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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
KBPC3506W	2.4720	RFQ	2086	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC3506	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 600 V		35 a		单相	600 v
M3P75A-40	-	RFQ	5748	基因半导体	-	大部分	过时的	-	底盘安装	模块		标准	模块	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	24																		10 µA @ 400 V		75 a		三期	400 v
GBPC2504W	4.2000	RFQ	2	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2504	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1290	Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
GBPC3504W	4.6200	RFQ	327	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3504	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1294	Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 400 V		35 a		单相	400 v
GBPC3508W	4.6200	RFQ	5	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3508	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1295	Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 800 V		35 a		单相	800 v
GBPC3510W	4.6200	RFQ	1	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC3510	标准	GBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1296	Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
G2R50MT33K	295.6700	RFQ	78	基因半导体	G2R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G2R50MT33K	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	3300 v	63A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	3.5V @ 10mA（typ）	340 NC @ 20 V	+25V，-10V	7301 PF @ 1000 V	标准	536W（TC）
G3R350MT12J	5.5100	RFQ	5	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	G3R350	sicfet （碳化硅）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R350MT12J	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	11A（TC）	15V	420MOHM @ 4A，15V	2.69V @ 2mA	12 nc @ 15 V	±15V	334 PF @ 800 V	-	75W（TC）
MBRT30030RL	-	RFQ	7872	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	30 V	150a	580 mv @ 150 A		3 ma @ 30 V	-55°C〜150°C
kbpm204g	-	RFQ	3278	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm204ggn	Ear99	8541.10.0080	1,000																1.1 V @ 2 A		5 µA @ 50 V		2 a		单相	400 v
KBPC1502T	2.1795	RFQ	5939	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC1502	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
KBL610G	0.5805	RFQ	7504	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	KBL610	标准	KBL	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBL610GGN	Ear99	8541.10.0080	500																1.1 V @ 6 A		5 µA @ 1000 V		6 a		单相	1 kV
KBPC2508T	2.2995	RFQ	2585	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC2508	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
KBPC1501T	2.1795	RFQ	2447	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC1501	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 1000 V		15 a		单相	100 v
KBPC1508W	2.1795	RFQ	1295	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC1508	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 a		单相	800 v
KBPC25005T	2.2995	RFQ	9439	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC25005	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
KBPC1506T	2.1795	RFQ	4066	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC1506	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 600 V		15 a		单相	600 v
MUR5005	17.4870	RFQ	1315	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR5005GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		1 V @ 50 A	75 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	50a	-
DB154G	0.2325	RFQ	4951	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB154	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		DB154GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500																1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 400 V		1.5 a		单相	400 v
M3P100A-60	-	RFQ	4378	基因半导体	-	大部分	过时的	-	底盘安装	模块		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																1.15 V @ 100 A		10 ma @ 600 V		100 a		三期	600 v
KBPC3508T	2.4720	RFQ	1551年	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC3508	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 800 V		35 a		单相	800 v
kbu8j	1.8200	RFQ	3	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	400																1 V @ 8 A		10 µA @ 600 V		8 a		单相	600 v
M3P100A-1220	-	RFQ	2052	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																1.15 V @ 100 A		10 ma @ 1200 V		100 a		三期	1.2 kV
KBPC15005T	2.1795	RFQ	4373	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC15005	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
GBJ10G	0.7470	RFQ	3356	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10G	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 5 A		5 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
W08M	-	RFQ	2194	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）		W08MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000																1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1.5 a		单相	800 v
G2R1000MT17J	6.4400	RFQ	14	基因半导体	G2R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	G2R1000	sicfet （碳化硅）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G2R1000MT17J	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1700 v	3A（TC）	20V	1.2OHM @ 2A，20V	4V @ 2mA		+20V，-10V	139 pf @ 1000 V	-	54W（TC）
KBJ410G	0.5160	RFQ	3704	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBJ	KBJ410	标准	KBJ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBJ410GGN	Ear99	8541.10.0080	250																1.1 V @ 4 A		5 µA @ 1000 V		4 a		单相	1 kV
GBJ20B	0.9120	RFQ	1309	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ20	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ20B	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 10 A		5 µA @ 100 V		20 a		单相	100 v
MBRT12020R	75.1110	RFQ	9313	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MBRT12020	肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRT12020RGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	20 v	60a	750 mv @ 60 a		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²