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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
MBR6040	20.2695	RFQ	7704	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR604	肖特基	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR6040GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		650 mv @ 60 a		5 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	60a	-
MUR40020CTR	132.0780	RFQ	9873	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MUR40020	标准	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR40020CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	200 v	200a	1.3 V @ 125 A	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
1N1186A	10.3200	RFQ	844	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1186	标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1078	Ear99	8541.10.0080	100	-													200 v		1.1 V @ 40 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	40a	-
Murf30010	-	RFQ	9707	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		标准	TO-244	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	100 v	150a	1 V @ 150 A		25 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
1N1190	6.2320	RFQ	5641	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1044	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.2 V @ 35 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜190°C	35a	-
MSRT150100A	38.5632	RFQ	1247	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRT150	标准	三个塔	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对普通阴极	1000 v	150a	1.2 V @ 150 A		10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
GA100JT12-227	-	RFQ	2862	基因半导体	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		SIC （硅碳化物交界晶体管）	SOT-227	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	10		-	1200 v	160a（TC）	-	10mohm @ 100a	-		-	14400 PF @ 800 V	-	535W（TC）
G3R160MT17D	12.2400	RFQ	9458	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	G3R160	sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R160MT17D	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1700 v	21a（TC）	15V	208mohm @ 12a，15v	2.7V @ 5mA	51 NC @ 15 V	±15V	1272 PF @ 1000 V	-	175W（TC）
G3R30MT12K	22.5300	RFQ	844	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	G3R30	sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R30MT12K	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	90A（TC）	15V	36mohm @ 50a，15v	2.69V @ 12mA	155 NC @ 15 V	±15V	3901 PF @ 800 V	-	400W（TC）
G3R450MT17D	7.2100	RFQ	3	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	G3R450	sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R450MT17D	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1700 v	9A（TC）	15V	585MOHM @ 4A，15V	2.7V @ 2mA	18 nc @ 15 V	±15V	454 pf @ 1000 V	-	88W（TC）
G3R350MT12J	5.5100	RFQ	5	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	G3R350	sicfet （碳化硅）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R350MT12J	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	11A（TC）	15V	420MOHM @ 4A，15V	2.69V @ 2mA	12 nc @ 15 V	±15V	334 PF @ 800 V	-	75W（TC）
G2R50MT33K	295.6700	RFQ	78	基因半导体	G2R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G2R50MT33K	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	3300 v	63A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	3.5V @ 10mA（typ）	340 NC @ 20 V	+25V，-10V	7301 PF @ 1000 V	标准	536W（TC）
GBJ10K	0.7470	RFQ	2810	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10K	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 5 A		10 µA @ 800 V		10 a		单相	800 v
GBJ10D	0.7470	RFQ	6881	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10D	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 5 A		10 µA @ 200 V		10 a		单相	200 v
GBJ20J	0.9120	RFQ	9925	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ20	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ20J	Ear99	8541.10.0080	200																1 V @ 10 A		5 µA @ 600 V		20 a		单相	600 v
gbj20m	0.9120	RFQ	8711	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ20	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ20M	Ear99	8541.10.0080	200																1 V @ 10 A		5 µA @ 1000 V		20 a		单相	1 kV
GBJ10B	0.7470	RFQ	8324	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10B	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 5 A		10 µA @ 100 V		10 a		单相	100 v
GBJ15G	0.7875	RFQ	3854	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ15G	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 7.5 A		5 µA @ 400 V		15 a		单相	400 v
GBJ15D	0.7875	RFQ	5196	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ15	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ15D	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
MSRTA300100D	159.9075	RFQ	6624	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	模块	MSRTA300	标准	-	下载	rohs3符合条件			1242-MSRTA300100D	Ear99	8541.10.0080	24	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对系列连接	1000 v	300A	1.1 V @ 300 A		20 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C
GBJ35M	1.6410	RFQ	5582	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ35	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ35M	Ear99	8541.10.0080	200																1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
GBJ25D	0.9795	RFQ	4783	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ25D	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 200 V		25 a		单相	200 v
kbu8j	1.8200	RFQ	3	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	400																1 V @ 8 A		10 µA @ 600 V		8 a		单相	600 v
M3P100A-1220	-	RFQ	2052	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25																1.15 V @ 100 A		10 ma @ 1200 V		100 a		三期	1.2 kV
KBJ410G	0.5160	RFQ	3704	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBJ	KBJ410	标准	KBJ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBJ410GGN	Ear99	8541.10.0080	250																1.1 V @ 4 A		5 µA @ 1000 V		4 a		单相	1 kV
KBJ2502G	0.8955	RFQ	5493	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBJ	KBJ2502	标准	KBJ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBJ2502GGN	Ear99	8541.10.0080	250																1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 200 V		25 a		单相	200 v
KBPC15005T	2.1795	RFQ	4373	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC15005	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
W08M	-	RFQ	2194	基因半导体	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆，妇女		标准	口碑营销	下载		（1 （无限）		W08MGN	Ear99	8541.10.0080	1,000																1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1.5 a		单相	800 v
GBJ10G	0.7470	RFQ	3356	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ10	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ10G	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 5 A		5 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
GD2X20MPS12D	15.2500	RFQ	576	基因半导体	SIC SC Hottky MPS™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	GD2X	SIC （碳化硅）	TO-247-3	下载		（1 （无限）		1242-GD2X20MPS12D	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）												1对普通阴极	1200 v	39A（DC）	1.8 V @ 20 A	0 ns	10 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²