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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
MBR500100CT	-	RFQ	8812	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	双子塔		肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MBR500100CTGN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	250a	880 mv @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
GA05JT12-247	-	RFQ	1135	基因半导体	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-247AB	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		-	1200 v	5A（TC）	-	280MOHM @ 5A	-		-		-	106W（TC）
150K60A	35.5695	RFQ	9550	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	150K60	标准	DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	150K60AGN	Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.33 V @ 150 A		35 ma @ 600 V	-40°C 200°C	150a	-
MBRT400200R	118.4160	RFQ	2546	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MBRT400200	肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	200 v	200a	920 MV @ 200 A		1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
FR85MR05	24.1260	RFQ	1903年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FR85MR05GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		1.3 V @ 85 A	500 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	85a	-
FST16030L	-	RFQ	5055	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	30 V	80a	600 mv @ 80 a		1 ma @ 30 V	-55°C〜150°C
1N2130AR	11.7300	RFQ	148	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N2130AR	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1242-1041	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													150 v		1.1 V @ 60 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	60a	-
GKN240/12	59.0066	RFQ	9794	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	GKN240	标准	DO-205AB（DO-9）	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1200 v		1.4 V @ 60 A		60 ma @ 1200 V	-40°C〜180°C	320a	-
G3R20MT12N	56.2000	RFQ	9403	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	G3R20	sicfet （碳化硅）	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1242-G3R20MT12N	Ear99	8541.29.0095	10		n通道	1200 v	105A（TC）	15V	24mohm @ 60a，15v	2.69V @ 15mA	219 NC @ 15 V	+20V，-10V	5873 PF @ 800 V	-	365W（TC）
MBRT40020	118.4160	RFQ	4122	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MBRT40020GN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	20 v	200a	750 MV @ 200 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBR40040CTR	102.9600	RFQ	17	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR40040	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1242-1104	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	40 V	200a	650 MV @ 100 A		5 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
GKR26/14	-	RFQ	7752	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	5	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1400 v		1.55 V @ 60 A		4 mA @ 1400 V	-40°C〜180°C	25a	-
MBRT400100R	118.4160	RFQ	2612	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MBRT400100	肖特基，反极性	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1242-1017	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	100 v	200a	880 mv @ 200 a		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
FR16GR05	8.5020	RFQ	1907年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准，反极性	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FR16GR05GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.1 V @ 16 A	500 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	16a	-
MBRF12020	-	RFQ	2769	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	20 v	60a	700 mv @ 60 a		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
S25J	5.2485	RFQ	5113	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	-	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	S25JGN	Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	25a	-
MUR2X100A06	46.9860	RFQ	6253	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MUR2X100	标准	SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	52	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2独立	600 v	100a	1.5 V @ 100 A		25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
FR6D02	4.9020	RFQ	7727	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FR6D02GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.4 V @ 6 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	6a	-
1N2129AR	8.9025	RFQ	8969	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N2129AR	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	1N2129ARGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1.1 V @ 60 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	60a	-
Murt30060	118.4160	RFQ	1002	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔		标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	murt30060gn	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	600 v	150a	1.7 V @ 150 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBR50020CTR	-	RFQ	7181	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	双子塔		肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MBR50020CTRGN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	20 v	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBR20060CT	90.1380	RFQ	5435	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR20060	肖特基	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	MBR20060CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	200a（DC）	750 mv @ 100 a		5 ma @ 20 V
Murf40040r	-	RFQ	6158	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		标准	TO-244	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	400 v	200a	1.3 V @ 200 A	180 ns	25 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
S70BR	9.8985	RFQ	6479	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S70B	标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	S70BRGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1.1 V @ 70 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜180°C	70a	-
1N8026-GA	-	RFQ	2393	基因半导体	-	管子	过时的		通过洞	TO-257-3	1N8026	SIC （碳化硅）	TO-257	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.6 V @ 2.5 A	0 ns	10 µA @ 1200 V	-55°C〜250°C	8a	237pf @ 1V，1MHz
MSRT150100D	98.8155	RFQ	4880	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRT150	标准	三个塔	下载	rohs3符合条件		1242-MSRT150100D	Ear99	8541.10.0080	40	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对系列连接	1000 v	150a	1.1 V @ 150 A		10 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C
MBRTA40035RL	-	RFQ	8896	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	35 v	200a	600 mV @ 200 A		3 ma @ 35 V	-55°C〜150°C
MBR40045CTL	-	RFQ	4605	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	双子塔		肖特基	双子塔	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	200a	600 mV @ 200 A		5 ma @ 45 V	-55°C〜150°C
FR40B05	12.8985	RFQ	6808	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FR40B05GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		1 V @ 40 A	500 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	40a	-
MSRTA500120A	101.4000	RFQ	9443	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRTA500120	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	1200 v	500A（DC）	1.2 V @ 500 A		25 µA @ 600 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²