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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
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KBPC1501T | 2.1795 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC1501 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 100伏 | ||||||||||||||||||||
KBPC25005T | 2.2995 | ![]() | 9439 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC25005 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@50V | 25A | 单相 | 50V | ||||||||||||||||||||
![]() | DB154G | 0.2325 | ![]() | 4951 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB154 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB154GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@400V | 1.5A | 单相 | 400伏 | ||||||||||||||||||
KBPC1506T | 2.1795 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC1506 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 600V时为10μA | 15A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4596R | 35.8125 | ![]() | 4089 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4596R | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4596RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@150A | 3.5毫安@1400伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||
![]() | S320QR | 62.2080 | ![]() | 7564 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S320 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S320QRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.2V@300A | 600V时为10μA | -60℃~180℃ | 320A | - | |||||||||||||||||
![]() | GBPC1504T | 2.4180 | ![]() | 9648 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC1504 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@400V | 15A | 单相 | 400伏 | |||||||||||||||||||
![]() | MSRT10060D | 87.1935 | ![]() | 1794年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT10060D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 600伏 | 100A | 1.1V@100A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA50060R | - | ![]() | 4787 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT60035RL | - | ![]() | 1306 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | GA03JT12-247 | - | ![]() | 8291 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-247AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200伏 | 3A(温度)(95°C) | - | 460毫欧@3A | - | - | - | 15W(温度) | |||||||||||||||||
![]() | MBRH20030 | 70.0545 | ![]() | 3881 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRH20030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 650毫伏@200安 | 5毫安@20伏 | 200A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH20045L | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 600毫伏@200安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 200A | - | ||||||||||||||||||||
KBPC15010T | 1.7953 | ![]() | 3694 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC15010 | 标准 | KBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@7.5A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 1kV | ||||||||||||||||||||
![]() | KBP201G | 0.2280 | ![]() | 9138 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBP | KBP201 | 标准 | 钾BP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBP201GGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@2A | 50V时为10μA | 2A | 单相 | 50V | ||||||||||||||||||
![]() | FR40D02 | 12.8985 | ![]() | 3748 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40D02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@40A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRF120150R | - | ![]() | 3804 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 150伏 | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔300120R | 159.9075 | ![]() | 2718 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔300120 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共阳极 | 600伏 | 150A | 2.6V@150A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | 穆尔特10020R | - | ![]() | 5446 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 标准,反脊柱 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT10020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔30040 | 159.9075 | ![]() | 4954 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 150A | 1.3V@150A | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF40080 | - | ![]() | 1423 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 200A | 840 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | GC20MPS12-220 | - | ![]() | 4057 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | GC20MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1336 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 18μA@1200V | -55℃~175℃ | 94A | 1298pF @ 1V、1MHz | |||||||||||||||
S16J | 4.5900 | ![]() | 9779 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | FST16020L | - | ![]() | 3601 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 80A | 600毫伏@80安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA20060D | 142.3575 | ![]() | 3617 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | MSRTA200 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRTA20060D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 600伏 | 200A | 1.1V@200A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBRH30040RL | - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@40伏 | -55℃~150℃ | 300A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | GBJ10D | 0.7470 | ![]() | 6881 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J10 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ10D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@5A | 10μA@200V | 10A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||
![]() | MBR12035 点击率 | 73.9100 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR12035 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBR3530R | 15.1785 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | MBR3530 | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR3530RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 680 毫伏 @ 35 安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 35A | - | |||||||||||||||||
![]() | S70M | 9.8985 | ![]() | 7685 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 70A | - |
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