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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 当前的 电压 电压 -隔离 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60030 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT60030RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT200150 GeneSiC Semiconductor MBRT200150 98.8155
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 表面安装 TO-276AA 1N8033 SIC （碳化硅） TO-276 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.65 V @ 5 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 4.3a 274pf @ 1V，1MHz
S85YR GeneSiC Semiconductor S85yr 15.4200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S85Y 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 85a -
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50045RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor Murta60040r 188.1435
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta60040 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murta60040rgn Ear99 8541.10.0080 24 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 300A 1.5 V @ 300 A 220 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT40040R GeneSiC Semiconductor MBRT40040R 118.4160
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40040 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40040RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR16B05 GeneSiC Semiconductor FR16B05 8.1330
RFQ
 ECAD 5774 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16B05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.4 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FST7340M GeneSiC Semiconductor FST7340M -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 35a 700 MV @ 35 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor MBR400100CT 102.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400100 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1022 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
1N3765 GeneSiC Semiconductor 1N3765 6.2320
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3765 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3765GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBRT600150 GeneSiC Semiconductor MBRT600150 140.2020
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50040RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85.9072
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1400 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
MBRH20035L GeneSiC Semiconductor MBRH20035L -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 600 mV @ 200 A 3 ma @ 200 V 200a -
FR6M05 GeneSiC Semiconductor FR6M05 5.0745
RFQ
 ECAD 8511 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6M05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1N5830R 14.8695
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N5830R 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5830RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 25 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A150 48.6255
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 80a 880 mv @ 80 a 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
MBRF12035R GeneSiC Semiconductor MBRF12035R -
RFQ
 ECAD 4524 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 60a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBRT60045RL GeneSiC Semiconductor MBRT60045RL -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
MBRT120200 GeneSiC Semiconductor MBRT120200 75.1110
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 60a 920 mv @ 60 a 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263 53.7500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA - GA20SICP12 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1194 Ear99 8541.29.0095 50 - 20 a 1.2 kV -
MBR2X030A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A060 40.2435
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X030 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 30a 750 MV @ 30 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
MBRTA60030L GeneSiC Semiconductor MBRTA60030L -
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
GKN26/14 GeneSiC Semiconductor GKN26/14 -
RFQ
 ECAD 2241 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.55 V @ 60 A 4 mA @ 1400 V -40°C〜180°C 25a -
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L -
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
1N3214R GeneSiC Semiconductor 1N3214R 7.0650
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3214R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1003 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBRT40060 GeneSiC Semiconductor MBRT40060 118.4160
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 200a 800 mv @ 200 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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