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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID VGS（VGS） fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压-峰值反向（最大）
MUR2540R GeneSiC Semiconductor MUR2540R 10.1910
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MUR2540 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR2540RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 25a -
MSRT15080D GeneSiC Semiconductor MSRT15080D 98.8155
RFQ
 ECAD 2121 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT15080D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
MBRTA800100R GeneSiC Semiconductor MBRTA800100R -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 400a 840 mv @ 400 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR3580 GeneSiC Semiconductor MBR3580 14.3280
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3580GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 840 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
1N3882R GeneSiC Semiconductor 1N3882R 5.1225
RFQ
 ECAD 1802年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3882R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3882RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBR3535R GeneSiC Semiconductor MBR3535R 15.1785
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR3535 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3535RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
S6M GeneSiC Semiconductor S6M 3.8625
RFQ
 ECAD 3378 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S6MGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
1N5832 GeneSiC Semiconductor 1N5832 18.7230
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5832 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5832GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 520 mv @ 40 a 20 ma @ 10 V -65°C〜150°C 40a -
S16GR GeneSiC Semiconductor S16GR 4.5900
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S16G 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S16grgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 16a -
MBR8035 GeneSiC Semiconductor MBR8035 21.1680
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8035GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 750 MV @ 80 A 1 mA @ 35 V -65°C〜150°C 80a -
GBL10 GeneSiC Semiconductor GBL10 0.4230
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl 标准 GBL - Rohs符合条件 （1 （无限） GBL10GN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V 4 a 单相 1 kV
MBR12040CTR GeneSiC Semiconductor MBR12040CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12040 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1009 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 120A（DC） 650 MV @ 120 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR12DR05 GeneSiC Semiconductor FR12DR05 6.8085
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12DR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
FR85B02 GeneSiC Semiconductor FR85B02 23.1210
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85B02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 85 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
S12GR GeneSiC Semiconductor S12GR 4.2345
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S12G 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s12grgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
GB2X50MPS17-227 GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS17-227 98.1200
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GB2X50 SIC （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1350 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1700 v 136a（DC） 1.8 V @ 50 A 0 ns 50 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C
MURT20060R GeneSiC Semiconductor murt20060r 104.4930
RFQ
 ECAD 4957 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt20060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murt20060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 100a 1.7 V @ 100 A 160 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
KBP201G GeneSiC Semiconductor KBP201G 0.2280
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP KBP201 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBP201GGS Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 a 单相 50 V
MSRT20080AD GeneSiC Semiconductor MSRT20080AD 80.4872
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
S40MR GeneSiC Semiconductor S40MR 8.3250
RFQ
 ECAD 5771 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S40m 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40MRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
1N3882 GeneSiC Semiconductor 1N3882 4.9020
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3882 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3882GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1186R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
S70Y GeneSiC Semiconductor S70Y 10.2225
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70YGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 6A（TC）（90°C） - 220MOHM @ 6A - - - -
MBRH20020 GeneSiC Semiconductor MBRH20020 70.0545
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20020GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MSRT150160A GeneSiC Semiconductor MSRT150160A 38.5632
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor MBR40035CTR 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40035 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1038 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3879 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1087 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
FR40D02 GeneSiC Semiconductor FR40D02 12.8985
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MBRH12035 GeneSiC Semiconductor MBRH12035 60.0375
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12035GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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