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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压-峰值反向（最大）
1N2129AR GeneSiC Semiconductor 1N2129AR 8.9025
RFQ
 ECAD 8969 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2129AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N2129ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
MURT30060 GeneSiC Semiconductor Murt30060 118.4160
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt30060gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 200 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR50020CTR GeneSiC Semiconductor MBR50020CTR -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR50020CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR20060CT GeneSiC Semiconductor MBR20060CT 90.1380
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20060 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a（DC） 750 mv @ 100 a 5 ma @ 20 V
MURF40040R GeneSiC Semiconductor Murf40040r -
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 200a 1.3 V @ 200 A 180 ns 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
S70BR GeneSiC Semiconductor S70BR 9.8985
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70B 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70BRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
1N8026-GA GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA -
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-257-3 1N8026 SIC （碳化硅） TO-257 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.6 V @ 2.5 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C〜250°C 8a 237pf @ 1V，1MHz
MSRT150100D GeneSiC Semiconductor MSRT150100D 98.8155
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT150100D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1000 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBRTA40035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40035RL -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR40045CTL GeneSiC Semiconductor MBR40045CTL -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
FR40B05 GeneSiC Semiconductor FR40B05 12.8985
RFQ
 ECAD 6808 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40B05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MSRTA500120A GeneSiC Semiconductor MSRTA500120A 101.4000
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500120 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRF30080 GeneSiC Semiconductor MBRF30080 -
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3008 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 150a 840 mv @ 150 A 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
S40YR GeneSiC Semiconductor S40yr 8.4675
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S40Y 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s40yrgn Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
1N3890R GeneSiC Semiconductor 1N3890R 6.8085
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3890R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3890RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
GKR130/04 GeneSiC Semiconductor GKR130/04 35.2590
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 400 V -40°C〜180°C 165a -
GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP 9.1050
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 不适合新设计 通过洞 TO-220-2完整包 GAP3SLT33 SIC （碳化硅） TO-220FP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50 没有恢复t> 500mA（IO） 3300 v 1.7 V @ 300 mA 0 ns 5 µA @ 3300 V -55°C 〜175°C 300mA 42pf @ 1V，1MHz
MUR7010R GeneSiC Semiconductor MUR7010R 17.7855
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MUR7010 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR7010RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor MBR600100CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR600100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR600100CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M -
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 （1 （无限） FST8320MGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 80A（DC） 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR2520 GeneSiC Semiconductor MUR2520 10.1910
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR2520GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MBR8035R GeneSiC Semiconductor MBR8035R 1985年2月22日
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8035 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8035RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 750 MV @ 80 A 1 mA @ 35 V -65°C〜150°C 80a -
S85B GeneSiC Semiconductor S85B 11.8980
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S85BGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 -
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GC20MPS12 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1336 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 18 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 94a 1298pf @ 1V，1MHz
MBRH20040R GeneSiC Semiconductor MBRH20040R 70.0545
RFQ
 ECAD 1575年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20040 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20040RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N 111.7100
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GD2X SIC （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD2X75MPS17N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1700 v 115a（DC） -55°C 〜175°C
MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor MBRT60030RL -
RFQ
 ECAD 9219 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MURF20020 GeneSiC Semiconductor Murf20020 -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf20020GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF500150 GeneSiC Semiconductor MBRF500150 -
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
KBPC15010T GeneSiC Semiconductor KBPC15010T 1.7953
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，KBPC-T KBPC15010 标准 KBPC-T 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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