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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBJ25M | 0.9795 | ![]() | 5052 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25M | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 10μA@1000V | 25A | 单相 | 1kV | ||||||||||
KBPC1504T | 2.1795 | ![]() | 7843 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC1504 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@400V | 15A | 单相 | 400V | |||||||||||
![]() | MBR2X030A060 | 40.2435 | ![]() | 第2253章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X030 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 30A | 750毫伏@30安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ | |||||||||
![]() | GC2X15MPS12-247 | 10.5555 | ![]() | 4584 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GC2X15 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1333 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 75A(直流) | 1.8V@15A | 0纳秒 | 14μA@1200V | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | S300J | 63.8625 | ![]() | 5668 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@300A | 10μA@100V | -60℃~200℃ | 300A | - | ||||||||
![]() | S70KR | 9.8985 | ![]() | 9090 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S70K | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70KRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 70A | - | ||||||||
![]() | FST10080 | 65.6445 | ![]() | 1968年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 100A | 840 毫伏 @ 100 安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBRT200200R | 98.8155 | ![]() | 7921 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT200200 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 920毫伏@100安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 穆尔特10010 | - | ![]() | 9411 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT10010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRF30060 | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3006 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 150A | 750毫伏@150安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBRT50045R | - | ![]() | 8302 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50045RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | 穆尔10040CTR | 75.1110 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯10040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR10040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400V | 50A | 1.3V@50A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | KBP206G | 0.2280 | ![]() | 5933 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBP | KBP206 | 标准 | 钾BP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBP206GGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@2A | 600V时为10μA | 2A | 单相 | 600伏 | |||||||||
KBPC5006T | 2.5875 | ![]() | 7801 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC5006 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@25A | 5μA@600V | 50A | 单相 | 600伏 | |||||||||||
![]() | KBPM308G | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM308GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 800V | ||||||||||
![]() | MBR200100CTS | - | ![]() | 8978 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 螺丝安装 | SOT-227-4 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1133 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100V | 200A(直流) | 950毫伏@100安 | 80V时为10μA | -40℃~175℃ | |||||||||
![]() | MBR60060CT | 129.3585 | ![]() | 7847 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR60060 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR60060CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 300A | 800毫伏@300安 | 1毫安@20伏 | -50℃~150℃ | ||||||||
GBPC3502T | 4.6200 | ![]() | 第676章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC-T | GBPC3502 | 标准 | GBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@200V | 35A | 单相 | 200V | |||||||||||
![]() | GD2X50MPS12N | 46.3900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X50MPS12N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 76A(直流) | 1.8V@50A | 0纳秒 | 15μA@1200V | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | MBRF20040 | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 2W02M | - | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-循环,口碑 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | 1(无限制) | 2W02MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1V@2A | 10μA@200V | 2A | 单相 | 200V | |||||||||||
![]() | KBPM302G | - | ![]() | 2888 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM302GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 200V | ||||||||||
1N8028-GA | - | ![]() | 2634 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-257-3 | 1N8028 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@10A | 0纳秒 | 1200V时为20μA | -55℃~250℃ | 9.4A | 884pF @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | FR16DR05 | 8.5020 | ![]() | 6857 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16DR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.1V@16A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||
![]() | MBR120200CT | - | ![]() | 9679 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 穆尔塔20020R | 145.3229 | ![]() | 4700 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔20020 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 1.3V@100A | 25μA@200V | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBRT60035L | - | ![]() | 5242 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR8060 | 21.1680 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@80安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | |||||||||
![]() | MSRTA200140D | 142.3575 | ![]() | 第1737章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA200140D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1400伏 | 200A | 1.1V@200A | 10μA@1400V | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | KBPC35005W | 2.4720 | ![]() | 7866 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,KBPC-W | KBPC35005 | 标准 | KBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 5μA@50V | 35A | 单相 | 50V |
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