB GB01SLT06 SIC (碳化硅) do-214aa 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 2 V @ 1 A 0 ns 10 µA @ 6.5 V -55°C 〜175°C 1a 76pf @ 1V,1MHz
S70J GeneSiC Semiconductor S70J 9.8985
RFQ
ECAD 9984 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S70JGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
1N5826 GeneSiC Semiconductor 1N5826 12.4155
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N5826 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5826GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 440 mv @ 15 A 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
FR6DR02 GeneSiC Semiconductor FR6DR02 5.1225
RFQ
ECAD 4323 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR6DR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
S85Y GeneSiC Semiconductor S85Y 12.2460
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S85ygn Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A150 46.9860
RFQ
ECAD 3110 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 150 v 60a 880 mv @ 60 a 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A200 59.6700
RFQ
ECAD 2131 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 160a 920 MV @ 160 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor MBR40035CTL -
RFQ
ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRT40030RL GeneSiC Semiconductor MBRT40030RL -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 6.1080
RFQ
ECAD 2730 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GC15MPS12 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-1334 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 15 A 0 ns 14 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 75a 1089pf @ 1V,1MHz
MBRT12030R GeneSiC Semiconductor MBRT12030R 62.6320
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT12030 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT12030RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1N5831 14.0145
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N5831 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5831GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库