SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
FR16DR02 GeneSiC Semiconductor FR16DR02 8.5020
RFQ
ECAD 6699 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR16DR02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 900 mv @ 16 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
MBRH20020R GeneSiC Semiconductor MBRH20020R 70.0545
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20020 肖特基,反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRH20020RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
GBU8A GeneSiC Semiconductor gbu8a 0.5685
RFQ
ECAD 4167 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu8agn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 50 V 8 a 单相 50 V
FR40JR05 GeneSiC Semiconductor FR40JR05 11.5380
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR40JR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.4 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
MURT20060 GeneSiC Semiconductor Murt20060 104.4930
RFQ
ECAD 5897 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt20060gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 100a 1.7 V @ 100 A 160 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR20MR05 GeneSiC Semiconductor FR20MR05 9.5700
RFQ
ECAD 3702 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR20MR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1 V @ 20 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 20a -
MURF40005 GeneSiC Semiconductor Murf40005 -
RFQ
ECAD 6908 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 200a 1 V @ 200 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT40060R GeneSiC Semiconductor murt40060r -
RFQ
ECAD 8384 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) murt40060rgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 600 v 200a 1.7 V @ 200 A 240 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S70BR GeneSiC Semiconductor S70BR 9.8985
RFQ
ECAD 6479 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S70B 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S70BRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
BR305 GeneSiC Semiconductor BR305 0.5700
RFQ
ECAD 2931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-3 标准 BR-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR305GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
BR36 GeneSiC Semiconductor BR36 0.4750
RFQ
ECAD 1675年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-3 标准 BR-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR36GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 3 a 单相 600 v
BR605 GeneSiC Semiconductor BR605 0.7425
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR605GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
BR64 GeneSiC Semiconductor BR64 0.7425
RFQ
ECAD 5531 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR64GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 400 V 6 a 单相 400 v
DB101G GeneSiC Semiconductor DB101G 0.1980
RFQ
ECAD 7578 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB101 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB101GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1 a 单相 50 V
W06M GeneSiC Semiconductor W06M -
RFQ
ECAD 7468 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆,妇女 标准 口碑营销 下载 (1 (无限) W06MGN Ear99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
GBPC3501T GeneSiC Semiconductor GBPC3501T 2.8650
RFQ
ECAD 9862 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC3501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
GBPC5001T GeneSiC Semiconductor GBPC5001T 4.0155
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC5001 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
GBPC5006T GeneSiC Semiconductor GBPC5006T 4.0155
RFQ
ECAD 2194 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC5006 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
GBU15G GeneSiC Semiconductor GBU15G 0.6120
RFQ
ECAD 8458 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu15ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
GBU4K GeneSiC Semiconductor gbu4k 0.4725
RFQ
ECAD 7611 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu4kgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6j 1.5300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V 6 a 单相 600 v
GBU8M GeneSiC Semiconductor GBU8M 1.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu8mgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
KBJ25005G GeneSiC Semiconductor KBJ25005G 0.8955
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ25005 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
KBJ2504G GeneSiC Semiconductor KBJ2504G 0.8955
RFQ
ECAD 6148 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ2504 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ2504GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
KBJ408G GeneSiC Semiconductor KBJ408G 0.5160
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ408 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ408GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
KBP206 GeneSiC Semiconductor KBP206 0.3750
RFQ
ECAD 4816 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP206GN Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
KBPC3504T GeneSiC Semiconductor KBPC3504T 2.4720
RFQ
ECAD 9671 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC3504 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
KBPC5004T GeneSiC Semiconductor KBPC5004T 2.5875
RFQ
ECAD 1269 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC5004 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 400 V 50 a 单相 400 v
KBU1001 GeneSiC Semiconductor KBU1001 0.8205
RFQ
ECAD 8284 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) kbu1001gn Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
KBU1010 GeneSiC Semiconductor KBU1010 0.8205
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBU1010GN Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 1000 V 10 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库