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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
1N3882 GeneSiC Semiconductor 1N3882 4.9020
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3882 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3882GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1186R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
S70Y GeneSiC Semiconductor S70Y 10.2225
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70YGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 6A（TC）（90°C） - 220MOHM @ 6A - - - -
MBRH20020 GeneSiC Semiconductor MBRH20020 70.0545
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH20020GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
MSRT150160A GeneSiC Semiconductor MSRT150160A 38.5632
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1600 v 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR40035CTR GeneSiC Semiconductor MBR40035CTR 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40035 肖特基，反极性 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1038 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 200a 700 mv @ 200 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3879 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1087 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
FR40D02 GeneSiC Semiconductor FR40D02 12.8985
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
S85J GeneSiC Semiconductor S85J 15.0400
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1032 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
MBRT50080R GeneSiC Semiconductor MBRT50080R -
RFQ
 ECAD 7172 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50080RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRF60060R GeneSiC Semiconductor MBRF60060R -
RFQ
 ECAD 4859 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 300A 800 MV @ 250 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MSRT200140D GeneSiC Semiconductor MSRT200140D 110.1030
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT200140D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1400 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
MBR30020CTR GeneSiC Semiconductor MBR30020CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 20 v 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR2X100A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A045 50.2485
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
MBR8030R GeneSiC Semiconductor MBR8030R 1985年2月22日
RFQ
 ECAD 6482 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8030 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8030RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 750 MV @ 80 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C 80a -
MBRF12045R GeneSiC Semiconductor MBRF12045R -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 60a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
FR6GR02 GeneSiC Semiconductor FR6GR02 5.1225
RFQ
 ECAD 2867 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6GR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
1N3891R GeneSiC Semiconductor 1N3891R 6.8085
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3891R 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3891RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
FR16BR05 GeneSiC Semiconductor FR16BR05 8.5020
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16BR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBRF200100 GeneSiC Semiconductor MBRF200100 -
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
FR70MR05 GeneSiC Semiconductor FR70MR05 17.7855
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBRT20080R GeneSiC Semiconductor MBRT20080R 98.8155
RFQ
 ECAD 9198 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20080 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20080RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N 135.4600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 G3R20 sicfet （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R20MT17N Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1700 v 100A（TC） 15V 26mohm @ 75a，15v 2.7V @ 15mA 400 NC @ 15 V ±15V 10187 PF @ 1000 V - 523W（TC）
MBRT400100 GeneSiC Semiconductor MBRT400100 121.6500
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1101 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S25M GeneSiC Semiconductor S25M 5.2485
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25MGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H 9.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GD20 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 （1 （无限） 1242-GD20MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 39a 737pf @ 1V，1MHz
1N5832R GeneSiC Semiconductor 1N5832R 19.7895
RFQ
 ECAD 9223 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5832R 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5832RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 520 mv @ 40 a 20 ma @ 10 V -65°C〜150°C 40a -
MSRT20080D GeneSiC Semiconductor MSRT20080D 110.1030
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 基因半导体 * 大部分 积极的 MSRT200 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40
MURF20060 GeneSiC Semiconductor Murf20060 -
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244AB - （1 （无限） murf20060gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 100a 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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