分立半导体产品(2160)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F
1N1186	6.2320	询价	7278	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1186	标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1N1186GN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													200V		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
S40BR	7.6470	询价	3587	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		柱螺安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	S40B	标准，反脊柱	DO-203AB (DO-5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	S40BRGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													100伏		1.1V@40A		10μA@100V	-65℃～190℃	40A	-
MBR40030CTR	98.8155	询价	2747	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR40030	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR40030CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	30V	200A	650毫伏@200安		5毫安@20伏	-55℃～150℃
MBRH12040	60.0375	询价	6397	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极			D-67		肖特基		下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1046	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V		650毫伏@120安		4毫安@20伏		120A	-
MBRF12040R	-	询价	4493	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		肖特基	TO-244AB	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	40V	60A	700 毫伏 @ 60 安		1毫安@40伏	-55℃～150℃
MSRT250160A	54.2296	询价	5113	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT250160	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共轴线	1600伏	250A（直流）	1.2V@250A		600V时为15μA	-55℃～150℃
2N7640-GA	-	询价	5917	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的	-55°C ~ 225°C（太焦）	表面贴装	TO-276AA		SiC（碳化硅结晶体管）	TO-276	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	1242-1151	EAR99	8541.29.0095	10		-	650伏	16A（温度）（155°C）	-	105毫欧@16A	-		-	1534pF@35V	-	330W（温度）
G3R75MT12K	10.7700	询价	1	基恩碳化硅半导体	G3R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	G3R75	SiCFET（碳化硅）	TO-247-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-G3R75MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	41A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	2.69V@7.5mA	54nC@15V	±15V	800V时为1560pF	-	207W（温度）
FR6JR05	5.1225	询价	4435	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FR6JR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏		1.4V@6A	500纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	6A	-
穆尔40020CTR	132.0780	询价	9873	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	毛里求斯40020	标准	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MUR40020CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	200V	200A	1.3V@125A	90纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
MBRT120200R	75.1110	询价	1846年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT120200	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	200V	60A	920 毫伏 @ 60 安		1毫安@200伏	-55℃～150℃
穆尔7040	17.5905	询价	6716	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	穆尔7040GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400伏		1.3V@70A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃	70A	-
MBR50045CTR	-	询价	3546	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	双塔		肖特基，反	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR50045CTRGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	45V	250A	750毫伏@250安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MUR40040CT	132.0780	询价	7020	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	毛里求斯40040	标准	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MUR40040CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	400伏	200A	1.3V@125A	150纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
1N1184R	6.2320	询价	6662	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1184R	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1095	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													100伏		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
1N1186R	7.4730	询价	8738	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1186R	标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													200V		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
1N5833	18.7230	询价	1738	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N5833	肖特基	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1N5833GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		550毫伏@40安		20毫安@10伏	-65℃～150℃	40A	-
FR30G02	13.4000	询价	7	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1034	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400伏		1V@30A	200纳秒	50V时为25μA	-40℃～125℃	30A	-
穆尔夫40060R	-	询价	3976	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	600伏	200A	1.7V@200A	240纳秒	600V时为25μA	-55℃～150℃
MBRTA80035L	-	询价	5521	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	35V	400A	600 毫伏 @ 400 安		3毫安@35伏	-55℃～150℃
穆尔特10040R	93.0525	询价	8422	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	穆尔特10040	标准，反脊柱	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MURT10040RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	400伏	50A	1.35V@50A	90纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
1N3883R	7.3900	询价	178	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N3883R	标准，反脊柱	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1242-1020	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400伏		1.4V@6A	200纳秒	50V时为15μA	-65℃～150℃	6A	-
MSRT200100A	48.2040	询价	7584	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT200	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共轴线	1000伏	200A（直流）	1.2V@200A		600V时为10μA	-40℃～175℃
MBRF300100R	-	询价	2688	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB	MBRF3001	肖特基	TO-244AB	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	100伏	150A	840毫伏@150安		1毫安@100伏	-55℃～150℃
FST8330M	-	询价	7758	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	D61-3M		肖特基	D61-3M	下载		1（无限制）	FST8330MGN	EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	30V	80A（直流）	650毫伏@80安		1.5毫安@20伏	-55℃～150℃
MSRT200140AD	80.4872	询价	第1389章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MSRT200	标准	三塔	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	25	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对中央	1400伏	200A	1.1V@200A		10μA@1400V	-55℃～150℃
FST120150	70.4280	询价	4347	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	150伏	60A	880毫伏@60安		1毫安@150伏	-55℃～150℃
MBR8030R	1985年22月	询价	6482	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	MBR8030	肖特基，反	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MBR8030RGN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		750毫伏@80安		1毫安@30伏	-55℃～150℃	80A	-
穆尔夫20060	-	询价	9722	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244AB	-		1（无限制）	穆尔夫20060GN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	600伏	100A	1.7V@100A	75纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
FR85MR05	24.1260	询价	1903年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准，反脊柱	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FR85MR05GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1000伏		1.3V@85A	500纳秒	100V时为25μA	-40℃～125℃	85A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2160)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²