SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
MURH10020 GeneSiC Semiconductor Murh10020 49.5120
RFQ
ECAD 5888 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MURH10020GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MSRT150100D GeneSiC Semiconductor MSRT150100D 98.8155
RFQ
ECAD 4880 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT150100D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBRTA40035RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40035RL -
RFQ
ECAD 8896 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR40045CTL GeneSiC Semiconductor MBR40045CTL -
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
GKR26/14 GeneSiC Semiconductor GKR26/14 -
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.55 V @ 60 A 4 mA @ 1400 V -40°C〜180°C 25a -
MBRF12020 GeneSiC Semiconductor MBRF12020 -
RFQ
ECAD 2769 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 60a 700 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N4594R GeneSiC Semiconductor 1N4594R 35.5695
RFQ
ECAD 9211 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N4594R 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N4594RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.5 V @ 150 A 4.5 ma @ 1000 V -60°C 〜200°C 150a -
S40YR GeneSiC Semiconductor S40yr 8.4675
RFQ
ECAD 5847 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S40Y 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) s40yrgn Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor MBR600100CTR 129.3585
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR600100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR600100CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 100 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF20020 GeneSiC Semiconductor Murf20020 -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Murf20020GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR7010R GeneSiC Semiconductor MUR7010R 17.7855
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR7010 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7010RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
MURF10020 GeneSiC Semiconductor Murf10020 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) murf10020gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR3545R GeneSiC Semiconductor MBR3545R 15.1785
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 MBR3545 肖特基,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR3545RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MBRT60080 GeneSiC Semiconductor MBRT60080 140.2020
RFQ
ECAD 6254 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT60080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214 1.6300
RFQ
ECAD 3013 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB GB01SLT06 SIC (碳化硅) do-214aa 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 2 V @ 1 A 0 ns 10 µA @ 6.5 V -55°C 〜175°C 1a 76pf @ 1V,1MHz
S70J GeneSiC Semiconductor S70J 9.8985
RFQ
ECAD 9984 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S70JGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
1N5826 GeneSiC Semiconductor 1N5826 12.4155
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N5826 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N5826GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 440 mv @ 15 A 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
S85Y GeneSiC Semiconductor S85Y 12.2460
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S85ygn Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor MBR40035CTL -
RFQ
ECAD 6358 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBRT40030RL GeneSiC Semiconductor MBRT40030RL -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MSRTA200100D GeneSiC Semiconductor MSRTA200100D 142.3575
RFQ
ECAD 4542 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA200 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA200100D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBR40020CTR GeneSiC Semiconductor MBR40020CTR 98.8155
RFQ
ECAD 3646 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR40020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT120200R GeneSiC Semiconductor MBRT120200R 75.1110
RFQ
ECAD 1846年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT120200 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 200 v 60a 920 mv @ 60 a 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRH30035RL GeneSiC Semiconductor MBRH30035RL -
RFQ
ECAD 3999 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 35 v 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C 300A -
MUR5010R GeneSiC Semiconductor MUR5010R 21.3900
RFQ
ECAD 158 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MUR5010 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1097 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227 54.0960
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GC2X50 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-1348 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 650 v 104a(DC) 1.8 V @ 50 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
MBRT600150R GeneSiC Semiconductor MBRT600150R 140.2020
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT600150 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MSRT200120AD GeneSiC Semiconductor MSRT200120AD 80.4872
RFQ
ECAD 7509 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MBRH200100R GeneSiC Semiconductor MBRH200100R 70.0545
RFQ
ECAD 2702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH200100 肖特基,反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRH200100RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MBR7540 GeneSiC Semiconductor MBR7540 20.8845
RFQ
ECAD 8902 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR7540GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 650 MV @ 75 A 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 75a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库