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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Murh10020 | 49.5120 | ![]() | 5888 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MURH10020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | 100a | - | ||||||
![]() | MSRT150100D | 98.8155 | ![]() | 4880 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT150100D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRTA40035RL | - | ![]() | 8896 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 200a | 600 mV @ 200 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBR40045CTL | - | ![]() | 4605 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 200a | 600 mV @ 200 A | 5 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||
GKR26/14 | - | ![]() | 7752 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.55 V @ 60 A | 4 mA @ 1400 V | -40°C〜180°C | 25a | - | |||||||||
![]() | MBRF12020 | - | ![]() | 2769 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | 1N4594R | 35.5695 | ![]() | 9211 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N4594R | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N4594RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.5 V @ 150 A | 4.5 ma @ 1000 V | -60°C 〜200°C | 150a | - | |||||
![]() | S40yr | 8.4675 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S40Y | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | s40yrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜160°C | 40a | - | |||||
![]() | MBR600100CTR | 129.3585 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR600100 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR600100CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | Murf20020 | - | ![]() | 6197 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Murf20020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MUR7010R | 17.7855 | ![]() | 9514 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR7010 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7010RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||
![]() | Murf10020 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | murf10020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR3545R | 15.1785 | ![]() | 7730 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | MBR3545 | 肖特基,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR3545RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 680 mv @ 35 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 35a | - | |||||
![]() | MBRT60080 | 140.2020 | ![]() | 6254 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GB01SLT06-214 | 1.6300 | ![]() | 3013 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | GB01SLT06 | SIC (碳化硅) | do-214aa | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 2 V @ 1 A | 0 ns | 10 µA @ 6.5 V | -55°C 〜175°C | 1a | 76pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | S70J | 9.8985 | ![]() | 9984 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S70JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 70 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 70a | - | ||||||
![]() | 1N5826 | 12.4155 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N5826 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N5826GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 440 mv @ 15 A | 10 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 15a | - | |||||
![]() | S85Y | 12.2460 | ![]() | 8502 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S85ygn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 85a | - | ||||||
![]() | MBR40035CTL | - | ![]() | 6358 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 200a | 600 mV @ 200 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRT40030RL | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MSRTA200100D | 142.3575 | ![]() | 4542 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRTA200100D | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR40020CTR | 98.8155 | ![]() | 3646 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40020 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR40020CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 200a | 650 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBRT120200R | 75.1110 | ![]() | 1846年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT120200 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 60a | 920 mv @ 60 a | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRH30035RL | - | ![]() | 3999 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 35 v | 600 MV @ 300 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | 300A | - | |||||||||
MUR5010R | 21.3900 | ![]() | 158 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR5010 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1097 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 50 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||||
![]() | GC2X50MPS06-227 | 54.0960 | ![]() | 5230 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GC2X50 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1348 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 104a(DC) | 1.8 V @ 50 A | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MBRT600150R | 140.2020 | ![]() | 5698 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT600150 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MSRT200120AD | 80.4872 | ![]() | 7509 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT200 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRH200100R | 70.0545 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | MBRH200100 | 肖特基,反极性 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRH200100RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | 200a | - | ||||||
![]() | MBR7540 | 20.8845 | ![]() | 8902 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR7540GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 650 MV @ 75 A | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 75a | - |
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