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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id Vgs（最大） 场效应管特性 消耗（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
MBRTA80045R GeneSiC Semiconductor MBRTA80045R -
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 ECAD 6925 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 45V 400A 720 毫伏 @ 400 安 1毫安@45伏 -55℃～150℃
MSRT100160D GeneSiC Semiconductor MSRT100160D 87.1935
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 ECAD 4624 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 微软RT100 标准 三塔 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRT100160D EAR99 8541.10.0080 40 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1600伏 100A 1.1V@100A 10μA@1600V -55℃～150℃
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor MBR300100CTR 94.5030
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 ECAD 6689 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR300100 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR300100CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 100伏 150A 840毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃～150℃
1N3889 GeneSiC Semiconductor 1N3889 9.3000
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 ECAD 65 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3889 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1048 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 50V 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
MUR2540R GeneSiC Semiconductor 穆尔2540R 10.1910
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 ECAD 3464 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 毛里求斯2540 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔2540RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.3V@25A 75纳秒 50V时为10μA -55℃～150℃ 25A -
GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H 12.7400
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 ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GD60 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 下载 1（无限制） 1242-GD60MPS06H EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.8V@60A 0纳秒 650V时为10μA -55℃～175℃ 82A 1463pF @ 1V、1MHz
MBRT30040 GeneSiC Semiconductor MBRT30040 107.3070
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 ECAD 4661 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1060 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 40V 150A 750毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRF60035 GeneSiC Semiconductor MBRF60035 -
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 ECAD 7709 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 35V 300A（直流） 650 毫伏 @ 300 安 10毫安@20伏 -40℃～175℃
KBPC1508W GeneSiC Semiconductor KBPC1508W 2.1795
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 ECAD 1295 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4方，KBPC-W KBPC1508 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@7.5A 800V时为5μA 15A 单相 800V
1N3883 GeneSiC Semiconductor 1N3883 7.1300
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 ECAD 47 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3883 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1002 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.4V@6A 200纳秒 50V时为15μA -65℃～150℃ 6A -
GBPC3510T GeneSiC Semiconductor GBPC3510T 2.8695
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 ECAD 9425 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4方，GBPC GBPC3510 标准 GBPC 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@17.5A 1000V时为5μA 35A 单相 1kV
MSRTA30060AD GeneSiC Semiconductor MSRTA30060AD 113.5544
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 ECAD 3266 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA300 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 600伏 300A 1.1V@300A 600V时为20μA -55℃～150℃
MBRT120150 GeneSiC Semiconductor MBRT120150 -
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 ECAD 3624 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 150伏 60A 880毫伏@60安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
FR20M05 GeneSiC Semiconductor FR20M05 9.2895
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 ECAD 8771 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR20M05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1000伏 1V@20A 500纳秒 800V时为25μA -40℃～125℃ 20A -
GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A 4.1200
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 ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-GD10MPS12A EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@10A 0纳秒 1200V时为5μA -55℃～175℃ 25A 367pF@1V、1MHz
FR20MR05 GeneSiC Semiconductor FR20MR05 9.5700
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 ECAD 3702 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR20MR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1000伏 1V@20A 500纳秒 800V时为25μA -40℃～125℃ 20A -
MBR3535R GeneSiC Semiconductor MBR3535R 15.1785
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 ECAD 3738 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 MBR3535 肖特基，反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR3535RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 35V 680 毫伏 @ 35 安 1.5毫安@20伏 -55℃～150℃ 35A -
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor MBR300150CT 94.5030
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 ECAD 1227 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR300150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 150伏 150A 880毫伏@150安 3毫安@150伏 -40℃～150℃
S320Q GeneSiC Semiconductor S320Q 63.8625
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 ECAD 4761 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S320 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S320QGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1200伏 1.2V@300A 600V时为10μA -60℃～180℃ 320A -
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔40020R 159.9075
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 ECAD 2875 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔40020 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共阳极 200V 200A 1.3V@200A 25μA@200V -55℃～150℃
G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D 10.1400
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 ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 - 通孔 TO-247-3 SiCFET（碳化硅） TO-247-3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-G3R60MT07D EAR99 8541.29.0095 30 - 750伏 - - - - +20V，-10V - -
MBRT400150 GeneSiC Semiconductor MBRT400150 118.4160
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 ECAD 7201 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 150伏 200A 880毫伏@200安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
1N3214 GeneSiC Semiconductor 1N3214 9.6500
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 ECAD 6063 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3214 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1040 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃～175℃ 15A -
FR85DR05 GeneSiC Semiconductor FR85DR05 24.1260
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 ECAD 5877 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR85DR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 1.4V@85A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 85A -
MUR5010R GeneSiC Semiconductor 穆尔5010R 21.3900
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 ECAD 158 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 毛里求斯5010 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1097 EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1V@50A 75纳秒 50V时为10μA -55℃～150℃ 50A -
MBR12030CT GeneSiC Semiconductor MBR12030CT 68.8455
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 ECAD 2501 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR12030 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1090 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 30V 120A（直流） 650 毫伏 @ 60 安 3毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRF50030R GeneSiC Semiconductor MBRF50030R -
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 ECAD 2256 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 250A 750毫伏@250安 1毫安@30伏 -55℃～150℃
FR12DR05 GeneSiC Semiconductor FR12DR05 6.8085
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 ECAD 第1167章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR12DR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 800毫伏@12安 500纳秒 100V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
S400Q GeneSiC Semiconductor S400Q 88.0320
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 ECAD 1294 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S400 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S400QGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1200伏 1.2V@400A 50V时为10μA -60℃～200℃ 400A -
MBRH24035R GeneSiC Semiconductor MBRH24035R 76.4925
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 ECAD 4987 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH24035 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 35V 720毫伏@240安 1毫安@35伏 -55℃～150℃ 240A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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