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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
G2R1000MT33J	18.6900	RFQ	1	基因半导体	G2R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	G2R1000		sicfet （碳化硅）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G2R1000MT33J	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		3300 v	4A（TC）	20V	1.2OHM @ 2A，20V	3.5V @ 2mA	21 NC @ 20 V	+20V，-5V	238 PF @ 1000 V	-	74W（TC）
GD2X60MPS06N	40.4900	RFQ	585	基因半导体	Sic Schottky MPS™	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GD2X		SIC （碳化硅）	SOT-227	下载		（1 （无限）		1242-GD2X60MPS06N	Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）													2独立	650 v	70A（DC）	1.8 V @ 60 A	0 ns	10 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
1N8032-GA	-	RFQ	6268	基因半导体	-	管子	过时的		通过洞	TO-257-3	1N8032		SIC （碳化硅）	TO-257	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.3 V @ 2.5 A	0 ns	5 µA @ 650 V	-55°C〜250°C	2.5a	274pf @ 1V，1MHz
1N3768R	10.1200	RFQ	113	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3768R		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1021	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1000 v		1.2 V @ 35 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	35a	-
MUR2510R	10.1910	RFQ	5180	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	MUR2510		标准，反极性	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1016	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		1 V @ 25 A	75 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	25a	-
GA35XCP12-247	-	RFQ	7101	基因半导体	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		TO-247AB	下载		（1 （无限）		1242-1141	Ear99	8541.29.0095	30			800V，35A，22OHM，15V															36 NS					pt	1200 v	35 a	3V @ 15V，35a	2.66mj（在）上，4.35mj off）	50 NC	-
GBL06	0.4230	RFQ	1043	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，gbl			标准	GBL	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		4 a									单相	600 v
GBL08	0.4230	RFQ	2016	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，gbl			标准	GBL	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBL08GN	Ear99	8541.10.0080	500																	1 V @ 2 A		10 µA @ 800 V		4 a									单相	800 v
GBPC1502T	2.4180	RFQ	1510	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC1502		标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 200 V		15 a									单相	200 v
GBPC2502T	2.5335	RFQ	3149	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC2502		标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 200 V		25 a									单相	200 v
GBPC2504T	4.2000	RFQ	100	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC2504		标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 400 V		25 a									单相	400 v
GBPC3504T	4.6200	RFQ	467	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC-T	GBPC3504		标准	GBPC-T	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 400 V		35 a									单相	400 v
GBPC50005T	4.0155	RFQ	5604	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC50005		标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.2 V @ 25 A		5 µA @ 50 V		50 a									单相	50 V
GBU10J	1.6300	RFQ	7	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU10		标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu10jgn	Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 5 A		5 µA @ 600 V		10 a									单相	600 v
GBU10M	1.6300	RFQ	7	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU10		标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBU10MGN	Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 10 A		5 µA @ 1000 V		10 a									单相	1 kV
gbu4a	1.4500	RFQ	348	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4		标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a									单相	50 V
gbu6g	0.5385	RFQ	5221	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6		标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu6ggn	Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		6 a									单相	400 v
gbu6k	0.4488	RFQ	5969	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6		标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu6kgn	Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 6 A		5 µA @ 800 V		6 a									单相	800 v
GBU6M	0.5385	RFQ	9765	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6		标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBU6MGN	Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 6 A		5 µA @ 1000 V		6 a									单相	1 kV
KBJ404G	0.5160	RFQ	1782年	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBJ	KBJ404		标准	KBJ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBJ404GGN	Ear99	8541.10.0080	250																	1.1 V @ 4 A		5 µA @ 400 V		4 a									单相	400 v
KBL606G	0.5805	RFQ	8943	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	KBL606		标准	KBL	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBL606GGN	Ear99	8541.10.0080	500																	1.1 V @ 6 A		5 µA @ 600 V		6 a									单相	600 v
KBP202	0.3750	RFQ	2207	基因半导体	-	大部分	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP			标准	KBP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBP202GN	Ear99	8541.10.0080	2,000																	1.1 V @ 2 A		10 µA @ 100 V		2 a									单相	100 v
KBPC2506T	2.2995	RFQ	3650	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC2506		标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 a									单相	600 v
KBPC35005T	2.4720	RFQ	5619	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC35005		标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 50 V		35 a									单相	50 V
KBPC5008T	2.5875	RFQ	1362	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC5008		标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																	1.1 V @ 25 A		5 µA @ 800 V		50 a									单相	800 v
kbpm308g	-	RFQ	2416	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm			标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm308ggn	Ear99	8541.10.0080	900																	1.1 V @ 3 A		5 µA @ 50 V		3 a									单相	800 v
KBU10005	0.8205	RFQ	5287	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBU10005GN	Ear99	8541.10.0080	400																	1.05 V @ 10 A		10 µA @ 50 V		10 a									单相	50 V
MBRT40080	98.7424	RFQ	5705	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔			肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRT40080GN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	80 V	200a	880 mv @ 200 a		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
kbu8a	-	RFQ	3434	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu			标准	KBU	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	300																	1 V @ 8 A		10 µA @ 50 V		8 a									单相	50 V
kbu8d	0.7425	RFQ	6103	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8		标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		kbu8dgn	Ear99	8541.10.0080	400																	1 V @ 8 A		10 µA @ 200 V		8 a									单相	200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²